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公开(公告)号：CN103887287B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201310712188.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，目的在于改善半导体装置的特性。半导体装置具有形成于感应器(Ia)的上方的层叠绝缘膜。该层叠绝缘膜具有聚酰亚胺膜(PI1)和形成于聚酰亚胺膜(PI1)上且与聚酰亚胺膜(PI1)之间具有阶梯差(St2)的聚酰亚胺膜(PI2)。并且，在层叠绝缘膜上形成有感应器(Ib)。通过采用这样的聚酰亚胺膜(PI1)与(PI2)的层叠结构，能够使感应器(Ia、Ib)之间的绝缘膜的膜厚增大，能够提高绝缘耐压。而且，能够减少由曝光不良导致的凹陷、剥落的发生，而且能够减少Cu籽晶层(SE)的分段、由此导致的电镀不良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887287A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310712188.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/49575 , H01L23/5227 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0617 , H01L27/1203 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06102 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/4945 , H01L2924/10161 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，目的在于改善半导体装置的特性。半导体装置具有形成于感应器(Ia)的上方的层叠绝缘膜。该层叠绝缘膜具有聚酰亚胺膜(PI1)和形成于聚酰亚胺膜(PI1)上且与聚酰亚胺膜(PI1)之间具有阶梯差(St2)的聚酰亚胺膜(PI2)。并且，在层叠绝缘膜上形成有感应器(Ib)。通过采用这样的聚酰亚胺膜(PI1)与(PI2)的层叠结构，能够使感应器(Ia、Ib)之间的绝缘膜的膜厚增大，能够提高绝缘耐压。而且，能够减少由曝光不良导致的凹陷、剥落的发生，而且能够减少Cu籽晶层(SE)的分段、由此导致的电镀不良。
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公开(公告)号：CN105590872B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201510751271.5
申请日：2015-11-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性并实现尺寸减小的半导体器件。提供半导体晶片，其包括具有暴露电极焊盘的上表面的开口的第一绝缘构件。随后，在半导体晶片的主表面上形成第二绝缘构件之后，形成另一开口以暴露电极焊盘的上表面。随后，探针与电极焊盘接触，从而将数据写入半导体晶片的主表面处的存储器电路中。在以导电覆盖膜覆盖电极焊盘的上表面之后，形成重配置布线。在Y方向上，直接位于电极焊盘上的重配置布线的宽度等于或小于第一绝缘构件中形成的开口的宽度。
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公开(公告)号：CN103681595B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201310725962.9
申请日：2009-12-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件。在用于车辆用途等的半导体集成电路器件中，为便于安装，通常通过导线键合等，使用金导线等将半导体芯片上的铝焊盘和外部器件彼此耦合。然而，这种半导体集成电路器件由于在相对较高温度(约150℃)下长时间的使用中铝和金之间的相互作用而造成连接故障。本申请的发明提供一种半导体集成电路器件(半导体器件或电子电路器件)，其包括作为该器件的一部分的半导体芯片、经由阻挡金属膜设置在半导体芯片上基于铝的键合焊盘之上的电解金镀覆表面膜(基于金的金属镀覆膜)和用于该镀覆表面膜和设置在布线板等(布线衬底)之上的外部引线之间的互连的金键合导线(基于金的键合导线)。
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公开(公告)号：CN105590872A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510751271.5
申请日：2015-11-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性并实现尺寸减小的半导体器件。提供半导体晶片，其包括具有暴露电极焊盘的上表面的开口的第一绝缘构件。随后，在半导体晶片的主表面上形成第二绝缘构件之后，形成另一开口以暴露电极焊盘的上表面。随后，探针与电极焊盘接触，从而将数据写入半导体晶片的主表面处的存储器电路中。在以导电覆盖膜覆盖电极焊盘的上表面之后，形成重配置布线。在Y方向上，直接位于电极焊盘上的重配置布线的宽度等于或小于第一绝缘构件中形成的开口的宽度。
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公开(公告)号：CN103681595A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310725962.9
申请日：2009-12-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/49
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/565 , H01L22/32 , H01L23/485 , H01L23/49816 , H01L24/06 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/02166 , H01L2224/02205 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05027 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05173 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/06183 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/4502 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/46 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48145 , H01L2224/48158 , H01L2224/48247 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/4868 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/4878 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4888 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/83101 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01061 , H01L2924/01065 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/078 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/0665 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/0002 , H01L2924/00015
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件。在用于车辆用途等的半导体集成电路器件中，为便于安装，通常通过导线键合等，使用金导线等将半导体芯片上的铝焊盘和外部器件彼此耦合。然而，这种半导体集成电路器件由于在相对较高温度(约150℃)下长时间的使用中铝和金之间的相互作用而造成连接故障。本申请的发明提供一种半导体集成电路器件(半导体器件或电子电路器件)，其包括作为该器件的一部分的半导体芯片、经由阻挡金属膜设置在半导体芯片上基于铝的键合焊盘之上的电解金镀覆表面膜(基于金的金属镀覆膜)和用于该镀覆表面膜和设置在布线板等(布线衬底)之上的外部引线之间的互连的金键合导线(基于金的键合导线)。
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