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公开(公告)号：CN102428580B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080021864.1
申请日：2010-05-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/44
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/305 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供高输出、高效率在高湿环境下长寿命的发光二极管。采用发光二极管(1)，包含：具有发光部(7)的化合物半导体层(2)、设置在化合物半导体层(2)的主要光取出面的欧姆电极(4)，(5)、用于保护欧姆电极(4)，(5)的电极保护层(6)，该发光二极管(1)的特征在于：包含主要光取出面的化合物半导体层(2)的表面(2a)，(2b)的Al浓度为20％以下且As浓度小于1％，电极保护层(6)具有包含设置为覆盖欧姆电极(4)，(5)的第一保护膜(12)和设置为至少覆盖第一保护膜(12)的端部的第二保护膜(13)的二层结构。
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公开(公告)号：CN102414847B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080019118.9
申请日：2010-03-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/30 , F21V7/0083 , F21V7/09 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L24/06 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/10158 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及发光二极管等，所述发光二极管的特征在于，具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(在此，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值)的应变发光层与势垒层的叠层结构，所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，可以提供具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且为高输出功率和/或高效率的响应速度快的发光二极管。
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公开(公告)号：CN102822999A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180017382.3
申请日：2011-02-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/20 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管，其在光取出面上具有两个电极，光取出效率高，为高辉度。本发明涉及的发光二极管（1），是具有含有发光层（10）的发光部（7）的化合物半导体层（2）和透明基板（3）相接合了的发光二极管，其特征在于，在化合物半导体层（2）的主要的光取出面（2a）侧设置有第1电极（4）和第2电极（5），透明基板（3）具有：与化合物半导体层（2）接合的上表面（3A）；面积比上表面（3A）的面积小的底面（3B）；和至少含有从上表面侧朝向底面侧倾斜的倾斜面（3b）的侧面，第1和第2电极（4）、（5）在俯视该发光二极管时配置在将底面（3B）投影了的区域内。
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公开(公告)号：CN102318094A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080008005.9
申请日：2010-01-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/64 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/641 , H01L33/0079 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的是提供散热性优异，能够抑制接合时的基板的开裂，施加高电压能够以高辉度发光的发光二极管、发光二极管灯以及发光二极管的制造方法。本发明的发光二极管是在包含发光层(2)的发光部(3)接合了热沉基板(5)的发光二极管(1)，热沉基板(5)是第1金属层(21)和第2金属层(22)交替地层叠而成，第1金属层(21)由热导率为130W/m·K以上、热膨胀系数与发光部(3)的材料大致相等的材料形成，第2金属层(22)由热导率为230W/m·K以上的材料形成，通过使用该发光二极管(1)能够达到所述目的。
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公开(公告)号：CN1934717A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580008071.5
申请日：2005-03-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/30
Abstract: 一种化合物半导体发光二极管，包括由III－V族化合物半导体构成的发光层以及设置在所述发光层上并由III－V族化合物半导体构成的电流扩散层，其特征在于，所述电流扩散层由导电的基于磷化硼的半导体构成，并且所述电流扩散层的室温带隙宽于所述发光层的室温带隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102686101A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080044426.7
申请日：2010-08-05
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 竹内良一
CPC classification number: A01G7/045 , A01G7/04 , F21Y2101/00 , F21Y2113/10 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2224/45144 , H01L2224/49175 , Y02P60/149 , H01L2924/00
Abstract: 在采用LED的植物培养用的照明中，红色、蓝色的混色是有优势的光源，但现状是红色的发光强度比蓝色弱，利用使用的灯的数量来调整颜色。相对于多数的红色LED，少量的蓝色LED成为点状分布的形态，存在蓝色的照射不能够均匀地进行的课题。本发明提供一种在同一封装体中搭载了蓝色LED和与其平衡的具有高的发光效率的AlGaInP系的红色LED的多色发光二极管灯。搭载具有发光部的红色LED，该发光部含有由组成式（AlXGa1-X）YIn1-YP（0≤X≤1，0＜Y≤1）构成的发光层。该红色LED在流通相同电流的情况下，放出与蓝色LED同等或其以上的光子。例如，在红色较强适于植物培养的情况下，通过搭载2个红色LED和1个蓝色LED，用1个灯得到所希望的混色，能够实现光的照射的均匀化。
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公开(公告)号：CN102598318A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080051483.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L24/45 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种具有红色光以及红外光的发光波长、单色性优异、并且为高输出功率和高效率、耐湿性优异的发光二极管。本发明的发光二极管，其特征在于，具备：发光部、形成于所述发光部上的电流扩散层、和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述发光部具有：具有组成式为（AlX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0＜X2≤1）的势垒层的叠层结构并发出红外光的活性层、夹着该活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1和第2覆盖层由组成式（AlX3Ga1-X3）Y1In1-Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）表示。
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公开(公告)号：CN101218686A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680024549.8
申请日：2006-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L33/387 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种化合物半导体发光二极管，包括：发光层133，由磷化铝镓铟形成；发光部分13，具有各自由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体形成的组成层；透明支撑层14，接合到所述发光部分13的最外表面层的一者135且对于从所述发光层133发射的光透明；以及接合层141，形成在所述支撑层14与所述发光部分13的所述最外表面层的一者135之间，包含浓度小于等于1×1020cm－3的氧原子。该化合物半导体发光二极管可以避免对发光部分施加应力，抑制晶体缺陷的产生，提高发光部分与支撑层之间的接合强度，还降低接合界面中的电阻并从而提高正向电压(Vf)，并且提高反向电压并实现高亮度的产生。
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公开(公告)号：CN1774820A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480009763.7
申请日：2004-03-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/38
Abstract: 一种LED(10)，包括化合物半导体层(13)和碱性玻璃衬底(150)，所述化合物半导体层包括发光部分，所述碱性玻璃衬底包括至少1质量％的选自钠、钙、钡和钾的一种元素，并对所述部分的发光波长透明。所述衬底与所述半导体层固定或接合。在所述二极管(10)的制造方法中，在对所述波长不透明的半导体衬底(11)上生长所述半导体层(13)，通过阳极接合方法接合所述生长的半导体层和所述碱性玻璃衬底，去除所述不透明衬底，在所述半导体层的部分主表面上形成具有第一极性的第一欧姆电极(15)，在具有第二极性的所述半导体层上形成第二欧姆电极(16)，并用金属反射层(14)覆盖所述第一欧姆电极和所述半导体层。
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公开(公告)号：CN102422445B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201080019083.9
申请日：2010-02-24
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30 , C23C16/30 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，具备GaAs基板、设置在GaAs基板上的发光部和设置在发光部上的应变调整层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39＜Y≤0.45的数值)的应变发光层，所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，能够提供可量产发光波长为655nm以上的高输出功率和/或高效率的LED的外延晶片。
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