公开(公告)号：CN117995889A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202310667286.8

申请日：2023-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明一 ,  黄寅灿 ,  黄东勳 ,  金庚浩 ,  张成宇 ,  赵敬熙

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：有源区域，从基底的上表面突出并且与基底的上表面平行地延伸；元件隔离区域，形成在基底上并且在有源区域周围；沟道，形成在有源区域的上表面上；栅极结构，围绕沟道的至少两个表面；间隔件，形成在栅极结构的两个侧壁上；以及源极/漏极层，与沟道的在两个侧壁接触并且通过间隔件与栅极结构绝缘。栅极结构在剖面中包括第一部分和在第一部分下方的第二部分，第一部分在第一方向上的宽度从栅极结构的上部朝向更靠近基底的下部增大，第二部分在第一方向上的宽度保持相同或减小。