公开(公告)号：US20150076635A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：US14549254

申请日：2014-11-20

Applicant: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  WPI-AIMR, Tohoku University

Inventor： Tadaomi DAIBOU ,  Junichi ITO ,  Tadashi KAI ,  Minoru AMANO ,  Hiroaki YODA ,  Terunobu MIYAZAKI ,  Shigemi MIZUKAMI ,  Koji ANDO ,  Kay YAKUSHIJI ,  Shinji YUASA ,  Hitoshi KUBOTA ,  Akio FUKUSHIMA ,  Taro NAGAHAMA ,  Takahide KUBOTA

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/10 ,  H01L23/528 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L43/10 ,  H01L23/528 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x

Abstract translation: 根据实施例的磁阻元件包括：基底层; 第一磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第一磁性膜，所述第一磁性膜包括Mn x Ga 100-x（45≤n1E; x <64原子％）; 形成在第一磁性层上的第一非磁性层; 以及形成在所述第一非磁性层上的第二磁性层，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第二磁性膜，所述第二磁性膜包括MnyGa100-y（45＆lt; IL1; y <64原子％）， 。 第一和第二磁性层包括彼此不同的Mn组成比，第一磁性层的磁化方向可以通过第一非磁性层在第一磁性层和第二磁性层之间流动的电流而改变。

公开(公告)号：US20130299929A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13785952

申请日：2013-03-05

Applicant: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

Inventor： Daisuke WATANABE ,  Katsuya NISHIYAMA ,  Toshihiko NAGASE ,  Koji UEDA ,  Tadashi KAI

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: A magnetoresistive element includes a first magnetic layer having an axis of magnetization perpendicular to the film surface and a fixed magnetization orientation; a second magnetic layer having an axis of magnetization perpendicular to the film surface and a changeable magnetization orientation; a first nonmagnetic layer arranged between the first and second magnetic layers; and a third magnetic layer having an axis of magnetization perpendicular to the film surface and a fixed magnetization orientation opposite that of the first magnetic layer. The first magnetic layer has a first magnetic material film in contact with the first nonmagnetic layer, a nonmagnetic material film in contact with the first magnetic material film, and a second magnetic material film containing Co100-xWx (0

Abstract translation: 磁阻元件包括具有垂直于膜表面的磁化轴的第一磁性层和固定的磁化取向; 具有垂直于膜表面的磁化轴的第二磁性层和可变磁化取向; 布置在第一和第二磁性层之间的第一非磁性层; 以及具有与膜表面垂直的磁化轴的第三磁性层和与第一磁性层相反的固定磁化方向。 第一磁性层具有与第一非磁性层接触的第一磁性材料膜，与第一磁性材料膜接触的非磁性材料膜和含有Co100-xWx（0

公开(公告)号：US20170069687A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：US15065829

申请日：2016-03-09

Applicant: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

Inventor： Masahiko NAKAYAMA ,  Yutaka HASHIMOTO ,  Yasuyuki SONODA ,  Tadashi KAI ,  Kenji NOMA

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16 ,  H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: According to one embodiment, a magnetoresistive memory device includes a stacked layer structure includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a nonmagnetic layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer, and a third magnetic layer provided on the first magnetic layer, which is opposite the nonmagnetic layer. The third magnetic layer includes a first magnetic material portion and a second magnetic material portion provided between the stacked layer structure and the first magnetic material portion. The saturation magnetization of the second magnetic material portion is smaller than that of the first magnetic material portion.

Abstract translation: 根据一个实施例，磁阻存储器件包括堆叠层结构，包括在第一磁性层和第二磁性层之间的第一磁性层，第二磁性层和非磁性层，以及设置在第一磁性层上的第三磁性层 层，其与非磁性层相对。 第三磁性层包括设置在堆叠层结构和第一磁性体部分之间的第一磁性体部分和第二磁性体部分。 第二磁性材料部分的饱和磁化强度小于第一磁性材料部分的饱和磁化强度。

公开(公告)号：US20160315251A1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：US15198543

申请日：2016-06-30

Applicant: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

Inventor： Toshihiko NAGASE ,  Tadashi KAI ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Hiroaki YODA

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: A magnetoresistive element including a first magnetic layer; a first nonmagnetic layer provided on the first magnetic layer, the first nonmagnetic layer formed of SrTiO3, SrFeO3, LaAlO3, NdCoO3, or BN; and a second magnetic layer provided on the first nonmagnetic layer, wherein the first nonmagnetic layer is lattice-matched to the first magnetic layer, and the second magnetic layer is lattice-matched to the first nonmagnetic layer.

Abstract translation: 一种磁阻元件，包括第一磁性层; 设置在第一磁性层上的第一非磁性层，由SrTiO 3，SrFeO 3，LaAlO 3，NdCoO 3或BN形成的第一非磁性层; 以及设置在所述第一非磁性层上的第二磁性层，其中所述第一非磁性层与所述第一磁性层晶格匹配，并且所述第二磁性层与所述第一非磁性层晶格匹配。

公开(公告)号：US20130329317A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13966126

申请日：2013-08-13

Applicant: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

Inventor： Kenichiro YAMADA ,  Hitoshi IWASAKI ,  Junichi AKIYAMA ,  Masayuki TAKAGISHI ,  Tomomi FUNAYAMA ,  Masahiro TAKASHITA ,  Mariko SHIMIZU ,  Shuichi MURAKAMI ,  Tadashi KAI

IPC: G11B5/17

CPC classification number: G11B5/17 ,  G11B5/02 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/3146 ,  G11B2005/0002 ,  G11B2005/0024

Abstract: An example magnetic writing head includes a main magnetic pole and a coil to generate an ampere magnetic field to magnetize the main magnetic pole to cause the magnetized main magnetic pole to generate a magnetic field. The laminated body includes a first magnetic layer, and a second magnetic layer.

Abstract translation: 磁性写入头包括主磁极和线圈，用于产生安培磁场，以磁化主磁极，使磁化的主磁极产生磁场。 层叠体包括第一磁性层和第二磁性层。