公开(公告)号：CN119965165A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411581386.X

申请日：2024-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在冏 ,  朴辰遇 ,  高炅焕 ,  金佑泂 ,  金泰陇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括第一衬底、在第一衬底的上表面上的第一半导体芯片、第一衬底和第一半导体芯片之间的第一凸块、填充第一衬底和第一半导体芯片之间的空间的中心部分的第一底部填充层、以及覆盖第一半导体芯片的上表面和侧表面并填充第一衬底与第一半导体芯片之间的空间的外围部分的第一模制构件，其中，在第一衬底和第一半导体芯片之间的空间中由第一模制构件占据的体积大于在第一衬底和第一半导体芯片之间的空间中由第一底部填充层占据的体积。

公开(公告)号：CN110943040A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910874790.9

申请日：2019-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田昌成 ,  申承勋 ,  柳在冏 ,  李泽勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割衬底的方法和用于形成半导体芯片的分离方法。所述衬底包括器件区域和划片道区域。所述切割衬底的方法包括：选择性地在所述衬底的所述器件区域中形成钝化层；选择性地在所述钝化层上形成自组装单层；以及在所述划片道区域中执行等离子体切割。

公开(公告)号：CN110943040B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201910874790.9

申请日：2019-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田昌成 ,  申承勋 ,  柳在冏 ,  李泽勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割衬底的方法和用于形成半导体芯片的分离方法。所述衬底包括器件区域和划片道区域。所述切割衬底的方法包括：选择性地在所述衬底的所述器件区域中形成钝化层；选择性地在所述钝化层上形成自组装单层；以及在所述划片道区域中执行等离子体切割。

公开(公告)号：CN112289767A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010226239.6

申请日：2020-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在冏 ,  李在银 ,  高永权 ,  李泽勳

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括半导体芯片和下重新分布结构，半导体芯片包括芯片垫，下重新分布结构包括下重新分布绝缘层和下重新分布图案。下重新分布绝缘层可以包括面对半导体芯片的顶表面。半导体封装件还可以包括模塑层和位于模塑层中的导电柱，模塑层位于半导体芯片的侧面上并且包括面对下重新分布结构的底表面。导电柱可以包括接触下重新分布结构的底表面。下重新分布绝缘层的顶表面离导电柱的顶表面可以比模塑层的顶表面近。模塑层的顶表面的粗糙度可以大于导电柱的顶表面的粗糙度。