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公开(公告)号：CN104977770B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201410791118.0
申请日：2014-12-18
IPC分类号： G02F1/17
CPC分类号： G02F1/01725 , B82Y20/00 , G02F1/133605 , G02F2001/0157 , G02F2001/01733 , G02F2001/0175 , G02F2001/01766 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L31/00 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/05124 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , Y02E10/548 , Y10S977/755
摘要： 一种光学设备，包括有源层，该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。
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公开(公告)号：CN104977770A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410791118.0
申请日：2014-12-18
IPC分类号： G02F1/17
CPC分类号： G02F1/01725 , B82Y20/00 , G02F1/133605 , G02F2001/0157 , G02F2001/01733 , G02F2001/0175 , G02F2001/01766 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L31/00 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/05124 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , Y02E10/548 , Y10S977/755
摘要： 一种光学设备，包括有源层，该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。
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公开(公告)号：CN1490644A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03158879.4
申请日：2003-09-16
申请人： 日本电信电话株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/01725 , G02F2001/01766 , G02F2202/101 , H01S5/0265
摘要： 在本发明的半导体光调制器中，用作光吸收层的量子阱结构的每个量子阱层和每个势垒层分别由In1－X－YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y≤1)和In1－X′－Y′GaX′AlY′N(0≤X′，Y′≤1，0≤X′+Y′≤1)构成。通过自发极化，在光吸收层中产生电场。
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公开(公告)号：CN1805231A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510090673.1
申请日：2005-08-18
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34313 , B82Y20/00 , G02F1/01708 , G02F2001/01766 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/12 , H01S5/1221 , H01S5/227 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3406 , H01S5/34306 , H01S5/34366 , Y10S438/962
摘要： 在将导入了应力的量子阱层作为活性层的半导体激光器或电场吸收型调制器中，因为能带结构，特别是无法独立地调整ΔEc与ΔEv，所以在激光器特性或调制特性的最佳化上产生了瓶颈。在n型InP晶片1上依次层叠n型InGaAlAs－GRIN－SCH层3、MQW层4、p型InGaAlAs－GRIN－SCH层5、p型InAlAs电子阻止层6等，MQW层4由InGaAlAs的应力阱层和由InGaAlAsSb构成的，具有和阱层符号相反的应力的阻挡层构成。
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公开(公告)号：CN1442726A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN02156335.7
申请日：2002-11-06
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 宫崎泰典
IPC分类号： G02F1/025
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/01708 , G02F2001/0157 , G02F2001/01758 , G02F2001/01766 , G02F2203/25
摘要： 本发明的课题在于提供一种光调制器，该光调制器可在不使消光特性变差的情况下，仅仅使线性调频脉冲减小。在阱层(10)和n侧的阻挡层(12)之间插入中间层(11)，对阱层(10)，施加张拉变形，在阻挡层(12)的带间隙Eb(eV)，阱层(10)的带间隙Ew(eV)，中间层11的带间隙Em(eV)之间，可保持Ew＜Em＜Eb的关系。还可形成下述张拉变形量子阱结构，其具有在具有这3种层的张拉变形的量子阱结构上，添加另一层的4种层。该另一层的带间隙为阱层(10)与中间层(11)之间的带间隙，或中间层(11)与阻挡层(12)之间的带间隙。在每1个周期的量子阱(8a)中，层数为任何数量。
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公开(公告)号：CN106980188A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201611186285.8
申请日：2016-12-20
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G02F1/017 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/105
CPC分类号： H01L33/06 , G02F1/01725 , G02F2001/01733 , H01L33/30 , H01L33/60 , G02F2001/01766 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105
摘要： 提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。
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公开(公告)号：CN100530867C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510090673.1
申请日：2005-08-18
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34313 , B82Y20/00 , G02F1/01708 , G02F2001/01766 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/12 , H01S5/1221 , H01S5/227 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3406 , H01S5/34306 , H01S5/34366 , Y10S438/962
摘要： 在将导入了应力的量子阱层作为活性层的半导体激光器或电场吸收型调制器中，因为能带结构，特别是无法独立地调整ΔEc与ΔEv，所以在激光器特性或调制特性的最佳化上产生了瓶颈。在n型InP晶片1上依次层叠n型InGaAlAs-GRIN-SCH层3、MQW层4、p型InGaAlAs-GRIN-SCH层5、p型InAlAs电子阻止层6等，MQW层4由InGaAlAs的应力阱层和由InGaAlAsSb构成的，具有和阱层符号相反的应力的阻挡层构成。
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公开(公告)号：CN1909312A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610105465.9
申请日：2006-06-08
申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/01766 , G02F2202/101 , G02F2202/102
摘要： 通过嵌入深的超薄的量子阱在量子阱有源区域中产生电吸收调制器的双阱结构。由位于常规量子阱中央的嵌入的深的超薄量子阱而引起的干扰降低了在周围更大的阱中的波函数的限制能态，并且通常使得空穴和电子波函数更限制在常规的量子阱的中央。由该电吸收调制器提供的消光比通常得到增加。
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公开(公告)号：CN1909312B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610105465.9
申请日：2006-06-08
申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/01766 , G02F2202/101 , G02F2202/102
摘要： 通过嵌入深的超薄的量子阱在量子阱有源区域中产生电吸收调制器的双阱结构。由位于常规量子阱中央的嵌入的深的超薄量子阱而引起的干扰降低了在周围更大的阱中的波函数的限制能态，并且通常使得空穴和电子波函数更限制在常规的量子阱的中央。由该电吸收调制器提供的消光比通常得到增加。
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公开(公告)号：CN1288764C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN03158879.4
申请日：2003-09-16
申请人： 日本电信电话株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/01725 , G02F2001/01766 , G02F2202/101 , H01S5/0265
摘要： 在本发明的半导体光调制器中，用作光吸收层的量子阱结构的每个量子阱层和每个势垒层分别由In1-X-YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y≤1)和In1-X′-Y′GaX′AlY′N(0≤X′，Y′≤1，0≤X′+Y′≤1)构成。通过自发极化，在光吸收层中产生电场。
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