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公开(公告)号：US20130015422A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：US13616307
申请日：2012-09-14
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , H01L45/145 , H01L45/165
摘要： Methods, devices, and systems associated with oxide based memory can include a method of forming an oxide based memory cell. Forming an oxide based memory cell can include forming a first conductive element, forming an oxide over the first conductive element, implanting a reactive metal into the oxide, and forming a second conductive element over the oxide.
摘要翻译： 与基于氧化物的存储器相关联的方法，装置和系统可以包括形成基于氧化物的存储器单元的方法。 形成基于氧化物的存储单元可以包括形成第一导电元件，在第一导电元件上形成氧化物，将活性金属注入到氧化物中，以及在氧化物上形成第二导电元件。
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公开(公告)号：US08772841B2
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：US13616307
申请日：2012-09-14
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/94 , H01L21/70 , H01L27/108
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , H01L45/145 , H01L45/165
摘要： Methods, devices, and systems associated with oxide based memory can include a method of forming an oxide based memory cell. Forming an oxide based memory cell can include forming a first conductive element, forming an oxide over the first conductive element, implanting a reactive metal into the oxide, and forming a second conductive element over the oxide.
摘要翻译： 与基于氧化物的存储器相关联的方法，装置和系统可以包括形成基于氧化物的存储器单元的方法。 形成基于氧化物的存储单元可以包括形成第一导电元件，在第一导电元件上形成氧化物，将活性金属注入到氧化物中，以及在氧化物上形成第二导电元件。
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公开(公告)号：US09042155B2
公开(公告)日：2015-05-26
申请号：US13618292
申请日：2012-09-14
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , H01L45/145 , H01L45/165
摘要： Methods, devices, and systems associated with oxide based memory can include a method of forming an oxide based memory cell. Forming an oxide based memory cell can include forming a first conductive element, forming an oxide over the first conductive element, implanting a reactive metal into the oxide, and forming a second conductive element over the oxide.
摘要翻译： 与基于氧化物的存储器相关联的方法，装置和系统可以包括形成基于氧化物的存储器单元的方法。 形成基于氧化物的存储单元可以包括形成第一导电元件，在第一导电元件上形成氧化物，将活性金属注入到氧化物中，以及在氧化物上形成第二导电元件。
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公开(公告)号：US20130010525A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：US13618292
申请日：2012-09-14
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , H01L45/145 , H01L45/165
摘要： Methods, devices, and systems associated with oxide based memory can include a method of forming an oxide based memory cell. Forming an oxide based memory cell can include forming a first conductive element, forming an oxide over the first conductive element, implanting a reactive metal into the oxide, and forming a second conductive element over the oxide.
摘要翻译： 与基于氧化物的存储器相关联的方法，装置和系统可以包括形成基于氧化物的存储器单元的方法。 形成基于氧化物的存储单元可以包括形成第一导电元件，在第一导电元件上形成氧化物，将活性金属注入到氧化物中，以及在氧化物上形成第二导电元件。
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公开(公告)号：US20120248396A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：US13078679
申请日：2011-04-01
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1246 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1616 , H01L45/1633 , Y10S438/936
摘要： Methods, devices, and systems associated with oxide based memory can include a method of forming a resistive switching region of a memory cell. Forming a resistive switching region of a memory cell can include forming a metal oxide material on an electrode and forming a metal material on the metal oxide material, wherein the metal material formation causes a reaction that results in a graded metal oxide portion of the memory cell.
摘要翻译： 与基于氧化物的存储器相关联的方法，装置和系统可以包括形成存储器单元的电阻式开关区域的方法。 形成存储单元的电阻开关区域可以包括在电极上形成金属氧化物材料并在金属氧化物材料上形成金属材料，其中金属材料形成引起导致存储单元的分级金属氧化物部分的反应 。
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公开(公告)号：US20120069624A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：US12888219
申请日：2010-09-22
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , H01L45/145 , H01L45/165
摘要： Methods, devices, and systems associated with oxide based memory can include a method of forming an oxide based memory cell. Forming an oxide based memory cell can include forming a first conductive element, forming an oxide over the first conductive element, implanting a reactive metal into the oxide, and forming a second conductive element over the oxide.
摘要翻译： 与基于氧化物的存储器相关联的方法，装置和系统可以包括形成基于氧化物的存储器单元的方法。 形成基于氧化物的存储单元可以包括形成第一导电元件，在第一导电元件上形成氧化物，将活性金属注入到氧化物中，以及在氧化物上形成第二导电元件。
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7.发明申请NANOSCALE FLOATING GATE AND METHODS OF FORMATION 有权NANOSCALE FLIPTING GATE AND METHODS OF FORMATION公开(公告)号：US20100112778A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：US12686928
申请日：2010-01-13
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/762
CPC分类号： H01L29/788 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7881 , Y10S977/721 , Y10S977/762
摘要： A memory cell is provided including a tunnel dielectric layer overlying a semiconductor substrate. The memory cell also includes a floating gate having a first portion overlying the tunnel dielectric layer and a second portion in the form of a nanorod extending from the first portion. In addition, a control gate layer is separated from the floating gate by an intergate dielectric layer.
摘要翻译： 提供了包括覆盖在半导体衬底上的隧道电介质层的存储单元。 存储单元还包括具有覆盖隧道介电层的第一部分的浮动栅极和从第一部分延伸的纳米棒形式的第二部分。 此外，控制栅极层通过隔间电介质层与浮置栅极分离。
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公开(公告)号：US08951829B2
公开(公告)日：2015-02-10
申请号：US13078679
申请日：2011-04-01
IPC分类号： H01L27/112 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1246 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1616 , H01L45/1633 , Y10S438/936
摘要： Methods, devices, and systems associated with oxide based memory can include a method of forming a resistive switching region of a memory cell. Forming a resistive switching region of a memory cell can include forming a metal oxide material on an electrode and forming a metal material on the metal oxide material, wherein the metal material formation causes a reaction that results in a graded metal oxide portion of the memory cell.
摘要翻译： 与基于氧化物的存储器相关联的方法，装置和系统可以包括形成存储器单元的电阻式开关区域的方法。 形成存储单元的电阻开关区域可以包括在电极上形成金属氧化物材料并在金属氧化物材料上形成金属材料，其中金属材料形成引起导致存储单元的分级金属氧化物部分的反应 。
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公开(公告)号：US08514626B2
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：US13190821
申请日：2011-07-26
IPC分类号： G11C16/04
CPC分类号： H01L29/792 , G11C16/0416 , G11C16/3418 , H01L21/28273 , H01L29/788
摘要： Memory cells may have channel-supporting material, dielectric material over the channel-supporting material, carrier-trapping material over the dielectric material and an electrically conductive electrode material over and directly against the carrier-trapping material; where the carrier-trapping material includes gallium, indium, zinc and oxygen. A memory cell may be provided which has a channel-supporting material, a dielectric material over the channel-supporting material, a carrier-trapping material over the dielectric material, and an electrically conductive electrode material over and directly against the carrier-trapping material; where the carrier-trapping material includes gallium, indium, zinc and oxygen. It may be determined if carriers are trapped in the carrier-trapping material to thereby ascertain a memory state of the memory cell.
摘要翻译： 存储单元可以具有通道支撑材料，在通道支撑材料上方的介电材料，介电材料上方的载流子捕获材料和超过并直接抵靠载流子捕获材料的导电电极材料; 其中载流子捕获材料包括镓，铟，锌和氧。 可以提供一种存储单元，其具有通道支撑材料，在通道支撑材料上方的电介质材料，介电材料上方的载流子捕获材料，以及在载体捕获材料之上并直接抵靠载体捕获材料的导电电极材料; 其中载流子捕获材料包括镓，铟，锌和氧。 可以确定载体是否被捕获在载流子捕获材料中，从而确定存储单元的存储状态。
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公开(公告)号：US20120001248A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：US13231371
申请日：2011-09-13
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/06 , B82Y99/00
CPC分类号： H01L29/788 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7881 , Y10S977/721 , Y10S977/762
摘要： A memory cell is provided including a tunnel dielectric layer overlying a semiconductor substrate. The memory cell also includes a floating gate having a first portion overlying the tunnel dielectric layer and a second portion in the form of a nanorod extending from the first portion. In addition, a control gate layer is separated from the floating gate by an intergate dielectric layer.
摘要翻译： 提供了包括覆盖在半导体衬底上的隧道电介质层的存储单元。 存储单元还包括具有覆盖隧道介电层的第一部分的浮动栅极和从第一部分延伸的纳米棒形式的第二部分。 此外，控制栅极层通过隔间电介质层与浮置栅极分离。
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