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公开(公告)号：CN114300356B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111479946.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1）基片选择，2）基片清洗，3）蒸发，4）光刻，5）第一次湿法腐蚀，6）电镀，7）去胶，8）第二次湿法腐蚀，9）金属引脚的释放。本发明操作简单，使用方便，实施成本较低提高了引脚制备工艺后的线条控制精度，提高微结构制备的合格率及器件的产能，提高了企业经济效益。
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公开(公告)号：CN115747736A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211341955.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种晶圆级深腔沉积薄膜图形化的制备方法及其夹具，它包括在夹具上先设置与深腔沉积金属薄膜图形对应的通孔，而后将待加工的晶圆放入到夹具内，而后将夹具溅射设备高真空环境下，再利用磁控溅射，通过氩气轰击靶才，使其金属晶粒沉积于硅片上形成金属膜层，形成表面深腔沉积金属薄膜图形。本发明有效的提高了制备关键工艺参数的控制精度，提高工艺制备的合格率及器件的产能，且实施成本较低，达到提高企业经济效益。
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公开(公告)号：CN115692215A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211341958.8
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种铜箔片金属封盖结构的制备方法，它包括以下步骤：S1、基片选择，S2、清洗，S3、光刻，S4、电镀，S5、去胶，S6、二次电镀，S7、湿法腐蚀，S8、利用凿离机，凿离金属封盖基片，形成独立微结构器件。本发明解决Cu箔片金属封盖超小微结构工艺的稳定性问题，具有提高了金属封盖制备关键工艺参数的控制精度和微结构制备的合格率及器件的产能，且实施成本较低等优点。
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公开(公告)号：CN110531242B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910816110.8
申请日：2019-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置，其特征在于：它包括二极管夹持组件（1），在二极管夹持组件（1）一端设有对应配合的接插式手柄（2），在设置一个与二极管夹持组件（1）对应配合的二极管分离组件（3）。本发明结构简单、使用方便，在热电疲劳试验时为雪崩二极管提供了可靠的固定夹具，实现雪崩二极管的安全可靠连接，使得雪崩二极管在整个热电疲劳试验过程中保持稳定，试验完成后便于对二极管的拆取，从而提高整个试验的实验效率，并确保了试验过程的安全性、可靠性。
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公开(公告)号：CN110702332B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910793433.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种评价MEMS真空封装性能的方法，包括以下步骤：S1、在真空探针台中对未封装时的MEMS产品测量在目标封装真空度P1下的Q值，记为Q11；S2、计算MEMS产品在目标气体泄漏速率下放置10年后真空腔室的真空度P2，测量在真空度P2下的Q值，记为Q21；S3、将MEMS产品真空封装，测量MEMS产品的Q值，记为Q12；S4、对比Q11与Q12，若Q12小于80%的Q11，则MEMS真空封装未达到目标真空度；S5、将真空封装的MEMS产品进行氩气加压实验，然后测量MEMS产品的Q值，记为Q22；S6、对比Q21与Q22，若Q22小于80%的Q21，则真空封装气体泄漏速率不合格。
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公开(公告)号：CN112271135A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026812.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L29/66 , H01L29/864
Abstract: 本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
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公开(公告)号：CN110690142A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910816121.6
申请日：2019-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种芯片减薄保护方法及其装置，它包括芯片减薄保护装置，在芯片减薄保护装置内放置腐蚀液，而后将需要减薄的芯片浸入腐蚀液中进行减薄。本发明具有芯片减薄步骤简单，操作方便、芯片减薄时对芯片保护效果好等优点。
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公开(公告)号：CN114132891B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111479847.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种微光机电的制备方法，包括以下步骤：在第一SOI硅片的顶层硅上形成图形化的高反膜和顶层硅电极以及检测电极；图形化的第二SOI硅片顶层硅与高反射薄膜共同形成可动滤光结构，图形化的金属支撑柱下方与顶层硅连接；将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方，可动滤光结构中的金属支撑柱与固定滤光结构中的金属支撑柱键合形成支撑柱；取两面抛光后的标准晶圆作为盖帽层，在盖帽正面制备有金属Pad点与垂直导电引线连接；本发明的有益效果是：该制备方法兼容光学与MEMS制备工艺，可批量制造，采用该方法制备得到的微光机电系统具有集成度高、光学占空比大、静电驱动力大、易与探测器集成等优点。
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公开(公告)号：CN114300356A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111479946.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1）基片选择，2）基片清洗，3）蒸发，4）光刻，5）第一次湿法腐蚀，6）电镀，7）去胶，8）第二次湿法腐蚀，9）金属引脚的释放。本发明操作简单，使用方便，实施成本较低提高了引脚制备工艺后的线条控制精度，提高微结构制备的合格率及器件的产能，提高了企业经济效益。
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