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    REACTIVE METAL IMPLATED OXIDE BASED MEMORY
    2.
    发明申请
    REACTIVE METAL IMPLATED OXIDE BASED MEMORY 有权
    反应性金属基于氧化物的存储器

    公开(公告)号：US20130015422A1

    公开(公告)日：2013-01-17

    申请号：US13616307

    申请日：2012-09-14

    申请人： D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Gurtej S. Sandhu

    发明人： D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Gurtej S. Sandhu

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/145 ,  H01L45/165

    摘要： Methods, devices, and systems associated with oxide based memory can include a method of forming an oxide based memory cell. Forming an oxide based memory cell can include forming a first conductive element, forming an oxide over the first conductive element, implanting a reactive metal into the oxide, and forming a second conductive element over the oxide.

    摘要翻译： 与基于氧化物的存储器相关联的方法，装置和系统可以包括形成基于氧化物的存储器单元的方法。 形成基于氧化物的存储单元可以包括形成第一导电元件，在第一导电元件上形成氧化物，将活性金属注入到氧化物中，以及在氧化物上形成第二导电元件。

    Gate Stacks and Semiconductor Constructions
    3.
    发明申请
    Gate Stacks and Semiconductor Constructions 有权
    门堆叠和半导体构造

    公开(公告)号：US20110042754A1

    公开(公告)日：2011-02-24

    申请号：US12938114

    申请日：2010-11-02

    申请人： D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Venkatesan Ananthan

    发明人： D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Venkatesan Ananthan

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/092

    CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857

    摘要： The invention includes methods of forming PMOS transistors and NMOS transistors. The NMOS transistors can be formed to have a thin silicon-containing material between a pair of metal nitride materials, while the PMOS transistors are formed to have the metal nitride materials directly against one another. The invention also includes constructions which contain an NMOS transistor gate stack having a thin silicon-containing material between a pair of metal nitride materials. The silicon-containing material can, for example, consist of silicon, conductively-doped silicon, or silicon oxide; and can have a thickness of less than or equal to about 30 angstroms.

    摘要翻译： 本发明包括形成PMOS晶体管和NMOS晶体管的方法。 NMOS晶体管可以形成为在一对金属氮化物材料之间具有薄的含硅材料，而PMOS晶体管形成为使得金属氮化物材料彼此直接相对。 本发明还包括在一对金属氮化物材料之间包含具有薄的含硅材料的NMOS晶体管栅极叠层的构造。 含硅材料可以例如由硅，导电掺杂的硅或氧化硅组成; 并且可以具有小于或等于约30埃的厚度。

    Reactive metal implated oxide based memory
    4.
    发明授权
    Reactive metal implated oxide based memory 有权
    反应性金属注入氧化物基记忆

    公开(公告)号：US08772841B2

    公开(公告)日：2014-07-08

    申请号：US13616307

    申请日：2012-09-14

    申请人： D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Gurtej S. Sandhu

    发明人： D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Gurtej S. Sandhu

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/94 ,  H01L21/70 ,  H01L27/108

    CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/145 ,  H01L45/165

    摘要： Methods, devices, and systems associated with oxide based memory can include a method of forming an oxide based memory cell. Forming an oxide based memory cell can include forming a first conductive element, forming an oxide over the first conductive element, implanting a reactive metal into the oxide, and forming a second conductive element over the oxide.

    摘要翻译： 与基于氧化物的存储器相关联的方法，装置和系统可以包括形成基于氧化物的存储器单元的方法。 形成基于氧化物的存储单元可以包括形成第一导电元件，在第一导电元件上形成氧化物，将活性金属注入到氧化物中，以及在氧化物上形成第二导电元件。

    RESISTIVE MEMORY CELL
    5.
    发明申请
    RESISTIVE MEMORY CELL 有权
    电阻记忆体

    公开(公告)号：US20120292584A1

    公开(公告)日：2012-11-22

    申请号：US13109052

    申请日：2011-05-17

    申请人： Matthew N. Rocklein ,  D.V. Nirmal Ramaswamy

    发明人： Matthew N. Rocklein ,  D.V. Nirmal Ramaswamy

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

    摘要： Semiconductor memory devices, resistive memory devices, memory cell structures, and methods of forming a resistive memory cell are provided. One example method of a resistive memory cell can include a number of dielectric regions formed between two electrodes, and a barrier dielectric region formed between each of the dielectric regions. The barrier dielectric region serves to reduce an oxygen diffusion rate associated with the dielectric regions.

    摘要翻译： 提供了半导体存储器件，电阻式存储器件，存储单元结构以及形成电阻存储单元的方法。 电阻式存储单元的一个示例性方法可以包括形成在两个电极之间的多个电介质区域和形成在每个电介质区域之间的势垒电介质区域。 势垒电介质区域用于降低与电介质区域相关联的氧扩散速率。

    Electronic Devices, Memory Devices and Memory Arrays
    6.
    发明申请
    Electronic Devices, Memory Devices and Memory Arrays 有权
    电子设备，存储器件和存储器阵列

    公开(公告)号：US20120074373A1

    公开(公告)日：2012-03-29

    申请号：US12893992

    申请日：2010-09-29

    申请人： D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Kirk D. Prall

    发明人： D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Kirk D. Prall

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/14 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

    摘要： Some embodiments include electronic devices having two capacitors connected in series. The two capacitors share a common electrode. One of the capacitors includes a region of a semiconductor substrate and a dielectric between such region and the common electrode. The other of the capacitors includes a second electrode and ion conductive material between the second electrode and the common electrode. At least one of the first and second electrodes has an electrochemically active surface directly against the ion conductive material. Some embodiments include memory cells having two capacitors connected in series, and some embodiments include memory arrays containing such memory cells.

    摘要翻译： 一些实施例包括具有串联连接的两个电容器的电子设备。 两个电容器共享一个公共电极。 电容器中的一个包括半导体衬底的区域和这种区域与公共电极之间的电介质。 电容器中的另一个包括在第二电极和公共电极之间的第二电极和离子传导材料。 第一和第二电极中的至少一个具有直接抵靠离子导电材料的电化学活性表面。 一些实施例包括具有串联连接的两个电容器的存储单元，并且一些实施例包括包含这种存储单元的存储器阵列

    Memory Cells
    7.
    发明申请
    Memory Cells 有权
    记忆细胞

    公开(公告)号：US20110133268A1

    公开(公告)日：2011-06-09

    申请号：US13024903

    申请日：2011-02-10

    申请人： Kyu S. Min ,  Rhett T. Brewer ,  Tejas Krishnamohan ,  Thomas M. Graettinger ,  D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Ronald A. Weimer ,  Arup Bhattacharyya

    发明人： Kyu S. Min ,  Rhett T. Brewer ,  Tejas Krishnamohan ,  Thomas M. Graettinger ,  D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Ronald A. Weimer ,  Arup Bhattacharyya

    IPC分类号： H01L29/792

    CPC分类号： G11C16/0483 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0475 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  Y10S977/943

    摘要： Some embodiments include memory cells having vertically-stacked charge-trapping zones spaced from one another by dielectric material. The dielectric material may comprise high-k material. One or more of the charge-trapping zones may comprise metallic material. Such metallic material may be present as a plurality of discrete isolated islands, such as nanodots. Some embodiments include methods of forming memory cells in which two charge-trapping zones are formed over tunnel dielectric, with the zones being vertically displaced relative to one another, and with the zone closest to the tunnel dielectric having deeper traps than the other zone. Some embodiments include electronic systems comprising memory cells. Some embodiments include methods of programming memory cells having vertically-stacked charge-trapping zones.

    摘要翻译： 一些实施例包括具有通过介电材料彼此间隔开的垂直堆叠的电荷捕获区的存储单元。 电介质材料可以包括高k材料。 一个或多个电荷捕获区可以包括金属材料。 这种金属材料可以作为多个离散的隔离岛存在，例如纳米点。 一些实施例包括形成存储器单元的方法，其中在隧道电介质上形成两个电荷捕获区，其中区域相对于彼此垂直位移，并且最靠近隧道电介质的区域具有比另一区更深的陷阱。 一些实施例包括包括存储器单元的电子系统。 一些实施例包括编程具有垂直堆叠的电荷捕获区的存储器单元的方法。

    Memory Cells and Methods of Storing Information
    9.
    发明申请
    Memory Cells and Methods of Storing Information 有权
    记忆单元和信息存储方法

    公开(公告)号：US20130028016A1

    公开(公告)日：2013-01-31

    申请号：US13190821

    申请日：2011-07-26

    申请人： Gurtej S. Sandhu ,  D.V. Nirmal Ramaswamy

    发明人： Gurtej S. Sandhu ,  D.V. Nirmal Ramaswamy

    IPC分类号： G11C11/34 ,  H01L29/06 ,  H01L29/792 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01L29/792 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/3418 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/788

    摘要： Some embodiments include memory cells which have channel-supporting material, dielectric material over the channel-supporting material, carrier-trapping material over the dielectric material and an electrically conductive electrode material over and directly against the carrier-trapping material; where the carrier-trapping material includes gallium, indium, zinc and oxygen. Some embodiments include methods of storing information. A memory cell to is provided which has a channel-supporting material, a dielectric material over the channel-supporting material, a carrier-trapping material over the dielectric material, and an electrically conductive electrode material over and directly against the carrier-trapping material; where the carrier-trapping material includes gallium, indium, zinc and oxygen. It is determined if carriers are trapped in the carrier-trapping material to thereby ascertain a memory state of the memory cell.

    摘要翻译： 一些实施例包括具有通道支撑材料，在通道支撑材料上的电介质材料，介电材料上方的载流子捕获材料以及超过并直接抵靠载体捕获材料的导电电极材料的存储单元; 其中载流子捕获材料包括镓，铟，锌和氧。 一些实施例包括存储信息的方法。 提供一种存储单元，其具有通道支撑材料，在通道支撑材料上方的介电材料，介电材料上的载流子捕获材料，以及在载体捕获材料上方并直接抵靠载体捕获材料的导电电极材料; 其中载流子捕获材料包括镓，铟，锌和氧。 确定载体是否被捕获在载流子捕获材料中，从而确定存储单元的存储状态。