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公开(公告)号：CN102135671B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201010593275.2
申请日：2010-12-17
IPC: G02F1/017
CPC classification number: G02F1/017 , B82Y20/00 , G02F1/218 , G02F2001/0155 , G02F2201/307 , G02F2203/12
Abstract: 本发明公开了基于法布里-珀罗谐振反射的具有宽带宽的光调制器。该光调制器包括：底部分布布喇格反射器(DBR)层；包括至少一层和改性层的顶部DBR层；以及设置在底部DBR层和顶部DBR层之间的有源层，其中所述至少一层包括至少一对具有第一折射系数的第一折射系数层和具有第二折射系数的第二折射系数层，所述改性层包括至少一对具有第三折射系数的第三折射系数层和具有第四折射系数的第四折射系数层，所述第三折射系数与所述第四折射系数不同，以及所述第三折射系数层和所述第四折射系数层二者中的至少一个具有第二光学厚度，该第二光学厚度既不是λ/4，也不是λ/4的奇数倍。
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公开(公告)号：CN104638080A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410363259.2
申请日：2014-07-28
CPC classification number: H01L31/035236 , G01S7/4914 , G01S17/36 , G01S17/89 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/0155 , G02F2201/34 , H01L31/02327 , H01L33/06
Abstract: 提供了一种光学设备，其包括具有两个外部势垒和在所述两个外部势垒之间的耦合量子阱的有源层。耦合量子阱包括：第一量子阱层、第二量子阱层、以及第三量子阱层、布置在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及布置在所述第二量子阱层和所述第三量子阱层之间的第二耦合势垒。第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度的每个与第二量子阱层的厚度不同。此外，第一量子阱层的能级和第三量子阱层的能级的每个与第二量子阱层的能级不同。
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公开(公告)号：CN104638080B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201410363259.2
申请日：2014-07-28
CPC classification number: H01L31/035236 , G01S7/4914 , G01S17/36 , G01S17/89 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/0155 , G02F2201/34 , H01L31/02327 , H01L33/06
Abstract: 提供了一种光学设备，其包括具有两个外部势垒和在所述两个外部势垒之间的耦合量子阱的有源层。耦合量子阱包括：第一量子阱层、第二量子阱层、以及第三量子阱层、布置在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及布置在所述第二量子阱层和所述第三量子阱层之间的第二耦合势垒。第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度的每个与第二量子阱层的厚度不同。此外，第一量子阱层的能级和第三量子阱层的能级的每个与第二量子阱层的能级不同。
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公开(公告)号：CN104977770A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410791118.0
申请日：2014-12-18
IPC: G02F1/17
CPC classification number: G02F1/01725 , B82Y20/00 , G02F1/133605 , G02F2001/0157 , G02F2001/01733 , G02F2001/0175 , G02F2001/01766 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L31/00 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/05124 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , Y02E10/548 , Y10S977/755
Abstract: 一种光学设备，包括有源层，该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。
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公开(公告)号：CN102135671A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010593275.2
申请日：2010-12-17
IPC: G02F1/017
CPC classification number: G02F1/017 , B82Y20/00 , G02F1/218 , G02F2001/0155 , G02F2201/307 , G02F2203/12
Abstract: 本发明公开了基于法布里-珀罗谐振反射的具有宽带宽的光调制器。该光调制器包括：底部分布布喇格反射器(DBR)层；包括至少一层和改性层的顶部DBR层；以及设置在底部DBR层和顶部DBR层之间的有源层，其中所述至少一层包括至少一对具有第一折射系数的第一折射系数层和具有第二折射系数的第二折射系数层，所述改性层包括至少一对具有第三折射系数的第三折射系数层和具有第四折射系数的第四折射系数层，所述第三折射系数与所述第四折射系数不同，以及所述第三折射系数层和所述第四折射系数层二者中的至少一个具有第二光学厚度，该第二光学厚度既不是λ/4，也不是λ/4的奇数倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104977770B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201410791118.0
申请日：2014-12-18
IPC: G02F1/17
CPC classification number: G02F1/01725 , B82Y20/00 , G02F1/133605 , G02F2001/0157 , G02F2001/01733 , G02F2001/0175 , G02F2001/01766 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L31/00 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/05124 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , Y02E10/548 , Y10S977/755
Abstract: 一种光学设备，包括有源层，该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。
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公开(公告)号：CN103069308A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180037846.7
申请日：2011-07-29
Applicant: 光州科学技术院
IPC: G02B1/11 , G02B5/22 , B32B9/00 , H01L31/042
CPC classification number: G02B1/11 , G02B1/115 , H01L31/0216 , H01L31/02168 , H01L31/0272 , H01L31/0284 , H01L31/0296 , H01L31/0322 , H01L31/03685 , H01L31/075 , H01L31/18 , Y02E10/548
Abstract: 本发明涉及折射率逐渐变化的多层硅无反射膜及其制备方法，以及具有该多层硅无反射膜的太阳能电池及其制备方法，本发明的特征在于，通过将硅倾斜于半导体或玻璃基板上进行蒸镀，来调节硅薄膜的折射率，且通过利用变换倾斜角来层压为多层的多层硅膜，来体现折射率逐渐变化的无反射膜。并且，对硅太阳能电池适用本发明的多层硅无反射膜，因此具有能够抑制太阳能电池的内部的反射，并具有能够提供利用高传热系数的良好的散热特性的效果。
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公开(公告)号：CN103038671A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037591.4
申请日：2011-07-29
Applicant: 光州科学技术院
CPC classification number: G02B1/11 , B82Y20/00 , G02B1/118 , H01L21/302 , H01L33/44
Abstract: 本发明涉及微纳米组合结构物、微纳米组合结构的制备方法及由微纳米组合结构集成的光学器件的制备方法，上述微纳米组合结构的制备方法包括以下步骤：在基板上形成微结构的步骤；在形成有上述微结构的基板上蒸镀金属薄膜的步骤；对上述金属薄膜进行热处理使其变形为金属粒子的步骤；以及将上述金属粒子作为掩模对形成有上述微结构的基板的整面进行刻蚀，以便在形成有上述微结构的基板的上表面形成具有光波长以下的周期且末端尖锐的楔形的无反射纳米结构的步骤，从而具有不仅制备工序简单、能够将由空气与半导体物质之间的折射率之差引起的光的反射量最小化，还能够容易适用于光学器件领域的效果。
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公开(公告)号：CN103053034A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201080068388.9
申请日：2010-11-30
Applicant: 光州科学技术院
CPC classification number: H01L33/005 , B81C1/00031 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种制备抗反射纳米结构的方法以及由该抗反射纳米结构集成的光学器件的制备方法。该制备抗反射纳米结构的方法包括：在基板上涂覆含金属离子与有机或者无机离子的结合物的溶液；采用退火工艺烧结所涂覆的溶液，来生长纳米级金属粒子；以及采用金属粒子作为掩模或者催化剂对基板进行化学刻蚀，来在基板的表面上形成亚波长纳米结构，由此采用简单的方法在短时间内制备出抗反射纳米结构而不用真空设备，来将半导体材料与空气之间的界面处的光反射最小化，且通过将该抗反射纳米结构应用于光学器件而以低成本制备大量具有良好发光效率及性能的光学器件。
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公开(公告)号：CN101336381B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680051726.1
申请日：2006-11-28
IPC: G02B3/00
CPC classification number: G02B3/0012
Abstract: 提供了一种利用化合物半导体的选择性蚀刻制造微透镜的方法和制造具有微透镜的光电器件的方法。形成微透镜包括对化合物半导体层进行构图和去除化合物半导体层的侧表面以形成大致为半球形的透镜。通过数字合金方法去除化合物半导体层的侧表面。具体而言，通过湿法蚀刻工艺去除化合物半导体层的侧表面。
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