公开(公告)号：CN103887287B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201310712188.8

申请日：2013-12-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 船矢琢央 ,  鴫原宏美 ,  鴫原久雄

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，目的在于改善半导体装置的特性。半导体装置具有形成于感应器(Ia)的上方的层叠绝缘膜。该层叠绝缘膜具有聚酰亚胺膜(PI1)和形成于聚酰亚胺膜(PI1)上且与聚酰亚胺膜(PI1)之间具有阶梯差(St2)的聚酰亚胺膜(PI2)。并且，在层叠绝缘膜上形成有感应器(Ib)。通过采用这样的聚酰亚胺膜(PI1)与(PI2)的层叠结构，能够使感应器(Ia、Ib)之间的绝缘膜的膜厚增大，能够提高绝缘耐压。而且，能够减少由曝光不良导致的凹陷、剥落的发生，而且能够减少Cu籽晶层(SE)的分段、由此导致的电镀不良。

公开(公告)号：CN103887287A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310712188.8

申请日：2013-12-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 船矢琢央 ,  鴫原宏美 ,  鴫原久雄

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/1203 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，目的在于改善半导体装置的特性。半导体装置具有形成于感应器(Ia)的上方的层叠绝缘膜。该层叠绝缘膜具有聚酰亚胺膜(PI1)和形成于聚酰亚胺膜(PI1)上且与聚酰亚胺膜(PI1)之间具有阶梯差(St2)的聚酰亚胺膜(PI2)。并且，在层叠绝缘膜上形成有感应器(Ib)。通过采用这样的聚酰亚胺膜(PI1)与(PI2)的层叠结构，能够使感应器(Ia、Ib)之间的绝缘膜的膜厚增大，能够提高绝缘耐压。而且，能够减少由曝光不良导致的凹陷、剥落的发生，而且能够减少Cu籽晶层(SE)的分段、由此导致的电镀不良。