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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102822999B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201180017382.3
申请日：2011-02-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/20 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管，其在光取出面上具有两个电极，光取出效率高，为高辉度。本发明涉及的发光二极管（1），是具有含有发光层（10）的发光部（7）的化合物半导体层（2）和透明基板（3）相接合了的发光二极管，其特征在于，在化合物半导体层（2）的主要的光取出面（2a）侧设置有第1电极（4）和第2电极（5），透明基板（3）具有：与化合物半导体层（2）接合的上表面（3A）；面积比上表面（3A）的面积小的底面（3B）；和至少含有从上表面侧朝向底面侧倾斜的倾斜面（3b）的侧面，第1和第2电极（4）、（5）在俯视该发光二极管时配置在将底面（3B）投影了的区域内。
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公开(公告)号：CN102428580B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080021864.1
申请日：2010-05-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/44
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/305 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供高输出、高效率在高湿环境下长寿命的发光二极管。采用发光二极管(1)，包含：具有发光部(7)的化合物半导体层(2)、设置在化合物半导体层(2)的主要光取出面的欧姆电极(4)，(5)、用于保护欧姆电极(4)，(5)的电极保护层(6)，该发光二极管(1)的特征在于：包含主要光取出面的化合物半导体层(2)的表面(2a)，(2b)的Al浓度为20％以下且As浓度小于1％，电极保护层(6)具有包含设置为覆盖欧姆电极(4)，(5)的第一保护膜(12)和设置为至少覆盖第一保护膜(12)的端部的第二保护膜(13)的二层结构。
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公开(公告)号：CN102822999A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180017382.3
申请日：2011-02-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/20 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管，其在光取出面上具有两个电极，光取出效率高，为高辉度。本发明涉及的发光二极管（1），是具有含有发光层（10）的发光部（7）的化合物半导体层（2）和透明基板（3）相接合了的发光二极管，其特征在于，在化合物半导体层（2）的主要的光取出面（2a）侧设置有第1电极（4）和第2电极（5），透明基板（3）具有：与化合物半导体层（2）接合的上表面（3A）；面积比上表面（3A）的面积小的底面（3B）；和至少含有从上表面侧朝向底面侧倾斜的倾斜面（3b）的侧面，第1和第2电极（4）、（5）在俯视该发光二极管时配置在将底面（3B）投影了的区域内。
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公开(公告)号：CN102428580A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021864.1
申请日：2010-05-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/44
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/305 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供高输出、高效率在高湿环境下长寿命的发光二极管。采用发光二极管(1)，包含：具有发光部(7)的化合物半导体层(2)、设置在化合物半导体层(2)的主要光取出面的欧姆电极(4)，(5)、用于保护欧姆电极(4)，(5)的电极保护层(6)，该发光二极管(1)的特征在于：包含主要光取出面的化合物半导体层(2)的表面(2a)，(2b)的Al浓度为20％以下且As浓度小于1％，电极保护层(6)具有包含设置为覆盖欧姆电极(4)，(5)的第一保护膜(12)和设置为至少覆盖第一保护膜(12)的端部的第二保护膜(13)的二层结构。
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公开(公告)号：CN102308397A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080007096.4
申请日：2010-01-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光二极管，是具有包含由组成式(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1、0＜Y≤1)构成的发光层的发光部、并且将包含该发光部的化合物半导体层与透明基板接合的发光二极管。在发光二极管的主要的光取出面上具有第1电极和极性与第1电极不同的第2电极。第2电极夹着发光层而形成于与第1电极相反的一侧的化合物半导体层上。对于透明基板的侧面具有在接近发光层的一侧相对于发光层的发光面大致垂直的第1侧面、和在远离发光层的一侧相对于发光面倾斜的第2侧面的发光二极管，通过在透明基板背面形成第3电极，提供光取出效率高、安装工序的生产率高的高辉度发光二极管。
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