公开(公告)号：CN104347717B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201410372950.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  金哲 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  金明哲 ,  姜甫京 ,  尹普彦 ,  崔在光 ,  崔时荣 ,  郑锡勋 ,  成金重 ,  郑熙暾 ,  崔容准 ,  韩智恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。

公开(公告)号：CN105914206B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610098348.8

申请日：2016-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  李润锡 ,  金炫助 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  朴世玩 ,  郑宝哲

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：具有不同导电类型的沟道区的第一和第二鳍型有源区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁。第一器件隔离层和第二器件隔离层具有不同的堆叠结构。为了制造该集成电路器件，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁的第一器件隔离层和覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁的第二器件隔离层在形成第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之后形成。第一器件隔离层和第二器件隔离层形成为具有不同的堆叠结构。

公开(公告)号：CN106024715A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610177408.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  尹钟植 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  柳齐民 ,  车圭晚 ,  尹钟密 ,  金炫助

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8244

Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN104347717A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410372950.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  金哲 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  金明哲 ,  姜甫京 ,  尹普彦 ,  崔在光 ,  崔时荣 ,  郑锡勋 ,  成金重 ,  郑熙暾 ,  崔容准 ,  韩智恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2229/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。

公开(公告)号：CN106298776A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610371338.7

申请日：2016-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金炫助 ,  朴性律 ,  朴世玩 ,  尹钟密 ,  李廷骁 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  河智龙

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。

公开(公告)号：CN105679673A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510736185.7

申请日：2015-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  姜熙秀 ,  郑熙暾 ,  朴世玩

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一多沟道有源图案；场绝缘层，设置在第一多沟道有源图案上并且包括第一区域和第二区域，第一区域具有从第二区域的顶表面向第一多沟道有源图案的顶表面突出的顶表面；第一栅电极，穿过第一多沟道有源图案，第一栅电极设置在场绝缘层上；第一源极或漏极，设置在第一栅电极和场绝缘层的第一区域之间，并且包括第一刻面，第一刻面被设置为在比第一多沟道有源图案的顶表面低的点处与场绝缘层的第一区域相邻。

公开(公告)号：CN104425493A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410058492.X

申请日：2014-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪秀宪 ,  姜熙秀 ,  金炫助 ,  沈相必 ,  郑熙暾

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。

公开(公告)号：CN106298776B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201610371338.7

申请日：2016-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金炫助 ,  朴性律 ,  朴世玩 ,  尹钟密 ,  李廷骁 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  河智龙

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。

公开(公告)号：CN106024715B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201610177408.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  尹钟植 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  柳齐民 ,  车圭晚 ,  尹钟密 ,  金炫助

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8244

Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN105679673B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201510736185.7

申请日：2015-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  姜熙秀 ,  郑熙暾 ,  朴世玩

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一多沟道有源图案；场绝缘层，设置在第一多沟道有源图案上并且包括第一区域和第二区域，第一区域具有从第二区域的顶表面向第一多沟道有源图案的顶表面突出的顶表面；第一栅电极，穿过第一多沟道有源图案，第一栅电极设置在场绝缘层上；第一源极或漏极，设置在第一栅电极和场绝缘层的第一区域之间，并且包括第一刻面，第一刻面被设置为在比第一多沟道有源图案的顶表面低的点处与场绝缘层的第一区域相邻。