公开(公告)号：CN115692378A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210835458.3

申请日：2022-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铣浩 ,  姜明成

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/18 ,  H01L25/04 ,  H01L23/482

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片；顺序堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片；在每个第二半导体芯片的下表面上的前连接焊盘；附接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个的上表面的后连接焊盘；在前连接焊盘和后连接焊盘之间的芯片连接端子；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之一之间以及在第二半导体芯片中的相邻的第二半导体芯片之间的支撑结构，该支撑结构与前连接焊盘、后连接焊盘和芯片连接端子间隔开，具有比芯片连接端子的垂直高度大的垂直高度，以及包括金属。

公开(公告)号：CN112701100A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202010640793.9

申请日：2020-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪志硕 ,  姜芸炳 ,  姜明成 ,  金泰勋 ,  朴相天 ,  李赫宰 ,  黄智焕

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/544 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

Abstract: 根据本发明构思的一方面，提供了一种晶片至晶圆结合结构，其包括晶片，该晶片具有第一测试焊盘、形成在第一测试焊盘上的第一结合焊盘以及第一绝缘层，第一结合焊盘穿透第一绝缘层。该结构还可包括晶圆，该晶圆具有第二测试焊盘、形成在第二测试焊盘上的第二结合焊盘以及第二绝缘层，第二结合焊盘穿透第二绝缘层。该结构还可包括围绕第一结合焊盘的所有侧表面和第二结合焊盘的所有侧表面的聚合物层，该聚合物层布置在晶片和晶圆之间。此外，晶圆和晶片可被结合在一起。

公开(公告)号：CN107527900A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710310125.8

申请日：2017-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐光仙 ,  姜明成 ,  金沅槿 ,  朴辰遇 ,  崔容元

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/3303

Abstract: 一种半导体封装包括衬底、堆叠在衬底上的多个半导体芯片以及接合到所述多个半导体芯片的下表面的多个接合层。所述多个接合层可以被分成根据到衬底的距离而各自具有不同物理性质的多个组。

公开(公告)号：CN107527885B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201710416609.0

申请日：2017-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元基 ,  李东沅 ,  姜明成 ,  刘惠仁

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在封装衬底上堆叠第一半导体芯片。第一半导体芯片中的每一个包括第一粘合膜。所述方法包括在第一半导体芯片上分别堆叠第二半导体芯片。第二半导体芯片中的每一个包括第二粘合膜。所述方法包括挤压第一粘合膜及第二粘合膜以形成粘合结构。粘合结构包括设置在第一半导体芯片的侧壁上及第二半导体芯片的侧壁上的延伸部。所述方法包括移除延伸部。所述方法包括形成实质上覆盖第一半导体芯片及第二半导体芯片的第一模制层。所述方法包括对第一半导体芯片之间与第二半导体芯片之间的封装衬底执行切割工艺，以形成多个半导体封装。所述制造半导体装置的方法可有效地移除覆盖半导体芯片的粘合结构的延伸部。

公开(公告)号：CN110854028A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910752106.X

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈华日 ,  崔容元 ,  姜明成 ,  金永锡 ,  金沅槿

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种倒装芯片接合方法，包括：获得裸片，其包括第一衬底和位于第一衬底上的粘合层；将裸片接合至不同于第一衬底的第二衬底；以及，固化粘合层。固化粘合层包括：加热第二衬底以熔化粘合层，以及向粘合层和第二衬底提供压强大于大气压强的空气。

公开(公告)号：CN118116880A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311607595.2

申请日：2023-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明成 ,  高炅焕 ,  朴辰遇 ,  李忠善 ,  陈贤骏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/13 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

Abstract: 提供了半导体封装和制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括：第一封装基板，包括第一区域；第一半导体芯片，安装在第一区域上；第二封装基板，设置在第一半导体芯片的上表面上，并且包括第二区域和贯穿第二区域的第一孔；第二半导体芯片，安装在第二区域上；连接构件，将第一封装基板和第二封装基板电连接，并且在第一封装基板和第二封装基板之间；以及模塑膜，覆盖第二封装基板上的第二半导体芯片，填充第一孔，并且覆盖第一封装基板上的第一半导体芯片和连接构件。

公开(公告)号：CN107591387B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN201710266026.4

申请日：2017-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔容元 ,  金沅槿 ,  姜明成 ,  徐光仙

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 公开了一种半导体封装件和形成该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，包括第一硅通孔(TSV)；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上，并且包括第二TSV；非导电膜，形成在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。非导电膜包括具有不同粘度的两层。

公开(公告)号：CN107591387A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710266026.4

申请日：2017-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔容元 ,  金沅槿 ,  姜明成 ,  徐光仙

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589

Abstract: 公开了一种半导体封装件和形成该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，包括第一硅通孔(TSV)；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上，并且包括第二TSV；非导电膜，形成在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。非导电膜包括具有不同粘度的两层。

公开(公告)号：CN103700633B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201310452241.5

申请日：2013-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明成 ,  高廷旼 ,  朴商植 ,  金沅槿 ,  洪志硕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1017 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上。第一底填充层位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间。在一些实施例中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。

公开(公告)号：CN110854028B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN201910752106.X

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈华日 ,  崔容元 ,  姜明成 ,  金永锡 ,  金沅槿

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种倒装芯片接合方法，包括：获得裸片，其包括第一衬底和位于第一衬底上的粘合层；将裸片接合至不同于第一衬底的第二衬底；以及，固化粘合层。固化粘合层包括：加热第二衬底以熔化粘合层，以及向粘合层和第二衬底提供压强大于大气压强的空气。