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公开(公告)号：CN101218686B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200680024549.8
申请日：2006-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L33/387 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种化合物半导体发光二极管，包括：发光层133，由磷化铝镓铟形成；发光部分13，具有各自由III-V族化合物半导体形成的组成层；透明支撑层14，接合到所述发光部分13的最外表面层的一者135且对于从所述发光层133发射的光透明；以及接合层141，形成在所述支撑层14与所述发光部分13的所述最外表面层的一者135之间，包含浓度小于等于1×1020cm-3的氧原子。该化合物半导体发光二极管可以避免对发光部分施加应力，抑制晶体缺陷的产生，提高发光部分与支撑层之间的接合强度，还降低接合界面中的电阻并从而提高正向电压(Vf)，并且提高反向电压并实现高亮度的产生。
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公开(公告)号：CN101878541A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200880118212.2
申请日：2008-09-29
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 渡边隆史
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其具有：层叠第1覆层、发光层和第2覆层而成的化合物半导体层；在第1覆层上形成的多个第1欧姆电极；在第2覆层上形成的多个第2欧姆电极；形成于化合物半导体层的第1覆层上并与第1欧姆电极导通的透明导电膜；在透明导电膜上形成的接合电极；和配置在化合物半导体层的第2覆层侧并与第2欧姆电极导通的支持板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101218686A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680024549.8
申请日：2006-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L33/387 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种化合物半导体发光二极管，包括：发光层133，由磷化铝镓铟形成；发光部分13，具有各自由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体形成的组成层；透明支撑层14，接合到所述发光部分13的最外表面层的一者135且对于从所述发光层133发射的光透明；以及接合层141，形成在所述支撑层14与所述发光部分13的所述最外表面层的一者135之间，包含浓度小于等于1×1020cm－3的氧原子。该化合物半导体发光二极管可以避免对发光部分施加应力，抑制晶体缺陷的产生，提高发光部分与支撑层之间的接合强度，还降低接合界面中的电阻并从而提高正向电压(Vf)，并且提高反向电压并实现高亮度的产生。
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公开(公告)号：CN110234222A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009498.4
申请日：2018-02-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: A01G7/04
Abstract: 本发明提供了植物苗的栽培方法，其能够栽培出没有引起细长生长、具有粗茎、和即使在种植后也有利地生长的苗。本发明的植物苗的栽培方法是通过用人工光照射植物苗促进生长的植物苗的栽培方法，该方法包括：在期间(A)用蓝色照明光连续照射植物苗，其中用蓝色照明光连续照射植物苗的期间(A)中的30％或更多且少于80％的时间对应于用蓝色照明光和红色照明光连续照射植物苗的期间(A-1)。
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公开(公告)号：CN101878541B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200880118212.2
申请日：2008-09-29
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 渡边隆史
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其具有：层叠第1覆层、发光层和第2覆层而成的化合物半导体层；在第1覆层上形成的多个第1欧姆电极；在第2覆层上形成的多个第2欧姆电极；形成于化合物半导体层的第1覆层上并与第1欧姆电极导通的透明导电膜；在透明导电膜上形成的接合电极；和配置在化合物半导体层的第2覆层侧并与第2欧姆电极导通的支持板。
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公开(公告)号：CN101218687B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680024703.1
申请日：2006-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L27/15 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , Y10S438/936 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的化合物半导体层，包括p-n结型发光部分；电导体，设置在所述化合物半导体层上，并且由对于从所述发光部分发射的光光学透明的导电材料形成；以及高电阻层，具有比所述电导体高的电阻，并且设置在所述化合物半导体层与所述电导体之间。在发光二极管灯的结构中，通过金属线接合，使得所述电导体与跨过所述发光层在与所述电导体相反的一侧上的所述半导体层上设置的电极呈现相等的电势。所述发光二极管具有高亮度，并且在静电击穿电压方面优良。
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公开(公告)号：CN101218687A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680024703.1
申请日：2006-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L27/15 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , Y10S438/936 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的化合物半导体层，包括p－n结型发光部分；电导体，设置在所述化合物半导体层上，并且由对于从所述发光部分发射的光光学透明的导电材料形成；以及高电阻层，具有比所述电导体高的电阻，并且设置在所述化合物半导体层与所述电导体之间。在发光二极管灯的结构中，通过金属线接合，使得所述电导体与跨过所述发光层在与所述电导体相反的一侧上的所述半导体层上设置的电极呈现相等的电势。所述发光二极管具有高亮度，并且在静电击穿电压方面优良。
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