公开(公告)号：CN111223823B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201911138779.2

申请日：2019-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 明俊佑 ,  李在杰 ,  李铣浩

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

公开(公告)号：CN115692378A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210835458.3

申请日：2022-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铣浩 ,  姜明成

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/18 ,  H01L25/04 ,  H01L23/482

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片；顺序堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片；在每个第二半导体芯片的下表面上的前连接焊盘；附接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个的上表面的后连接焊盘；在前连接焊盘和后连接焊盘之间的芯片连接端子；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之一之间以及在第二半导体芯片中的相邻的第二半导体芯片之间的支撑结构，该支撑结构与前连接焊盘、后连接焊盘和芯片连接端子间隔开，具有比芯片连接端子的垂直高度大的垂直高度，以及包括金属。

公开(公告)号：CN117672982A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311140163.5

申请日：2023-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铣浩 ,  严明彻

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

Abstract: 半导体封装体包括缓冲器裸片、设置在所述缓冲器裸片上的第一核心裸片、以及设置在所述缓冲器裸片和所述第一核心裸片之间使得所述缓冲器裸片和所述第一核心裸片彼此结合的非导电膜(NCF)，其中所述NCF包括基于二苯并环辛二烯(DBCOD)的化合物。

公开(公告)号：CN114446896A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111279642.6

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铣浩 ,  陈华日 ,  洪钟波

IPC: H01L23/18 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 一种半导体封装，包括：具有下半导体衬底和在下半导体衬底的顶表面上的上焊盘的下半导体芯片；堆叠在下半导体芯片上的上半导体芯片，上半导体芯片包括上半导体衬底和在上半导体衬底的底表面上的焊料凸块；以及在下半导体芯片和上半导体芯片之间的固化层，固化层包括与上半导体芯片相邻的第一固化层，以及在第一固化层和下半导体衬底的顶表面之间的第二固化层，第一固化层包括第一光固化剂，第二固化层包括第一热固化剂。

公开(公告)号：CN113013117A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011348008.9

申请日：2020-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铣浩 ,  金镇洙 ,  明俊佑 ,  朴庸镇 ,  李在杰

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种半导体器件和具有其的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一散热构件，所述第一散热构件位于所述半导体芯片的所述第二表面上，所述第一散热构件具有在垂直于所述第二表面的方向上的第一垂直热导率和在平行于所述第二表面的方向上的第一水平热导率，所述第一垂直热导率小于所述第一水平热导率；以及第二散热构件，所述第二散热构件包括穿过所述第一散热构件的垂直图案，所述第二散热构件具有大于所述第一散热构件的所述第一垂直热导率的第二垂直热导率。

公开(公告)号：CN115831869A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211104779.2

申请日：2022-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铣浩 ,  金沅槿 ,  严明彻

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种制造半导体封装件的方法及其使用的保护膜。所述方法包括：制备包括基膜和层压在所述基膜的表面上的保护层的保护膜；将所述保护膜安装在半导体晶片上，所述半导体晶片具有附接到切割带的后表面和与所述后表面相对定位的前表面，所述保护层设置在所述前表面上；用切割激光照射所述半导体晶片的所述后表面；从所述半导体晶片去除所述保护膜的所述基膜；将所述半导体晶片分割成各个半导体芯片；以及从所述各个半导体芯片去除所述保护层。

公开(公告)号：CN113937050A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110405162.3

申请日：2021-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈华日 ,  李铣浩 ,  金永锡

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/30

Abstract: 公开了一种处理带。所述处理带可以包括：基体层；粘合层，设置在基体层上；保护剥离膜，位于粘合层上；以及第一剥离层，置于粘合层与保护剥离膜之间。第一剥离层可以包括有机硅类材料并且可以是不可光固化的。

公开(公告)号：CN111223823A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911138779.2

申请日：2019-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 明俊佑 ,  李在杰 ,  李铣浩

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供一种半导体芯片和半导体封装件，所述半导体封装件包括连接结构、半导体芯片和包封剂。所述连接结构包括：绝缘层；重新分布层，设置在所述绝缘层上；以及连接过孔，贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层。所述半导体芯片具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，并且所述有效表面设置在所述连接结构上以面对所述连接结构。所述包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分。所述半导体芯片包括形成在所述有效表面中的槽和围绕所述有效表面中的所述槽设置的坝结构。