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公开(公告)号：CN107946065B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201710948001.2
申请日：2017-10-12
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种永久磁铁的制造方法，即使在制造具有曲面、倾斜面的永久磁铁的情况下也能够使渗透材料均匀地扩散，提高顽磁力。在磁铁的圆弧状的曲面涂布包括金属粉末和助熔剂的渗透材料。接着，对炉内抽真空而使其减压到一定的压力，或者使炉内成为非活性气体气氛，使渗透材料所含的助熔剂的溶剂等液体挥发。接着，将炉内的温度设定为300℃～500℃，对渗透材料进行加热。由此，使渗透材料的助熔剂碳化，作成网眼状的细小的石墨。接着，将炉内的温度设定为500℃～800℃。由此，渗透材料的金属粉末熔化，熔化的熔融金属从石墨的网眼通过，经由曲面向磁铁内均匀地渗透扩散。
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公开(公告)号：CN107946065A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710948001.2
申请日：2017-10-12
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种永久磁铁的制造方法，即使在制造具有曲面、倾斜面的永久磁铁的情况下也能够使渗透材料均匀地扩散，提高顽磁力。在磁铁的圆弧状的曲面涂布包括金属粉末和助熔剂的渗透材料。接着，对炉内抽真空而使其减压到一定的压力，或者使炉内成为非活性气体气氛，使渗透材料所含的助熔剂的溶剂等液体挥发。接着，将炉内的温度设定为300℃～500℃，对渗透材料进行加热。由此，使渗透材料的助熔剂碳化，作成网眼状的细小的石墨。接着，将炉内的温度设定为500℃～800℃。由此，渗透材料的金属粉末熔化，熔化的熔融金属从石墨的网眼通过，经由曲面向磁铁内均匀地渗透扩散。
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公开(公告)号：CN111344844B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201880070809.8
申请日：2018-10-30
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 提供：形成钎焊接头时的背面金属与软钎料合金的剥离被抑制、且通过抑制软钎料合金的不润湿、熔融软钎料的飞散、和芯片裂缝所导致的电子部件的破损从而可靠性优异的钎焊接头；和，钎焊接头的形成方法。钎焊接头以软钎料合金接合具备背面金属的电子部件与基板。软钎料合金具备：软钎料合金层、Sn‑Sb金属间化合物相、背面金属侧金属间化合物层、基板侧金属间化合物层，所述软钎料合金层具有以质量％计Ag：2～4％、Cu：0.6～2％、Sb：9.0～12％、Ni：0.005～1％和余量由Sn组成的合金组成。在Sn‑Sb金属间化合物相与背面金属侧金属间化合物层之间、和Sn‑Sb金属间化合物相与基板侧金属间化合物层之间中的至少一者中夹设有软钎料合金层。
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公开(公告)号：CN111344844A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880070809.8
申请日：2018-10-30
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 提供：形成钎焊接头时的背面金属与软钎料合金的剥离被抑制、且通过抑制软钎料合金的不润湿、熔融软钎料的飞散、和芯片裂缝所导致的电子部件的破损从而可靠性优异的钎焊接头；和，钎焊接头的形成方法。钎焊接头以软钎料合金接合具备背面金属的电子部件与基板。软钎料合金具备：软钎料合金层、Sn-Sb金属间化合物相、背面金属侧金属间化合物层、基板侧金属间化合物层，所述软钎料合金层具有以质量％计Ag：2～4％、Cu：0.6～2％、Sb：9.0～12％、Ni：0.005～1％和余量由Sn组成的合金组成。在Sn-Sb金属间化合物相与背面金属侧金属间化合物层之间、和Sn-Sb金属间化合物相与基板侧金属间化合物层之间中的至少一者中夹设有软钎料合金层。
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公开(公告)号：CN111032912A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880049672.8
申请日：2018-07-24
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 提供：可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序：墨调制工序，将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨；涂布工序，将铜银墨涂布于被涂布构件；晶核生成工序，由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者；以及，晶核合成工序，合成铜的晶核及前述银的晶核。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108311812A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810306601.3
申请日：2015-04-02
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/26 , C22C9/00 , C22C13/02 , C22C21/00 , H01L33/52 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供一种软钎料合金，其用于使部件的下表面与金属基板钎焊接合而得到的组件，所述部件的侧面实质上不具有电极，且主体由陶瓷形成，所述软钎料合金包含以质量％计Ag：0～3％、Cu：0.3～1.2％、Sb：3～10％、余量为Sn。
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公开(公告)号：CN103501959B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280020363.0
申请日：2012-02-27
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor： H·J·阿尔布雷希特 , K·维尔克 , 菅沼克昭 , 上岛稔
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/0244 , C22C1/02 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H05K1/0263 , H05K3/3463 , Y10T403/479
Abstract: 本发明涉及焊料接头，其是用于功率器件等的、能够耐受高电流密度而不发生电迁移的焊料接头，所述焊料接头由Sn-Ag-Bi-In系合金形成。该焊料接头是利用本质上由2～4质量%的Ag、2～4质量%的Bi、2～5质量%的In、余量的Sn组成的焊料合金形成的。该焊料合金还可以含有Ni、Co和Fe中的一种以上。
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公开(公告)号：CN101801588B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN200880106791.9
申请日：2008-07-14
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: C22C13/00 , B23K35/262 , C22C13/02 , H05K3/3463
Abstract: 本发明提供可以用于车载电路的锡焊的具有优异耐热循环性或机械强度的Sn-Ag-Cu-Bi无铅焊料。包含2.8～4质量％的Ag、1.5～6质量％的Bi、0.8～1.2质量％的Cu、剩余量的Sn。
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公开(公告)号：CN103402694A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280003644.5
申请日：2012-05-10
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/26 , C22C13/00
Abstract: 本发明提供一种可获得高音质、高的试听评价的音响用焊料合金，其作为音频系统用滤波电路NW等电子电路中使用的各种电子部件连接用的接合焊料，由适当含量的6元焊料合金（Sn·Ag·Cu·Sb·In·Ni·Pb）构成。作为优选的含量的一例，Ag为1.0～1.01质量%，Cu为0.71～0.72质量%，In为0.003～0.0037质量%，Ni为0.016～0.017质量%，Pb为0.0025～0.0035质量%，剩余部分为Sn。
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公开(公告)号：CN101432095B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200780015418.8
申请日：2007-04-26
Applicant: 株式会社电装 , 千住金属工业株式会社
CPC classification number: H05K3/3478 , B23K35/262 , B23K35/40 , H01L23/492 , H01L23/49866 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29211 , H01L2224/29355 , H01L2224/29499 , H01L2224/29582 , H01L2224/29611 , H01L2224/29694 , H01L2224/29695 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/15747 , H05K2201/0215 , H05K2201/2036 , H05K2203/0415 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01049 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/13111 , H01L2224/13109 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供泡沫焊锡和电子器件。将半导体元件和基板通过焊锡接合而成的电子器件，会由于半导体元件和基板之间的间隙不适当而导致接合强度降低。因此在制造电子器件时采用在焊锡中分散高熔点金属颗粒而成的泡沫焊锡。但是在使用现有的焊锡来制造电子器件时，存在半导体元件倾斜或接合强度不足的问题。在本发明的泡沫焊锡中，当金属粒径为50μm时，高熔点金属颗粒的尺寸偏差在20μm以下，并且在高熔点金属颗粒的周围形成有高熔点金属颗粒与焊锡的主要成分构成的合金层。并且焊锡中完全没有空隙。另外，本发明的电子器件通过上述泡沫焊锡将半导体元件和基板接合而成，热循环性优良。
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