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公开(公告)号：CN112534662B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201880096225.8
申请日：2018-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐久间仁
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明的半导体激光器装置的制造方法的特征在于，具备：在InP基板之上，以具有台面条纹构造的形状，形成层叠下部包覆层、活性层以及上部包覆层而成的层叠构造；在该层叠构造之上通过溅射法形成第一绝缘膜；通过成膜温度比形成该第一绝缘膜时高的等离子体CVD法，在该第一绝缘膜之上形成比该第一绝缘膜薄的第二绝缘膜；以及在该上部包覆层之上形成第一电极，在该InP基板的背面形成第二电极。
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公开(公告)号：CN111937259A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091918.8
申请日：2018-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体光元件具有第一包层、第二包层、光限制层(2、20)，该第二包层具有形成为脊形状的脊部(20)，该光限制层(2、20)位于第一包层和第二包层之间，对光进行传播，脊部(20)从接近光限制层(2、20)的一侧起依次具有脊下部(5)、脊中间部(6)、脊上部(8)，脊中间部(6)的与光限制层(2、20)中的光传播方向即光轴垂直的剖面处的宽度是比脊下部(5)及脊上部(8)宽的宽度。
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公开(公告)号：CN106960780A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710010031.9
申请日：2017-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐久间仁
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/0202 , H01S5/0217 , H01S5/1039 , H01S5/22 , H01S5/2275 , H01S2301/176 , H01L21/02 , H01L21/78 , H01S5/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体激光元件的制造方法，该半导体激光元件的制造方法能够抑制晶片的断裂和激光棒的翘曲。其特征在于，具有：元件形成工序，在具有中央部和包围该中央部的外周部的晶片的该中央部形成多个半导体激光元件；镀敷工序，在该外周部的下表面形成具有格子状的槽的镀敷层，在该中央部的下表面不形成该镀敷层；激光棒工序，将该中央部的一部分切断而形成激光棒；以及单片化工序，将该激光棒单片化而形成半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN106129810A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610298648.0
申请日：2016-05-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐久间仁
CPC classification number: H01S5/2275 , H01S5/0201 , H01S5/2222 , H01S5/323 , H01S2301/176 , H01S5/30 , H01S5/32
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有下述效果的半导体装置的制造方法和半导体装置，即，能够形成宽度小的台面条带，而且能够防止在台面条带的左右的槽的周边使衬底裂开。具备下述工序：在半导体衬底之上形成包含有源层的台面条带、和覆盖该台面条带的半导体层的工序；在该半导体层之上形成使该台面条带的左右的该半导体层露出的掩模图案的工序；各向同性蚀刻工序，对从该掩模图案露出的该半导体层实施各向同性蚀刻，在该半导体层形成剖面形状为圆弧状的凹陷；以及各向异性蚀刻工序，在该各向同性蚀刻工序后，对从该掩模图案露出的该半导体层实施各向异性蚀刻，将蚀刻进行至该半导体衬底。
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公开(公告)号：CN101452899B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810178023.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成，并且，形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此，能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101442184A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810173377.1
申请日：2008-11-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。其目的在于在半导体装置、特别是在激光二极管的制作中使用的氮化物半导体装置中，抑制工艺的复杂化或成品率的下降、并抑制电极剥离。本发明的氮化物半导体装置具备：在表面具有脊(2)的P型半导体层(1)；至少覆盖脊(2)侧面的SiO2膜(3)；形成在SiO2膜(3)的表面的将硅作为主要成分的粘合层(4)；形成在脊(2)的上表面以及粘合层(4)的表面上的P型电极(5)。
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公开(公告)号：CN101442094A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810176804.1
申请日：2008-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0021 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本发明“氮化物半导体发光元件的制造方法”，是一种能够减小p型电极的接触电阻率的氮化物半导体发光元件的制造方法。在GaN单晶衬底(1)上形成层叠有p型GaN接触层(11)等的半导体层叠结构。在p型GaN接触层上(11)形成具有Pd层(16)和Ta层(17)的p型电极(15)。在形成了p型电极(15)后，在含氧气氛中在400℃～600℃的温度进行热处理。在热处理后，在p型电极(15)上形成含Au的平头电极(18)。
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公开(公告)号：CN115298915B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202080098451.7
申请日：2020-03-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的光半导体元件具备：基板(11)；第1脊(12)，形成于基板(11)之上，从下方开始依次具有第1第1导电型包覆层(13)、第1芯层(14)、第1第2导电型包覆层(15)、以及第1接触层(16)，并在两侧配置有第1脊沟(18)；以及第1电极(20)，在第1脊(12)之上与第1接触层(16)接触，不扩展至第1脊沟(18)，并包含第1焊锡层(21)。
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公开(公告)号：CN115298915A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202080098451.7
申请日：2020-03-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的光半导体元件具备：基板(11)；第1脊(12)，形成于基板(11)之上，从下方开始依次具有第1第1导电型包覆层(13)、第1芯层(14)、第1第2导电型包覆层(15)、以及第1接触层(16)，并在两侧配置有第1脊沟(18)；以及第1电极(20)，在第1脊(12)之上与第1接触层(16)接触，不扩展至第1脊沟(18)，并包含第1焊锡层(21)。
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公开(公告)号：CN101877456A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010143171.1
申请日：2010-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/34306 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3213
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件，本发明的半导体发光元件的制造方法能容易地扩大p侧电极与p型接触层的接触面积，进而能得到动作电压低的半导体发光元件。利用设于脊形波导上表面(46a)的悬突形状的抗蚀剂图案(91)，在脊形波导(46)的上表面(46a)上，以与绝缘膜(50)的端部形成台阶的方式形成金属膜(60)，以该金属膜(60)作为掩模，对脊形波导上表面(46a)的绝缘膜(50)进行蚀刻，由此，能不设置新的掩模工序而扩大设于绝缘膜(50)的开口部(50a)的开口宽度，能增大p侧电极(70)与p型接触层(45)的接触面积。
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