公开(公告)号：CN105590872B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201510751271.5

申请日：2015-11-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秋叶俊彦 ,  鴫原宏美 ,  矢岛圭

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性并实现尺寸减小的半导体器件。提供半导体晶片，其包括具有暴露电极焊盘的上表面的开口的第一绝缘构件。随后，在半导体晶片的主表面上形成第二绝缘构件之后，形成另一开口以暴露电极焊盘的上表面。随后，探针与电极焊盘接触，从而将数据写入半导体晶片的主表面处的存储器电路中。在以导电覆盖膜覆盖电极焊盘的上表面之后，形成重配置布线。在Y方向上，直接位于电极焊盘上的重配置布线的宽度等于或小于第一绝缘构件中形成的开口的宽度。

公开(公告)号：CN105590872A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510751271.5

申请日：2015-11-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秋叶俊彦 ,  鴫原宏美 ,  矢岛圭

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性并实现尺寸减小的半导体器件。提供半导体晶片，其包括具有暴露电极焊盘的上表面的开口的第一绝缘构件。随后，在半导体晶片的主表面上形成第二绝缘构件之后，形成另一开口以暴露电极焊盘的上表面。随后，探针与电极焊盘接触，从而将数据写入半导体晶片的主表面处的存储器电路中。在以导电覆盖膜覆盖电极焊盘的上表面之后，形成重配置布线。在Y方向上，直接位于电极焊盘上的重配置布线的宽度等于或小于第一绝缘构件中形成的开口的宽度。