公开(公告)号：US08776600B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13610178

申请日：2012-09-11

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai

IPC分类号： G01C19/00

CPC分类号： G01C19/56 ,  Y10T29/49002

摘要： A gyroscope sensor includes a gyro disk. A first light source is configured to provide a first light beam. A first light receiver is configured to receive the first light beam for sensing a vibration at a first direction of the gyro disk. A second light source is configured to provide a second light beam substantially parallel with the first light beam. A second light receiver is configured to receive the second light beam for sensing a vibration in a second direction of the gyro disk. The second direction is different from the first direction.

摘要翻译： 陀螺传感器包括陀螺盘。 第一光源被配置为提供第一光束。 第一光接收器被配置为接收用于感测陀螺盘的第一方向上的振动的第一光束。 第二光源被配置为提供基本上与第一光束平行的第二光束。 第二光接收器被配置为接收用于感测陀螺盘的第二方向上的振动的第二光束。 第二个方向与第一个方向不同。

公开(公告)号：US08686571B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13571260

申请日：2012-08-09

申请人： Hsin-Ting Huang ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Li-Min Hung ,  Yao-Te Huang ,  Yi-Chuan Teng ,  Chin-Yi Cho

发明人： Hsin-Ting Huang ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Li-Min Hung ,  Yao-Te Huang ,  Yi-Chuan Teng ,  Chin-Yi Cho

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L23/48 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

摘要： A structure comprises a first semiconductor substrate, a first bonding layer deposited on a bonding side the first semiconductor substrate, a second semiconductor substrate stacked on top of the first semiconductor substrate and a second bonding layer deposited on a bonding side of the second semiconductor substrate, wherein the first bonding layer is of a horizontal length greater than a horizontal length of the second semiconductor substrate, and wherein there is a gap between an edge of the second bonding layer and a corresponding edge of the second semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种结构包括第一半导体衬底，沉积在第一半导体衬底的接合侧上的第一接合层，堆叠在第一半导体衬底的顶部上的第二半导体衬底和沉积在第二半导体衬底的接合侧上的第二接合层， 其中所述第一接合层的水平长度大于所述第二半导体衬底的水平长度，并且其中在所述第二接合层的边缘和所述第二半导体衬底的对应边缘之间存在间隙。

公开(公告)号：US08377798B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12943281

申请日：2010-11-10

申请人： Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Yao-Te Huang ,  Shang-Ying Tsai ,  Ping-Yin Liu

发明人： Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Yao-Te Huang ,  Shang-Ying Tsai ,  Ping-Yin Liu

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L25/0657 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/2782 ,  H01L2224/2783 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/29617 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29647 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83014 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2224/83

摘要： A method for wafer to wafer bonding in semiconductor packaging provides for roughening the bonding surfaces in one embodiment. Also provided is a method for passivating the bonding surfaces with a lower melting point material that becomes forced away from the bonding interface during bonding. Also provided is a method for forming an eutectic at the bonding interface to reduce the impact of any native oxide formation at the bonding interface.

摘要翻译： 在一个实施例中，用于半导体封装中的晶片到晶片结合的方法提供了使结合表面粗糙化的方法。 还提供了一种用于在接合期间被迫离开接合界面的较低熔点材料钝化接合表面的方法。 还提供了在键合界面处形成共晶的方法，以减少接合界面处的任何自然氧化物形成的影响。

公开(公告)号：US08237263B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12651002

申请日：2009-12-31

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Te-Hsi Lee

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Te-Hsi Lee

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/427 ,  B81B7/0093 ,  B81B2207/99 ,  F28D15/02 ,  F28F3/048 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit, a method of operating the integrated circuit, and a method of fabricating the integrated circuit are disclosed. According to one of the broader forms of the invention, a method and apparatus involve an integrated circuit that includes a heat transfer structure having a chamber that has a fluid disposed therein and that extends between a heat generating portion and a heat absorbing portion. Heat is absorbed into the fluid from the heat generating portion, and the fluid changes from a first phase to a second phase different from the first phase when the heat is absorbed. Heat is released from the fluid to the heat absorbing portion, and the fluid changes from the second phase to the first phase when the heat is released.

摘要翻译： 公开了集成电路，操作集成电路的方法以及制造集成电路的方法。 根据本发明的一个更广泛的形式，一种方法和装置包括集成电路，该集成电路包括一个传热结构，该传热结构具有一个具有设置在其中的流体并且在发热部分和吸热部分之间延伸的腔室。 热量从发热部分吸收到流体中，并且当热被吸收时，流体从第一相位变化到与第一相位不同的第二相位。 热量从流体释放到吸热部分，并且当释放热量时，流体从第二相变为第一相。

公开(公告)号：US20120007220A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13240540

申请日：2011-09-22

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： B81C1/00666 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/48 ,  H01L24/95 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A method of forming an integrated circuit structure including providing a wafer comprising a front surface and a back surface, wherein the wafer comprises a chip; forming an opening extending from the back surface into the chip; filling an organic material in the opening, wherein substantially no portion of the organic material is outside of the opening and on the back surface of the wafer; and baking the organic material to cause a contraction of the organic material.

摘要翻译： 一种形成集成电路结构的方法，包括提供包括前表面和后表面的晶片，其中所述晶片包括芯片; 形成从后表面延伸到芯片中的开口; 在开口中填充有机材料，其中基本上没有部分有机材料在晶片的开口和背面之外; 并烘烤有机材料以引起有机材料的收缩。

公开(公告)号：US20100308424A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12751633

申请日：2010-03-31

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Allen Timothy Chang

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Allen Timothy Chang

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： G01P15/18 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/082 ,  G01P2015/084 ,  H01L28/86

摘要： An integrated circuit structure includes a substrate having a top surface; a first conductive layer over and contacting the top surface of the substrate; a dielectric layer over and contacting the first conductive layer, wherein the dielectric layer includes an opening exposing a portion of the first conductive layer; and a proof-mass in the opening and including a second conductive layer at a bottom of the proof-mass. The second conductive layer is spaced apart from the portion of the first conductive layer by an air space. Springs anchor the proof-mass to portions of the dielectric layer encircling the opening. The springs are configured to allow the proof-mass to make three-dimensional movements.

摘要翻译： 集成电路结构包括具有顶表面的基板; 在衬底的顶表面上方并接触第一导电层; 电介质层，其与所述第一导电层接触并接触，其中所述电介质层包括露出所述第一导电层的一部分的开口; 并且在开口中具有证明质量，并且包括在质量块的底部的第二导电层。 第二导电层通过空气间隔与第一导电层的部分间隔开。 弹簧将证明质量锚定到围绕开口的介电层的部分。 弹簧被配置为允许证明物质进行三维运动。

公开(公告)号：US20100120202A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12610873

申请日：2009-11-02

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/50

CPC分类号： B81C1/00666 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/48 ,  H01L24/95 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A method of forming an integrated circuit structure including providing a wafer comprising a front surface and a back surface, wherein the wafer comprises a chip; forming an opening extending from the back surface into the chip; filling an organic material in the opening, wherein substantially no portion of the organic material is outside of the opening and on the back surface of the wafer; and baking the organic material to cause a contraction of the organic material.

摘要翻译： 一种形成集成电路结构的方法，包括提供包括前表面和后表面的晶片，其中所述晶片包括芯片; 形成从后表面延伸到芯片中的开口; 在开口中填充有机材料，其中基本上没有部分有机材料在晶片的开口和背面之外; 并烘烤有机材料以引起有机材料的收缩。

公开(公告)号：US08674495B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13035607

申请日：2011-02-25

申请人： Chia-Pao Shu ,  Chun-Wen Cheng ,  Kuei-Sung Chang ,  Hsin-Ting Huang ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Chia-Pao Shu ,  Chun-Wen Cheng ,  Kuei-Sung Chang ,  Hsin-Ting Huang ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76838 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05617 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/301 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/00014

摘要： A package system includes a first substrate. A second substrate is electrically coupled with the first substrate. At least one electrical bonding material is disposed between the first substrate and the second substrate. The at least one electrical bonding material includes a eutectic bonding material. The eutectic bonding material includes a metallic material and a semiconductor material. The metallic material is disposed adjacent to a surface of the first substrate. The metallic material includes a first pad and at least one first guard ring around the first pad.

摘要翻译： 封装系统包括第一衬底。 第二衬底与第一衬底电耦合。 至少一个电接合材料设置在第一基板和第二基板之间。 所述至少一个电接合材料包括共晶接合材料。 共晶接合材料包括金属材料和半导体材料。 金属材料邻近第一基底的表面设置。 金属材料包括第一焊盘和围绕第一焊盘的至少一个第一保护环。

公开(公告)号：US20130000409A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13610178

申请日：2012-09-11

申请人： Ting-Hau WU ,  Chun-Ren CHENG ,  Jiou-Kang LEE ,  Jung-Huei PENG ,  Shang-Ying TSAI

发明人： Ting-Hau WU ,  Chun-Ren CHENG ,  Jiou-Kang LEE ,  Jung-Huei PENG ,  Shang-Ying TSAI

IPC分类号： G01H9/00

CPC分类号： G01C19/56 ,  Y10T29/49002

摘要： A gyroscope sensor includes a gyro disk. A first light source is configured to provide a first light beam. A first light receiver is configured to receive the first light beam for sensing a vibration at a first direction of the gyro disk. A second light source is configured to provide a second light beam substantially parallel with the first light beam. A second light receiver is configured to receive the second light beam for sensing a vibration in a second direction of the gyro disk. The second direction is different from the first direction.

摘要翻译： 陀螺传感器包括陀螺盘。 第一光源被配置为提供第一光束。 第一光接收器被配置为接收用于感测陀螺盘的第一方向上的振动的第一光束。 第二光源被配置为提供基本上与第一光束平行的第二光束。 第二光接收器被配置为接收用于感测陀螺盘的第二方向上的振动的第二光束。 第二个方向与第一个方向不同。

公开(公告)号：US08309441B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US13176548

申请日：2011-07-05

申请人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu Chen

发明人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu Chen

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： B81C1/00111 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0392 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/056 ,  B81C2201/019 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One embodiment is a method of forming a circuit structure. The method comprises forming a first amorphous layer over a substrate; forming a first glue layer over and adjoining the first amorphous layer; forming a second amorphous layer over and adjoining the first glue layer; and forming a plurality of posts separated from each other by removing a first portion of the first amorphous layer and a first portion of the second amorphous layer. At least some of the plurality of posts each comprises a second portion of the first amorphous layer, a first portion of the first glue layer, and a second portion of the second amorphous layer.

摘要翻译： 一个实施例是形成电路结构的方法。 该方法包括在衬底上形成第一非晶层; 在所述第一非晶层上方形成第一胶合层; 在所述第一胶层上形成第二非晶层; 以及通过去除所述第一非晶层的第一部分和所述第二非晶层的第一部分来形成彼此分离的多个柱。 所述多个柱中的至少一些各自包括所述第一非晶层的第二部分，所述第一胶合层的第一部分和所述第二非晶层的第二部分。