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公开(公告)号：CN118675887A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411124654.5
申请日：2024-08-16
申请人： 东莞市福磁电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于氧化铁、聚酰亚胺纳米核壳组装超薄柔性磁性膜材料的制备方法，包括氧化铁纳米颗粒的表面修饰、聚酰亚胺聚合单体在纳米颗粒表面的聚合、浆料调制、涂布成膜陈化、梯度升温热亚胺化。本发明通过对不同形貌氧化铁纳米颗粒的修饰实现了聚酰亚胺在其表面的均匀包覆，增强了高分子基体与磁性功能单元之间的界面结合力，将两种材料的理化性能高效地耦合为超薄磁性膜，膜厚度在20～200μm之间可调。该材料在柔性智能可穿戴设备、微型马达器件、传感器、气体分离等方面有潜在的应用场景。
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公开(公告)号：CN118609942A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410728621.5
申请日：2024-06-06
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明属于稀土永磁材料技术领域，涉及一种磁体扩散源薄膜及其制备方法和应用。所述扩散源薄膜依次包括上层基底薄膜、扩散源和下层基底薄膜。制备方法包括以下步骤：制备扩散源溶胶；将扩散源溶胶附着到下层基底薄膜上；加盖上层基底薄膜形成“三明治”结构的初始扩散源薄膜；对初始扩散源薄膜进行加热烘干、冷却处理，得扩散源薄膜。采用本发明的扩散源薄膜进行扩散，具有较好的扩散矫顽力增幅效果，对磁体剩磁损伤较小，能够充分发挥晶界扩散的优势；且最终制备的扩散磁体的性能均匀性与一致性良好，效果提升更加稳定，能够应用于对磁体性能精度要求更高的领域之中。
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公开(公告)号：CN117995509A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311115117.X
申请日：2023-08-31
申请人： 恒劲科技股份有限公司
IPC分类号： H01F17/00 , H01F27/24 , H01F27/28 , H01F27/34 , H01F41/02 , H01F41/04 , H01F41/14 , H01F41/22 , H01F41/26 , H01L23/64 , H10N97/00
摘要： 一种电感元件的核心结构及其制法，该制法包括于核心本体中嵌埋包含至少一导磁层的导磁体，且该核心本体于该导磁体周围形成多个供穿设线圈的孔槽，故利用IC载板工艺将该导磁体设计于该核心本体中，使该电感元件的整体尺寸厚度可大幅薄化，以利于采用该电感元件的产品微小化。
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公开(公告)号：CN114678747B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210340206.3
申请日：2022-04-01
申请人： 佛山市汉丰科技有限公司
IPC分类号： H01R31/06 , H01R13/62 , H01R13/02 , H01R13/64 , H01R43/16 , H01F41/14 , H01F41/16 , H01F13/00 , C09D5/23 , C09D151/08
摘要： 本发明属于转接器技术领域，公开了一种磁吸式转接器及其制备方法和应用。本发明磁吸式转接器包括柔性薄膜A和柔性薄膜B，柔性薄膜A上设有正负电极接触点A和磁性层A，柔性薄膜B上设有正负电极接触点B和磁性层B，正负电极接触点A和正负电极接触点B呈手性对称，磁性层A和磁性层B具有相反的磁性，柔性薄膜A和柔性薄膜B磁性连接。本发明提供的磁吸式转接器采用一对柔性薄膜，柔性薄膜上设有正负电极接触点和磁性层，柔性薄膜之间在磁力作用下实现盲插对接，整个转接器具有极好的柔性，能很好地满足智能穿戴产品在耐弯折、耐挠曲方面的性能要求，同时本发明磁吸式转接器占比体积小、轻、薄，符合智能穿戴产品未来发展趋势。
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公开(公告)号：CN113314294B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110217982.X
申请日：2021-02-26
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明涉及电感器部件和电感器部件的制造方法。电感器部件(10)具备：磁性层(21)，其在由绝缘材料构成的基材(20A)中分散地存在金属磁性粉(20B)；以及电感器布线(30)，其层叠于磁性层(21)的表面，电感器布线(30)具有锚定部(21)侧的主面(MF)起延伸而覆盖磁性层(21)中的金属磁性粉(20B)的表面。(34)，该锚定部(34)从电感器布线(30)的磁性层
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公开(公告)号：CN117116647A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311024509.5
申请日：2023-08-14
申请人： 生益电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及电感器件领域，公开了一种薄膜电感及其制作方法。所述制作方法包括：先将铜箔、内嵌隔离膜的粘结片、承载板依序叠放压合，然后采用图形转移技术将铜箔制作形成线圈，并在线圈的表层压覆第一磁膜，制得第一中间件；对第一中间件铣板后，将第一磁膜和线圈与承载板分离，之后在线圈的表层压覆第二磁膜，获得第二中间件；在第二中间件的表层制作与线圈电连接的电极，形成薄膜电感。本发明实施例能够在实现高精细线圈的制作基础上，大大降低了工艺复杂度、制作难度以及制作成本；线圈的具体形状及尺寸等可以根据不同需求来灵活调节，能够实现各种磁性能设计需求，工艺流程简单，适合批量规模化生产。
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公开(公告)号：CN116864302A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311025670.4
申请日：2023-08-14
申请人： 生益电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及电感器件领域，公开了一种电感器件及其制作方法。所述制作方法包括：将第一磁膜与第一泡沫基板叠放压合得到磁膜泡沫基板，以第一磁膜为入钻面对磁膜泡沫基板进行控深铣，形成与线圈相适配的铣槽；将铜箔与第二泡沫基板叠放压合得到铜箔泡沫基板，采用图形转移方式将铜箔泡沫基板外层的铜箔制作形成线圈；将铜箔泡沫基板的线圈对准磁膜泡沫基板的铣槽后叠板压合后，去除两个泡沫基板，得到第一中间件；在第一中间件的线圈裸露侧的表层压合第二磁膜，在第一中间件的另一侧表层制作与线圈电连接的电极。应用本发明实施例，线圈厚度一致性高且不会轻易地在第一磁膜的挤压作用下发生变形，提升了电感器件的制作良率和制作精度。
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公开(公告)号：CN114023561B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111269911.0
申请日：2021-10-29
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用，属于二维材料制备领域。所述方法包括：在基底上生长磁性薄膜，退火使其形成磁性纳米颗粒；利用化学气相沉积法的方法将二维材料包覆在磁性纳米颗粒表面，形成曲面包覆结构，得到所述非本征二维复合磁性材料。该方法形成在室温下拥有磁性的非本征的复合二维材料，可以有效地控制材料尺寸，在非易失性磁性存储和谷‑自旋电子学器件方面具有巨大应用前景。由此解决二维本征磁性材料的磁性实现都在较低温的条件下；而传统的非本征的磁性并不能很好地达到想要的效果，并且制备方法复杂、制备条件苛刻的技术问题。
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公开(公告)号：CN115148445A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210771209.2
申请日：2022-06-30
申请人： 成都海威华芯科技有限公司
发明人： 张珂
摘要： 本发明涉及稀磁半导体薄膜领域，具体涉及使用分子束外延生长(MBE)技术制备一种p型含碘稀磁半导体(Zn90％,Cr10％)Te:N薄膜材料的方法。该薄膜材料的元素组成为Zn、Te、Cr、N、I五种元素，控制N原子和I原子的比例＜10:1时，最终制备得到的稀磁半导体材料的居里温度(Tc)≥2K，可以达到20K。
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公开(公告)号：CN112927881B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110085952.8
申请日：2021-01-21
申请人： 山东非金属材料研究所
摘要： 本发明属于电磁波防护材料技术领域，具体涉及一种成分梯度磁性金属‑磁性氧化物颗粒薄膜及其制备方法，该颗粒薄膜为垂直于衬底方向上由基层到面层磁性金属成分体积含量梯度连续减小的颗粒薄膜组成，磁性金属成分梯度变化范围为20％～99％；磁性金属为Fe、Co、Ni中的一种或其合金，可掺杂Si、B中的一种或两种混合物；磁性氧化物为CoFe2O4、ZnFe2O4、NiFe2O4、MnFe2O4、NiCo2O4、Co2O3、Fe3O4中的一种；制备方法采用磁控共溅射工艺。本发明成分梯度连续变化、制作工艺简单，制备的颗粒薄膜，满足阻抗匹配特性、电磁波衰减特性要求。
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