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公开(公告)号：CN101203940A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680021424.X
申请日：2006-05-23
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种在硅衬底的表面上制造碳化硅层的方法，包括以下步骤：用烃基气体和电子束辐照在高真空中在范围为500℃至1050℃的温度下加热的所述硅衬底的表面，以在所述硅衬底表面上形成立方碳化硅层。
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公开(公告)号：CN100344002C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN02815677.3
申请日：2002-08-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0753 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种利用具有能够避免连接麻烦的结构的蓝色LED制作多色发光灯的技术。特别地，本发明提供了使用能够发出高强度的合成绿色光异质结型GaP基LED结构制作多色发光灯的技术。同样，例如，通过蓝色LED和黄色LED来制作多色发光灯过程中，本发明提供了利用没有连接麻烦的蓝色LED和具有高发光强度的异质结型GaAs1-zPz基LED制作多色发光灯的技术。
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公开(公告)号：CN1934717A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580008071.5
申请日：2005-03-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/30
Abstract: 一种化合物半导体发光二极管，包括由III－V族化合物半导体构成的发光层以及设置在所述发光层上并由III－V族化合物半导体构成的电流扩散层，其特征在于，所述电流扩散层由导电的基于磷化硼的半导体构成，并且所述电流扩散层的室温带隙宽于所述发光层的室温带隙。
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公开(公告)号：CN101203940B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200680021424.X
申请日：2006-05-23
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种在硅衬底的表面上制造碳化硅层的方法，包括以下步骤：用烃基气体和电子束辐照在高真空中在范围为500℃至1050℃的温度下加热的所述硅衬底的表面，以在所述硅衬底表面上形成立方碳化硅层。
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公开(公告)号：CN101828276A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880112206.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种III族氮化物半导体发光元件，其具有基板(1)和设置于该基板的表面上的具有由III族氮化物半导体形成的势垒层(11b、12b)和由含铟的III族氮化物半导体形成的阱层(11a、12a)的多量子阱结构的发光层(10)，其中，该发光层是将多个重层部(11、12)层叠而构成的，所述重层部(11、12)是具有1个由阱层和势垒层构成的单元重层部分(11m)而构成的，或者是使2个以上的该单元重层部分(12m)层叠而构成的，在重层部(12)的单元重层部分(12m)为2个以上的情况下，其阱层彼此以及势垒层彼此的层厚和组成分别相同，重层部(11、12)彼此的单元重层部分的势垒层(11b、12b)的层厚相互不同，由此采用单独构成的唯一的发光层，能够在简单的构成下简便地射出多波长光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101809763A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108858.2
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，具有基板(1)和在该基板的表面上设置的具有由含有镓的Ⅲ族氮化物半导体材料形成的势垒层(5a)和阱层(5b)的多量子阱结构的发光层(5)，其中，形成所述多量子阱结构的各阱层由添加有受主杂质且层厚相互不同的呈与势垒层相同的传导类型的Ⅲ族氮化物半导体层构成，不需要进行荧光体的微妙的组成调整等，能够以简单的结构简易地形成光度高且现色性也高的Ⅲ族氮化物半导体白色系发光元件。
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公开(公告)号：CN100380692C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200380108272.3
申请日：2003-12-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
Abstract: 本发明提供了一种磷化硼基半导体发光器件，包括：晶体衬底；第一半导体层，在所述晶体衬底上形成，所述第一半导体层包括发光层，用作基层并具有第一区域和不同于所述第一区域的第二区域；磷化硼基半导体非晶层，在所述第一半导体层的所述第一区域上形成，所述磷化硼基半导体非晶层包括高电阻磷化硼基半导体非晶层或导电类型与所述第一半导体层的导电类型相反的第一磷化硼基半导体非晶层；焊盘电极，在所述高电阻或相反导电类型磷化硼基半导体非晶层上形成，用于建立引线焊接；以及导电磷化硼基晶体层，在所述第一半导体层的所述第二区域上形成，所述导电磷化硼基晶体层可选地延伸到所述磷化硼基半导体非晶层的部分，其中在所述焊盘电极的底部上方的所述焊盘电极的部分处，所述焊盘电极与所述磷化硼基半导体晶体层相接触。
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公开(公告)号：CN1943048A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011672.1
申请日：2005-03-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 一种磷化硼基半导体发光器件包括：硅单晶衬底；第一立方磷化硼基半导体层，设置在所述衬底的表面上，且包含双晶；发光层，由六角III族氮化物半导体构成，且设置在所述第一立方磷化硼基半导体层上；以及第二立方磷化硼基半导体层，设置在所述发光层上，包含双晶，且其导电类型与所述第一立方磷化硼基半导体层的导电类型不同。
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公开(公告)号：CN100413105C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200580011672.1
申请日：2005-03-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 一种磷化硼基半导体发光器件包括：硅单晶衬底；第一立方磷化硼基半导体层，设置在所述衬底的表面上，且包含双晶；发光层，由六角Ⅲ族氮化物半导体构成，且设置在所述第一立方磷化硼基半导体层上；以及第二立方磷化硼基半导体层，设置在所述发光层上，包含双晶，且其导电类型与所述第一立方磷化硼基半导体层的导电类型不同。
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公开(公告)号：CN100386889C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200380103515.4
申请日：2003-11-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , C23C16/30
CPC classification number: C23C16/30 , H01L33/12 , H01L33/18 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种磷化硼系半导体发光元件，其具备异种接合结构的发光部，该发光部是在导电性或者高电阻的单晶体基板的表面上依次具备由n型化合物半导体构成的n型下部包层、由n型的Ⅲ族氮化物半导体构成的n型发光层、以及由设置在该发光层上的p型的磷化硼系半导体构成的p型上部包层而构成，且该磷化硼系半导体发光元件形成有与该p型上部包层接触的p型电极而构成，其特征在于，由磷化硼系半导体构成的非晶态层设置在p型上部包层和n型发光层中间。该磷化硼系半导体发光元件，正向电压或者阀值低，逆向电压优良。
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