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    Magnetoresistive element and magnetic memory
    4.
    发明授权
    Magnetoresistive element and magnetic memory 有权
    磁阻元件和磁记忆体

    公开(公告)号：US09299918B2

    公开(公告)日：2016-03-29

    申请号：US14504140

    申请日：2014-10-01

    申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： Tadaomi Daibou ,  Minoru Amano ,  Daisuke Saida ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Chikayoshi Kamata ,  Saori Kashiwada ,  Hiroaki Yoda

    IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/32

    CPC分类号： H01L43/02 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a first to third ferromagnetic layers, and a first nonmagnetic layer, the first and second ferromagnetic layers each having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the third ferromagnetic layer including a plurality of ferromagnetic oscillators generating rotating magnetic fields of different oscillation frequencies from one another. Spin-polarized electrons are injected into the first ferromagnetic layer and induce precession movements in the plurality of ferromagnetic oscillators of the third ferromagnetic layer by flowing a current between the first and third ferromagnetic layers, the rotating magnetic fields are generated by the precession movements and are applied to the first ferromagnetic layer, and at least one of the rotating magnetic fields assists a magnetization switching in the first ferromagnetic layer.

    摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：第一至第三铁磁层和第一非磁性层，第一和第二铁磁层各自在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴，所述第三铁磁层包括 多个铁磁振荡器产生彼此不同振荡频率的旋转磁场。 旋转极化电子被注入到第一铁磁层中并通过在第一和第三铁磁层之间流动电流而引起第三铁磁层的多个铁磁振荡器中的进动运动，旋转磁场由进动运动产生，并且是 施加到第一铁磁层，并且至少一个旋转磁场有助于第一铁磁层中的磁化切换。

    METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    10.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE ELEMENT 审中-公开
    制造磁性元件的方法

    公开(公告)号：US20130248355A1

    公开(公告)日：2013-09-26

    申请号：US13621978

    申请日：2012-09-18

    申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Shigeki Takahashi ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata

    IPC分类号： C23F1/00

    CPC分类号： H01L43/12 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/308 ,  H01L21/32136 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetoresistive element, the method includes forming a first magnetic layer, forming a tunnel barrier layer on the first magnetic layer, forming a second magnetic layer on the tunnel barrier layer, forming a hard mask layer on the second magnetic layer, and patterning the second magnetic layer, the tunnel barrier layer, and the first magnetic layer, with a cluster ion beam using the hard mask layer as a mask, wherein the cluster ion beam comprises cluster ions, cluster sizes of the cluster ions are distributed, and a peak value of the distribution of the cluster sizes is 2 pieces or more and 1000 pieces or less.

    摘要翻译： 根据一个实施例，一种制造磁阻元件的方法，该方法包括形成第一磁性层，在第一磁性层上形成隧道势垒层，在隧道势垒层上形成第二磁性层，在第 第二磁性层，使用该硬掩模层作为掩模以簇离子束形成第二磁性层，隧道势垒层和第一磁性层，其中，簇离子束包括簇离子， 簇离子分布，簇大小分布的峰值为2片以上且1000片以下。