公开(公告)号：CN100386889C

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200380103515.4

申请日：2003-11-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 宇田川隆 ,  笠原明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/30 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种磷化硼系半导体发光元件，其具备异种接合结构的发光部，该发光部是在导电性或者高电阻的单晶体基板的表面上依次具备由n型化合物半导体构成的n型下部包层、由n型的Ⅲ族氮化物半导体构成的n型发光层、以及由设置在该发光层上的p型的磷化硼系半导体构成的p型上部包层而构成，且该磷化硼系半导体发光元件形成有与该p型上部包层接触的p型电极而构成，其特征在于，由磷化硼系半导体构成的非晶态层设置在p型上部包层和n型发光层中间。该磷化硼系半导体发光元件，正向电压或者阀值低，逆向电压优良。

公开(公告)号：CN1711650A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200380103515.4

申请日：2003-11-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 宇田川隆 ,  笠原明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/30 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种磷化硼系半导体发光元件，其具备异种接合结构的发光部，该发光部是在导电性或者高电阻的单晶体基板的表面上依次具备由n型化合物半导体构成的n型下部包层、由n型的III族氮化物半导体构成的n型发光层、以及由设置在该发光层上的p型的磷化硼系半导体构成的p型上部包层而构成，且该磷化硼系半导体发光元件形成有与该p型上部包层接触的p型电极而构成，其特征在于，由磷化硼系半导体构成的非晶态层设置在p型上部包层和n型发光层中间。该磷化硼系半导体发光元件，正向电压或者阀值低，逆向电压优良。