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公开(公告)号：CN114792692A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210086999.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11575 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 提供了一种垂直NAND闪存器件和制造其的方法。该垂直NAND闪存器件包括在垂直地形成在衬底上的沟道孔的内壁上布置的电荷陷阱层。电荷陷阱层包括分布在基底中的纳米结构。纳米结构可以包括具有约1×1019cm‑3至约10×1019cm‑3的陷阱密度的材料，基底可以包括相对于在纳米结构中包括的材料具有约0.5eV至约3.5eV的导带偏移(CBO)的材料。
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