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公开(公告)号：CN119403173A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202410547819.3
申请日：2024-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括下图案。沟道隔离结构和场绝缘层接触下图案。栅极结构在下图案上，与沟道隔离结构接触。沟道图案在下图案上，并且包括片图案，每个片图案与沟道隔离结构接触。源极/漏极图案接触沟道图案和沟道隔离结构。沟道隔离结构包括接触栅极结构的第一区域和接触源极/漏极图案的第二区域。沟道隔离结构的第二区域包括其宽度随着距场绝缘层的底表面的距离增大而增大的部分。沟道隔离结构的最上部分的宽度大于沟道隔离结构的最下部分的宽度。
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公开(公告)号：CN119730366A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410797263.3
申请日：2024-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了集成电路器件。所述集成电路器件包括：第一鳍和第二鳍，在基底的第一区域上在第一水平方向上延伸；第三鳍和第四鳍，在基底的第二区域上在第一水平方向上延伸；连接栅极线，至少部分地围绕第一沟道区域和第二沟道区域；以及分离栅极线，包括第一分离部分和第二分离部分，第一分离部分至少部分地围绕第三沟道区域，第二分离部分至少部分地围绕第四沟道区域，其中，分离栅极线的顶表面的最上部分在第一竖直高度处，并且连接栅极线的顶表面的最上部分在比第一竖直高度高的第二竖直高度处。
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公开(公告)号：CN117995889A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202310667286.8
申请日：2023-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：有源区域，从基底的上表面突出并且与基底的上表面平行地延伸；元件隔离区域，形成在基底上并且在有源区域周围；沟道，形成在有源区域的上表面上；栅极结构，围绕沟道的至少两个表面；间隔件，形成在栅极结构的两个侧壁上；以及源极/漏极层，与沟道的在两个侧壁接触并且通过间隔件与栅极结构绝缘。栅极结构在剖面中包括第一部分和在第一部分下方的第二部分，第一部分在第一方向上的宽度从栅极结构的上部朝向更靠近基底的下部增大，第二部分在第一方向上的宽度保持相同或减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109560037B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201810710445.7
申请日：2018-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种包括器件隔离区的半导体器件。所述半导体器件包括设置在衬底上的第一有源区以及位于所述有源区之间的隔离区。所述隔离区包括由第一绝缘材料形成的第一部分及由第二绝缘材料形成的第二部分，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的特性不同的特性。所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一有源区。所述第二部分具有高度与所述第一部分的底表面的高度不同的底表面。
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公开(公告)号：CN118693090A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410311132.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底；有源区域，从基底的上表面突出并且沿第一水平方向延伸；多个纳米片堆叠件，在有源区域上；多条栅极线，在有源区域上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸，并且围绕所述多个纳米片堆叠件；以及第一绝缘图案，在有源区域上在所述多个纳米片堆叠件之中的在第一水平方向上邻近的两个纳米片堆叠件之间，并且沿与第一水平方向和第二水平方向垂直的垂直方向延伸，其中，第一绝缘图案与所述多个纳米片堆叠件接触。
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公开(公告)号：CN117936580A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311350373.7
申请日：2023-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个沟道层，在有源图案上在竖直方向上彼此间隔开，并且包括下沟道层和上沟道层；中间绝缘层，在最上面的下沟道层与最下面的上沟道层之间；栅极结构，与有源图案相交，围绕多个沟道层，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；下源/漏区，在栅极结构的第一侧上并且连接到下沟道层；阻挡结构，在栅极结构的第二侧上并且连接到下沟道层；以及上源/漏区，在栅极结构的至少一侧上。
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公开(公告)号：CN117276276A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310700153.6
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了半导体装置，其包括：第一有源区域和第二有源区域，在基底上并在第一方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，分别在第一有源区域和第二有源区域上，第一栅极结构和第二栅极结构在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，分别在第一有源区域和第二有源区域上并与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；第一接触插塞和第二接触插塞，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上并分别连接到第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；以及垂直掩埋结构，在第一栅极结构与第二栅极结构之间并在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。垂直掩埋结构包括与第一接触插塞接触的第一侧表面。
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公开(公告)号：CN109560037A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810710445.7
申请日：2018-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种包括器件隔离区的半导体器件。所述半导体器件包括设置在衬底上的第一有源区以及位于所述有源区之间的隔离区。所述隔离区包括由第一绝缘材料形成的第一部分及由第二绝缘材料形成的第二部分，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的特性不同的特性。所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一有源区。所述第二部分具有高度与所述第一部分的底表面的高度不同的底表面。
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