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    GATE STRUCTURE INTEGRATION SCHEME FOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS
    17.
    发明申请
    GATE STRUCTURE INTEGRATION SCHEME FOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS 有权
    晶体效应晶体管的门结构集成方案

    公开(公告)号：US20150228762A1

    公开(公告)日：2015-08-13

    申请号：US14175441

    申请日：2014-02-07

    申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

    发明人： Hong He ,  Chiahsun Tseng ,  Chun-Chen Yeh ,  Yunpeng Yin

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

    摘要： In one embodiment, a semiconductor device is provided that includes a gate structure present on a channel portion of a fin structure. The gate structure includes a dielectric spacer contacting a sidewall of a gate dielectric and a gate conductor. Epitaxial source and drain regions are present on opposing sidewalls of the fin structure, wherein surfaces of the epitaxial source region and the epitaxial drain region that is in contact with the sidewalls of the fin structure are aligned with an outside surface of the dielectric spacer. In some embodiments, the dielectric spacer, the gate dielectric, and the gate conductor of the semiconductor device are formed using a single photoresist mask replacement gate sequence.

    摘要翻译： 在一个实施例中，提供一种半导体器件，其包括存在于鳍结构的沟道部分上的栅极结构。 栅极结构包括与栅极电介质的侧壁和栅极导体接触的电介质间隔物。 外延源极和漏极区域存在于鳍状结构的相对的侧壁上，其中与翅片结构的侧壁接触的外延源区域和外延漏极区域的表面与电介质间隔物的外表面对齐。 在一些实施例中，使用单个光致抗蚀剂掩模替换栅极序列形成半导体器件的电介质间隔物，栅极电介质和栅极导体。

    Finfet formed over dielectric
    18.
    发明授权
    Finfet formed over dielectric 有权
    Finfet在电介质上形成

    公开(公告)号：US09041094B2

    公开(公告)日：2015-05-26

    申请号：US14035313

    申请日：2013-09-24

    申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

    发明人： Hong He ,  Chiahsun Tseng ,  Chun-Chen Yeh ,  Yunpeng Yin

    IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L29/0649 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785

    摘要： A method for semiconductor fabrication includes patterning one or more mandrels over a semiconductor substrate, the one or more mandrels having dielectric material formed therebetween. A semiconductor layer is formed over exposed portions of the one or more mandrels. A thermal oxidation is performed to diffuse elements from the semiconductor layer into an upper portion of the one or more mandrels and concurrently oxidize a lower portion of the one or more mandrels to form the one or more mandrels on the dielectric material.

    摘要翻译： 一种用于半导体制造的方法包括在半导体衬底上图形化一个或多个心轴，所述一个或多个心轴在其间形成介电材料。 在一个或多个心轴的暴露部分上形成半导体层。 执行热氧化以将元件从半导体层扩散到一个或多个心轴的上部，并且同时氧化一个或多个心轴的下部以在电介质材料上形成一个或多个心轴。

    SELF-ALIGNED VIAS FORMED USING SACRIFICIAL METAL CAPS
    19.
    发明申请
    SELF-ALIGNED VIAS FORMED USING SACRIFICIAL METAL CAPS 有权
    使用金属矿物质形成的自对准VIAS

    公开(公告)号：US20150091181A1

    公开(公告)日：2015-04-02

    申请号：US14041187

    申请日：2013-09-30

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Juntao Li ,  Chih-Chao Yang ,  Yunpeng Yin

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

    CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method including forming a sacrificial metal cap on a metal line formed in a first dielectric layer; forming a second dielectric layer on the first dielectric layer; removing the sacrificial metal cap selective to the second dielectric layer and metal line to form a cap opening; forming a dielectric cap in the cap opening and on the metal line; forming an interconnect dielectric layer over the dielectric cap and the second dielectric layer; forming an interconnect opening in the interconnect dielectric layer; removing a portion of the dielectric cap exposed by the interconnect opening selective to the interconnect dielectric layer, the second dielectric layer, and the metal line; and forming an interconnect structure in the interconnect opening, the interconnect structure comprising a contact line above a via, the via having an upper via portion with angled sidewalls and a lower via portion with substantially vertical sidewalls.

    摘要翻译： 一种方法，包括在形成在第一介电层中的金属线上形成牺牲金属帽; 在所述第一电介质层上形成第二电介质层; 去除对第二电介质层和金属线选择性的牺牲金属帽以形成帽开口; 在盖开口和金属线上形成电介质盖; 在所述电介质盖和所述第二电介质层上形成互连电介质层; 在所述互连电介质层中形成互连开口; 去除由所述互连开口暴露的对所述互连电介质层，所述第二电介质层和所述金属线选择性的部分; 并且在所述互连开口中形成互连结构，所述互连结构包括在通孔上方的接触线，所述通孔具有带有成角度侧壁的上通孔部分和具有基本垂直侧壁的下通孔部分。