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公开(公告)号：CN103839890B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201310585778.9
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 公开了包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法可以包括在有源区中形成包含磷的快刻蚀区、以及通过使快刻蚀区凹进来在有源区中形成第一沟槽。该方法还可以包括通过使用定向刻蚀处理扩大第一沟槽来在有源区中形成第二沟槽、以及在第二沟槽中形成应力源。第二沟槽可以包括有源区的凹口部分。
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公开(公告)号：CN107644807A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710831804.X
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/11 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/45 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/10 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/28247 , H01L21/30604 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/088 , H01L27/1116 , H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/45 , H01L29/513 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7827 , H01L29/7833 , H01L29/7834 , H01L29/7845 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/78696
Abstract: 提供了一种半导体装置和电子装置。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。
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公开(公告)号：CN102157380A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010623025.9
申请日：2010-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/306 , H01L29/04 , H01L29/78 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/30608 , H01L21/3086 , H01L21/823814 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7848 , Y10S438/938
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括在半导体基底上形成栅电极并在所述栅电极上形成侧壁间隔件。然后，部分地蚀刻位于所述侧壁间隔件的两侧的所述半导体基底的一部分，以形成沟槽。在所述沟槽中形成SiGe混合的晶体层。在所述SiGe混合的晶体层上形成硅层。根据所述硅层的面的晶向，使用具有不同蚀刻速率的蚀刻溶液部分地蚀刻所述硅层的一部分，从而形成包括具有(111)倾斜面的硅面的覆盖层。
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公开(公告)号：CN110993637A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910839913.5
申请日：2019-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。所述可变电阻存储器件包括布置在衬底上的存储单元和位于存储单元之间的绝缘结构。每个所述存储单元包括竖直堆叠在所述衬底上的可变电阻图案和开关图案。所述绝缘结构包括位于所述存储单元之间的第一绝缘图案以及位于第一绝缘图案与每个所述存储单元之间的第二绝缘图案。所述第一绝缘图案包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。
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公开(公告)号：CN110610855A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910171174.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法可以包括在基底的核心-外围区域上形成栅极结构。基底还可以包括单元区域。所述方法还可以包括在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件；通过执行第一离子注入工艺在基底的核心-外围区域中形成与栅极间隔件相邻的第一杂质区域；去除栅极间隔件；通过执行第二离子注入工艺在基底的核心-外围区域中并且在栅极结构和第一杂质区域之间形成第二杂质区域；在栅极结构、第一杂质区域的上表面和第二杂质区域的上表面上形成应力膜；通过由于执行退火工艺使第一杂质区域和第二杂质区域结晶来形成再结晶区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103456770A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310219256.7
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/28247 , H01L21/30604 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/088 , H01L27/1116 , H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/45 , H01L29/513 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7827 , H01L29/7833 , H01L29/7834 , H01L29/7845 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/78696
Abstract: 提供了一种具有嵌入式应变诱导图案的半导体装置及其形成方法。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。
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公开(公告)号：CN114678416A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210319629.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括形成有单元区域的第一区域和形成有核心‑外围区域的第二区域；栅极堆叠件，位于基底的第二区域上，栅极堆叠件包括包含氧化物的第一栅极绝缘膜、位于第一栅极绝缘膜上的包括铪的第二栅极绝缘膜、位于第二栅极绝缘膜上的包括镧和氮化钛的第一电极、位于第一电极上的第二电极；栅极堆叠绝缘膜，接触栅极堆叠件的侧表面和顶表面；杂质区域，具有设置在基底的第二区域中位于栅极堆叠件的至少一侧上的堆垛层错；氮化硅膜，覆盖杂质区域的上表面，氮化硅膜与栅极堆叠绝缘膜接触；以及接触件，穿过氮化硅膜延伸至杂质区域。
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公开(公告)号：CN107039507A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611034830.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L21/823431 , H01L23/485 , H01L23/5283 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/41791 , H01L29/456 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/78 , H01L29/41725 , H01L29/42316
Abstract: 一种半导体器件可以包括第一有源鳍、多个第二有源鳍、第一源/漏极层结构以及第二源/漏极层结构。第一有源鳍可以在基板的第一区域上。第二有源鳍可以在基板的第二区域上。第一栅结构和第二栅结构可以分别在第一有源鳍和第二有源鳍上。第一源/漏极层结构可以在第一有源鳍的与第一栅结构相邻的部分上。第二源/漏极层结构可以共同地接触第二有源鳍的邻近于第二栅结构的上表面，第二源/漏极层结构的顶表面可以比第一源/漏极层状结构的顶表面到基板的表面更远离基板的表面。
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公开(公告)号：CN103839944A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310585436.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7836
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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公开(公告)号：CN103839890A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310585778.9
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/02636 , H01L21/30604 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823864 , H01L27/088 , H01L29/045 , H01L29/0603 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7834
Abstract: 公开了包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法可以包括在有源区中形成包含磷的快刻蚀区、以及通过使快刻蚀区凹进来在有源区中形成第一沟槽。该方法还可以包括通过使用定向刻蚀处理扩大第一沟槽来在有源区中形成第二沟槽、以及在第二沟槽中形成应力源。第二沟槽可以包括有源区的凹口部分。
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