公开(公告)号：CN118301939A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311128821.9

申请日：2023-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄昇潭 ,  金庆勳 ,  金宣浩 ,  金贤庆 ,  朴洸珉 ,  杨承烈 ,  延国贤 ,  李珉贤 ,  崔硕训 ,  许浩硕

IPC: H10B43/35

Abstract: 公开了垂直NAND闪存装置。所述垂直NAND闪存装置包括多个单元阵列，其中，所述多个单元阵列的每个单元阵列包括：沟道层；电荷捕获层，设置在沟道层上，电荷捕获层包括基体和电荷捕获材料，基体包括电介质，电荷捕获材料在基体中并且包括反铁电纳米晶体或铁电纳米晶体；以及多个栅电极，设置在电荷捕获层上。

公开(公告)号：CN119255611A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410874510.5

申请日：2024-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许浩硕 ,  金庆勋 ,  金宣浩 ,  金贤庆 ,  李珉贤 ,  崔硕训 ,  玄昇潭

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/20

Abstract: 提供竖直NAND闪存器件和包括其的电子设备。竖直NAND闪存器件包括多个单元阵列。所述多个单元阵列各自包括沟道层、设置在沟道层上的电荷俘获层和设置在电荷俘获层上的多个栅电极。所述电荷俘获层包括基体和分散在所述基体中并包括具有半导体特性的氮化物的纳米晶体，所述基体包括非晶金属氧氮化物。

公开(公告)号：CN118301938A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311304446.9

申请日：2023-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许浩硕 ,  金贤庆 ,  玄昇潭 ,  金庆勳 ,  杨承烈 ,  延国贤 ,  李珉贤 ,  崔硕训

IPC: H10B43/30 ,  G11C13/00

Abstract: 提供了一种垂直非易失性存储器装置。垂直非易失性存储器装置包括柱、围绕柱的侧表面的沟道层、围绕沟道层的侧表面的电荷隧穿层、围绕电荷隧穿层的侧表面并包括非晶氮氧化物的电荷捕获层、围绕电荷捕获层的侧表面的电荷阻挡层以及围绕电荷阻挡层的侧表面并沿电荷阻挡层的侧表面交替布置的多个分离层和多个栅电极。

公开(公告)号：CN118251013A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202310897367.7

申请日：2023-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆勳 ,  金宣浩 ,  金世润 ,  金贤庆 ,  杨承烈 ,  延国贤 ,  李珉贤 ,  崔硕训 ,  许浩硕

IPC: H10B43/35

Abstract: 提供了垂直NAND闪存装置。所述垂直NAND闪存装置可包括：多个单元阵列。所述多个单元阵列中的每个可包括：沟道层；电荷捕获层，在沟道层上；以及多个栅电极，在电荷捕获层上。电荷捕获层可包括包含金属的氮氧化硅。金属可包括Ga和In中的至少一者。