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公开(公告)号：CN1947265A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580009941.0
申请日：2005-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 提供了一种pn结化合物半导体发光器件，包括：包括由n型或p型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，而且所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其中所述层叠结构中包括n型或p型导体层，所述导体层和所述衬底接合在一起，以及所述导体层由含硼III－V族化合物半导体构成。
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公开(公告)号：CN101371372B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780002706.X
申请日：2007-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 锅仓互
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种发光二极管(10)包括透明衬底和化合物半导体层，所述化合物半导体层包含发光部分(12)，所述发光部分(12)包含由(AlXGa1-X)YIn1-YP形成的发光层133，其中0≤X≤1且0＜Y≤1，并且所述化合物半导体层被接合到所述透明衬底(14)。其中，在所述发光二极管(10)在其主光提取表面上具有第一电极(15)和极性不同于所述第一电极的第二电极(16)，所述透明衬底具有侧面，所述侧面为第一侧面(142)和第二侧面(143)，所述第一侧面(142)邻近所述发光层基本上垂直于所述发光层的发光表面，所述第二侧面(143)远离所述发光层并相对于所述发光表面是倾斜的，并且所述第二侧面(143)被粗糙化为具有范围为0.05μm至3μm的不平整度。在所述光提取表面上具有两个电极的发光二极管表现出高光提取效率和高亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1774820A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480009763.7
申请日：2004-03-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/38
Abstract: 一种LED(10)，包括化合物半导体层(13)和碱性玻璃衬底(150)，所述化合物半导体层包括发光部分，所述碱性玻璃衬底包括至少1质量％的选自钠、钙、钡和钾的一种元素，并对所述部分的发光波长透明。所述衬底与所述半导体层固定或接合。在所述二极管(10)的制造方法中，在对所述波长不透明的半导体衬底(11)上生长所述半导体层(13)，通过阳极接合方法接合所述生长的半导体层和所述碱性玻璃衬底，去除所述不透明衬底，在所述半导体层的部分主表面上形成具有第一极性的第一欧姆电极(15)，在具有第二极性的所述半导体层上形成第二欧姆电极(16)，并用金属反射层(14)覆盖所述第一欧姆电极和所述半导体层。
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公开(公告)号：CN101379623A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200680053168.2
申请日：2006-12-22
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/05554 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种透明衬底发光二极管(10)，具有由化合物半导体制成的发光层(133)，其中其上形成有第一电极(15)和极性与所述第一电极(15)不同的第二电极(16)的光提取表面的面积(A)、形成为接近所述光提取表面的所述发光层(133)的面积(B)、以及发光二极管的位于与用于形成所述第一电极(15)和所述第二电极(16)的一侧相反的一侧上的背面的面积(C)如此相关联，以满足式A＞C＞B的关系。由于发光层(133)的面积和透明衬底的背面(23)的面积的关系以及透明衬底(14)的侧面形状的最优化，本发明的发光二极管(10)呈现迄今从未获得的高亮度和高放热特性，并且适合在高电流水平下使用。
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公开(公告)号：CN100426537C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200480009763.7
申请日：2004-03-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/38
Abstract: 一种LED(10)，包括化合物半导体层(13)和碱性玻璃衬底(150)，所述化合物半导体层包括发光部分，所述碱性玻璃衬底包括至少1质量%的选自钠、钙、钡和钾的一种元素，并对所述部分的发光波长透明。所述衬底与所述半导体层固定或接合。在所述二极管(10)的制造方法中，在对所述波长不透明的半导体衬底(11)上生长所述半导体层(13)，通过阳极接合方法接合所述生长的半导体层和所述碱性玻璃衬底，去除所述不透明衬底，在所述半导体层的部分主表面上形成具有第一极性的第一欧姆电极(15)，在具有第二极性的所述半导体层上形成第二欧姆电极(16)，并用金属反射层(14)覆盖所述第一欧姆电极和所述半导体层。
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公开(公告)号：CN101371372A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002706.X
申请日：2007-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 锅仓互
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种发光二极管(10)包括透明衬底和化合物半导体层，所述化合物半导体层包含发光部分(12)，所述发光部分(12)包含由(AlXGa1－X)YIn1－YP形成的发光层133，其中0≤X≤1且0＜Y≤1，并且所述化合物半导体层被接合到所述透明衬底(14)。其中，在所述发光二极管(10)在其主光提取表面上具有第一电极(15)和极性不同于所述第一电极的第二电极(16)，所述透明衬底具有侧面，所述侧面为第一侧面(142)和第二侧面(143)，所述第一侧面(142)邻近所述发光层基本上垂直于所述发光层的发光表面，所述第二侧面(143)远离所述发光层并相对于所述发光表面是倾斜的，并且所述第二侧面(143)被粗糙化为具有范围为0.05μm至3μm的不平整度。在所述光提取表面上具有两个电极的发光二极管表现出高光提取效率和高亮度。
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公开(公告)号：CN100413104C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200580009941.0
申请日：2005-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 提供了一种pn结化合物半导体发光器件，包括：包括由n型或p型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，而且所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其中所述层叠结构中包括n型或p型导电层，所述导电层和所述衬底接合在一起，以及所述导电层由含硼Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成。
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