公开(公告)号：CN107527885B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201710416609.0

申请日：2017-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元基 ,  李东沅 ,  姜明成 ,  刘惠仁

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在封装衬底上堆叠第一半导体芯片。第一半导体芯片中的每一个包括第一粘合膜。所述方法包括在第一半导体芯片上分别堆叠第二半导体芯片。第二半导体芯片中的每一个包括第二粘合膜。所述方法包括挤压第一粘合膜及第二粘合膜以形成粘合结构。粘合结构包括设置在第一半导体芯片的侧壁上及第二半导体芯片的侧壁上的延伸部。所述方法包括移除延伸部。所述方法包括形成实质上覆盖第一半导体芯片及第二半导体芯片的第一模制层。所述方法包括对第一半导体芯片之间与第二半导体芯片之间的封装衬底执行切割工艺，以形成多个半导体封装。所述制造半导体装置的方法可有效地移除覆盖半导体芯片的粘合结构的延伸部。

公开(公告)号：CN107527885A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710416609.0

申请日：2017-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元基 ,  李东沅 ,  姜明成 ,  刘惠仁

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在封装衬底上堆叠第一半导体芯片。第一半导体芯片中的每一个包括第一粘合膜。所述方法包括在第一半导体芯片上分别堆叠第二半导体芯片。第二半导体芯片中的每一个包括第二粘合膜。所述方法包括挤压第一粘合膜及第二粘合膜以形成粘合结构。粘合结构包括设置在第一半导体芯片的侧壁上及第二半导体芯片的侧壁上的延伸部。所述方法包括移除延伸部。所述方法包括形成实质上覆盖第一半导体芯片及第二半导体芯片的第一模制层。所述方法包括对第一半导体芯片之间与第二半导体芯片之间的封装衬底执行切割工艺，以形成多个半导体封装。所述制造半导体装置的方法可有效地移除覆盖半导体芯片的粘合结构的延伸部。