公开(公告)号：CN118693021A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410114445.6

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/31

Abstract: 半导体封装可以包括：半导体芯片；虚设半导体芯片，在半导体芯片上；以及接合绝缘层，在半导体芯片和虚设半导体芯片之间。接合绝缘层可以将半导体芯片附接到虚设半导体芯片。虚设半导体芯片可以包括从入口延伸到出口的冷却沟道。入口可以通过冷却沟道与出口流体连通。入口可以被配置为允许冷却流体流入。出口可以被配置为允许冷却流体流出。接合绝缘层的顶表面可以具有凹凸形状。

公开(公告)号：CN103383927A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310159530.6

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇 ,  李锡贤

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 发明构思提供了半导体封装及其形成方法。该半导体封装包括覆盖半导体芯片的至少一个侧壁的缓冲层。缓冲层被模制层覆盖。因此，可改善半导体封装的可靠性。

公开(公告)号：CN114156241A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202110534715.5

申请日：2021-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇 ,  李种昊 ,  高永权

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/18

Abstract: 提供了半导体封装件和用于制造半导体封装件的方法。该方法包括：在半导体芯片的侧表面上形成模制构件；使用粘合剂将载体基板附接到模制构件和半导体芯片的上表面；使用具有第一刀片宽度的第一刀片切掉载体基板的选定部分和粘合剂的位于载体基板的选定部分下面的部分，并使用第一刀片部分地切入到模制构件的上表面中以形成第一切割槽，其中载体基板的选定部分设置在模制构件的位于相邻的半导体芯片之间的部分上方；使用具有比第一刀片宽度窄的第二刀片宽度的第二刀片切穿模制构件的下表面以形成第二切割槽，其中第一切割槽和第二切割槽的组合将均包括由载体基板的切割部分支撑的半导体芯片的封装结构分隔开；将封装结构接合到封装基板的上表面。

公开(公告)号：CN107527900A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710310125.8

申请日：2017-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐光仙 ,  姜明成 ,  金沅槿 ,  朴辰遇 ,  崔容元

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/3303

Abstract: 一种半导体封装包括衬底、堆叠在衬底上的多个半导体芯片以及接合到所述多个半导体芯片的下表面的多个接合层。所述多个接合层可以被分成根据到衬底的距离而各自具有不同物理性质的多个组。

公开(公告)号：CN119965165A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411581386.X

申请日：2024-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在冏 ,  朴辰遇 ,  高炅焕 ,  金佑泂 ,  金泰陇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括第一衬底、在第一衬底的上表面上的第一半导体芯片、第一衬底和第一半导体芯片之间的第一凸块、填充第一衬底和第一半导体芯片之间的空间的中心部分的第一底部填充层、以及覆盖第一半导体芯片的上表面和侧表面并填充第一衬底与第一半导体芯片之间的空间的外围部分的第一模制构件，其中，在第一衬底和第一半导体芯片之间的空间中由第一模制构件占据的体积大于在第一衬底和第一半导体芯片之间的空间中由第一底部填充层占据的体积。

公开(公告)号：CN110875301A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910796548.4

申请日：2019-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪志硕 ,  朴辰遇

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98

Abstract: 本发明可提供一种半导体封装件，包含：第一器件层，包含第一半导体器件、第一覆盖绝缘层以及穿过第一器件层的至少一部分的第一贯穿电极；第二器件层，包含第二半导体器件、第二覆盖绝缘层以及穿过第二器件层的至少一部分的第二贯穿电极，第二半导体器件分别与第一半导体器件垂直交叠，第二覆盖绝缘层与第一覆盖绝缘层接触；第三器件层，包含上部半导体芯片，所述上部半导体芯片与第一半导体器件中的至少两个以及第二半导体器件中的至少两个二者都垂直交叠；以及器件接合焊盘，穿过第一覆盖绝缘层及第二覆盖绝缘层，器件接合焊盘将第一贯穿电极及第二贯穿电极电性连接到上部半导体芯片。

公开(公告)号：CN103165505B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210530236.7

申请日：2012-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇 ,  宋昊建 ,  李锡贤

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L23/055 ,  H01L23/057 ,  H01L23/08 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4926 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了制造扇出晶片级封装的方法以及由该方法形成的封装。该扇出晶片级封装包括：至少两个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或外部端子，在绝缘层上。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。再分布线图案可以电连接到该至少两个半导体芯片。外部端子可以电连接到再分布线图案。扇出晶片级封装可以包括：至少三个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或在绝缘层上的外部端子。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。

公开(公告)号：CN102194768B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110065917.6

申请日：2011-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇 ,  林桓植 ,  安殷彻

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/48 ,  H01L23/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种基底、一种封装基底、一种具有该封装基底的半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。半导体封装件包括半导体芯片、封装基底和模制层。封装基底提供安装半导体芯片的区域。模制层被构造成模制半导体芯片。封装基底包括第一开口部，第一开口部提供电连接到半导体芯片的开口区域并延伸超过半导体芯片的侧面以电连接到半导体芯片。

公开(公告)号：CN102194768A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110065917.6

申请日：2011-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇 ,  林桓植 ,  安殷彻

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/48 ,  H01L23/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种基底、一种封装基底、一种具有该封装基底的半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。半导体封装件包括半导体芯片、封装基底和模制层。封装基底提供安装半导体芯片的区域。模制层被构造成模制半导体芯片。封装基底包括第一开口部，第一开口部提供电连接到半导体芯片的开口区域并延伸超过半导体芯片的侧面以电连接到半导体芯片。

公开(公告)号：CN102034780A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010502594.8

申请日：2010-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇 ,  安殷彻 ,  申东吉 ,  姜善远 ,  李种昊

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种集成电路芯片、具有该芯片的倒装芯片封装和其制造方法。在集成电路(IC)芯片、具有该芯片的倒装芯片封装中，没有设置引线线路，第一电极焊盘不接触IC芯片的焊盘区域的引线线路。因此，第一凸块结构接触第一电极焊盘而不管焊盘区域中的引线线路如何。第二电极焊盘接触IC芯片的伪焊盘区域中的引线线路。因此，伪焊盘区域中的第二凸块结构在与第二电极焊盘下面的引线线路隔开的接触点接触第二电极焊盘的上表面。