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公开(公告)号：CN119255611A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410874510.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供竖直NAND闪存器件和包括其的电子设备。竖直NAND闪存器件包括多个单元阵列。所述多个单元阵列各自包括沟道层、设置在沟道层上的电荷俘获层和设置在电荷俘获层上的多个栅电极。所述电荷俘获层包括基体和分散在所述基体中并包括具有半导体特性的氮化物的纳米晶体，所述基体包括非晶金属氧氮化物。
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公开(公告)号：CN106169502A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610149522.7
申请日：2016-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/28512 , H01L29/04 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/1606 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。
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公开(公告)号：CN114792692A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210086999.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11575 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 提供了一种垂直NAND闪存器件和制造其的方法。该垂直NAND闪存器件包括在垂直地形成在衬底上的沟道孔的内壁上布置的电荷陷阱层。电荷陷阱层包括分布在基底中的纳米结构。纳米结构可以包括具有约1×1019cm‑3至约10×1019cm‑3的陷阱密度的材料，基底可以包括相对于在纳米结构中包括的材料具有约0.5eV至约3.5eV的导带偏移(CBO)的材料。
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公开(公告)号：CN113410304A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110280227.6
申请日：2021-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L27/092
Abstract: 示例实施方式提供了垂直型晶体管、包括其的反相器和包括其的垂直型半导体器件。垂直型晶体管包括：基板；提供在基板上的第一源/漏电极层；第二源/漏电极层，提供在第一源/漏电极层之上；第一栅电极层，提供在第一源/漏电极层和第二源/漏电极层之间；穿过第一栅电极层的第一栅绝缘膜；孔，穿过第二源/漏电极层、第一栅绝缘膜和第一源/漏电极层；以及提供在该孔的侧面上的第一沟道层，其中第一沟道层可以包括2D半导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104659096B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201410433124.9
申请日：2014-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。
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公开(公告)号：CN109324474A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810722896.2
申请日：2018-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F1/62 , G03F1/64 , G03F7/0035
Abstract: 公开配置成保护光掩模的表膜、包括该表膜的掩模版、和制造该表膜的方法。所述表膜配置成保护光掩模免受外部污染物并且可包括金属催化剂层和在所述金属催化剂层上的包括2D材料的表膜膜片，其中所述金属催化剂层支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述金属催化剂层可在基底上，使得所述基底和所述金属催化剂层共同支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述表膜可基于如下形成：在所述金属催化剂层生长所述2D材料和蚀刻支撑所形成的表膜膜片的中央区域的所述金属催化剂层的内部区域。
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公开(公告)号：CN108572512A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201711188432.X
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70983 , G03F1/22 , G03F1/62 , G03F1/64 , G03F7/70283 , G03F7/7095 , G03F7/70958 , G03F7/0035
Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片和钝化部件。所述表膜膜片可包括具有缺陷的基于碳的材料。所述钝化部件可覆盖所述基于碳的材料的缺陷。所述钝化部件可包括无机材料。所述钝化部件可设置在所述表膜膜片的一个或两个表面上。所述用于光掩模的表膜可应用于极紫外(EUV)光刻。
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公开(公告)号：CN107768517A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710362544.6
申请日：2017-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1641 , H01L45/04
Abstract: 公开包括二维材料的相变存储器件、操作其的方法和相变层。所述相变存储器件可包括包含二维(2D)材料的相变层。所述相变层可包括包含一个或多个2D材料层的层状结构。所述相变层可提供在第一电极和第二电极之间，并且所述2D材料层的一个或多个的至少一部分的相可基于通过所述第一电极和所述第二电极施加到所述相变层的电信号而改变。所述2D材料可包括基于硫属化物的材料或磷烯。所述2D材料可具有大于或等于约200℃且低于或等于约500℃的相变温度。
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公开(公告)号：CN119835966A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411422411.X
申请日：2024-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件及包括该半导体器件的存储设备和电子设备。该半导体器件可以包括栅极电极、在栅极电极上的铁电层、在铁电层上的沟道层以及在铁电层中彼此间隔开的多个纳米结构。所述多个纳米结构可以与栅极电极或者沟道层相邻，或者所述多个纳米结构中的一部分可以与栅极电极相邻且所述多个纳米结构中的其余部分可以与沟道层相邻。
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