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公开(公告)号：US09219227B2
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：US14549254
申请日：2014-11-20
发明人： Tadaomi Daibou , Junichi Ito , Tadashi Kai , Minoru Amano , Hiroaki Yoda , Terunobu Miyazaki , Shigemi Mizukami , Koji Ando , Kay Yakushiji , Shinji Yuasa , Hitoshi Kubota , Akio Fukushima , Taro Nagahama , Takahide Kubota
CPC分类号： H01L43/10 , H01L23/528 , H01L27/222 , H01L27/226 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x
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公开(公告)号：US09087980B2
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：US14183122
申请日：2014-02-18
发明人： Tadaomi Daibou , Junichi Ito , Tadashi Kai , Minoru Amano , Hiroaki Yoda , Terunobu Miyazaki , Shigemi Mizukami , Koji Ando , Kay Yakushiji , Shinji Yuasa , Hitoshi Kubota , Akio Fukushima , Taro Nagahama , Takahide Kubota
CPC分类号： H01L43/10 , H01L23/528 , H01L27/222 , H01L27/226 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x
摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：基底层; 第一磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第一磁性膜，所述第一磁性膜包括Mn x Ga 100-x（45≤n1E; x <64原子％）; 形成在第一磁性层上的第一非磁性层; 以及形成在所述第一非磁性层上的第二磁性层，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第二磁性膜，所述第二磁性膜包括MnyGa100-y（45＆lt; IL1; y <64原子％）， 。 第一和第二磁性层包括彼此不同的Mn组成比，第一磁性层的磁化方向可以通过第一非磁性层在第一磁性层和第二磁性层之间流动的电流而改变。
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公开(公告)号：US20150076635A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：US14549254
申请日：2014-11-20
发明人： Tadaomi DAIBOU , Junichi ITO , Tadashi KAI , Minoru AMANO , Hiroaki YODA , Terunobu MIYAZAKI , Shigemi MIZUKAMI , Koji ANDO , Kay YAKUSHIJI , Shinji YUASA , Hitoshi KUBOTA , Akio FUKUSHIMA , Taro NAGAHAMA , Takahide KUBOTA
IPC分类号： H01L27/22 , H01L43/10 , H01L23/528 , H01L43/02
CPC分类号： H01L43/10 , H01L23/528 , H01L27/222 , H01L27/226 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x
摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：基底层; 第一磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第一磁性膜，所述第一磁性膜包括Mn x Ga 100-x（45≤n1E; x <64原子％）; 形成在第一磁性层上的第一非磁性层; 以及形成在所述第一非磁性层上的第二磁性层，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第二磁性膜，所述第二磁性膜包括MnyGa100-y（45＆lt; IL1; y <64原子％）， 。 第一和第二磁性层包括彼此不同的Mn组成比，第一磁性层的磁化方向可以通过第一非磁性层在第一磁性层和第二磁性层之间流动的电流而改变。
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公开(公告)号：US20140159177A1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：US14183122
申请日：2014-02-18
发明人： Tadaomi DAIBOU , Junichi Ito , Tadashi Kai , Minoru Amano , Hiroaki Yoda , Terunobu Miyazaki , Shigemi Mizukami , Koji Ando , Kay Yakushiji , Shinji Yuasa , Hitoshi Kubota , Akio Fukushima , Taro Nagahama , Takahide Kubota
IPC分类号： H01L43/10
CPC分类号： H01L43/10 , H01L23/528 , H01L27/222 , H01L27/226 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x
摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：基底层; 第一磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第一磁性膜，所述第一磁性膜包括Mn x Ga 100-x（45≤n1E; x <64原子％）; 形成在第一磁性层上的第一非磁性层; 以及形成在第一非磁性层上的第二磁性层，并且在垂直于膜平面的方向上包括具有容易磁化轴的第二磁性膜，所述第二磁性膜包括MnyGa100-y（45＆lt; EL; y <64原子％）， 。 第一和第二磁性层包括彼此不同的Mn组成比，第一磁性层的磁化方向可以通过第一非磁性层在第一磁性层和第二磁性层之间流动的电流而改变。
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