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    光调制器
    1.
    发明授权
    光调制器 有权

    公开(公告)号：CN102135671B

    公开(公告)日：2015-08-26

    申请号：CN201010593275.2

    申请日：2010-12-17

    申请人： 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

    发明人： 赵龙哲 ,  李用卓 ,  朴勇和 ,  罗炳勋 ,  朴光模 ,  朴昌洙

    IPC分类号： G02F1/017

    CPC分类号： G02F1/017 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/218 ,  G02F2001/0155 ,  G02F2201/307 ,  G02F2203/12

    摘要： 本发明公开了基于法布里-珀罗谐振反射的具有宽带宽的光调制器。该光调制器包括：底部分布布喇格反射器(DBR)层；包括至少一层和改性层的顶部DBR层；以及设置在底部DBR层和顶部DBR层之间的有源层，其中所述至少一层包括至少一对具有第一折射系数的第一折射系数层和具有第二折射系数的第二折射系数层，所述改性层包括至少一对具有第三折射系数的第三折射系数层和具有第四折射系数的第四折射系数层，所述第三折射系数与所述第四折射系数不同，以及所述第三折射系数层和所述第四折射系数层二者中的至少一个具有第二光学厚度，该第二光学厚度既不是λ/4，也不是λ/4的奇数倍。

    用于固定显示器的量子条的装置
    2.
    发明公开
    用于固定显示器的量子条的装置 有权

    公开(公告)号：CN103885226A

    公开(公告)日：2014-06-25

    申请号：CN201410041165.3

    申请日：2014-01-27

    申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

    发明人： 陈伟丰 ,  唐国富 ,  余亚军 ,  李家鑫

    IPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/13357

    CPC分类号： G02F1/133308 ,  G02F1/017 ,  G02F1/133608 ,  G02F1/133615 ,  G02F2001/01791 ,  G02F2001/133614

    摘要： 本发明提出了一种用于固定显示器的量子条的装置，属于液晶显示技术领域。所述装置包括：沿第一方向延伸的第一支架，所述第一支架能够夹持所述量子条的长无效部分并固定连接到所述显示器的壳体，所述第一支架在第一方向上的一个端部处具有搭接结构；沿第一方向延伸的第二支架，所述第二支架能够夹持所述量子条的有效部分并固定连接到所述显示器的壳体，所述第二支架在第一方向上的两个端部处均具有搭接结构，其中，所述第一支架在至少一个所述第二支架的端部处连接到所述第二支架。根据本发明的装置可针对量子条的不同数量而灵活拼接，可同时实现单长入光、双长入光、单短入光和双短入光等多种背光源入光方式。

    一种高速石墨烯太赫兹调制器
    4.
    发明公开
    一种高速石墨烯太赫兹调制器 无效

    公开(公告)号：CN105005159A

    公开(公告)日：2015-10-28

    申请号：CN201510382058.1

    申请日：2015-07-02

    申请人： 北京航空航天大学

    发明人： 周震 ,  陈永莉 ,  冯丽爽

    IPC分类号： G02F1/015 ,  H04B10/516

    CPC分类号： G02F1/017 ,  H04B10/516

    摘要： 本发明公开了一种高速石墨烯太赫兹调制器，该调制器以超介质单元为基本结构，引入石墨烯晶体管，通过改变石墨烯晶体管栅极电压来调控超介质单元开口的通断，从而实现对太赫兹波的高速有效调制。本发明能够有效提高传统超介质太赫兹调制器的调制速率，实现对太赫兹波的高速高效调制，同时，本发明具有能够在室温下工作、可采用现有加工技术制造、微型化、集成度高等优势。

    半导体光调制器
    6.
    发明授权
    半导体光调制器 失效

    公开(公告)号：CN101529313B

    公开(公告)日：2011-05-11

    申请号：CN200780038962.4

    申请日：2007-10-24

    申请人： NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

    发明人： 石桥忠夫 ,  菊池顺裕 ,  都筑健

    IPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/015

    CPC分类号： G02F1/017 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/025 ,  G02F2202/101

    摘要： 根据本发明，能够提供一种耐压高、制作容易的npin型光调制器。根据本发明的一实施例的半导体光调制器(10)是一种在衬底侧配置阴极层(12-1)、顺序层叠的npin型的半导体光调制器，其特征在于，该npin型半导体光调制器至少包括：第一n型覆层(13-1)、p型覆层(14)、芯层(17)、及第二n型覆层(13-2)，其中p型覆层(14)与阴极层的电极(18-1)电连接。由此，伴随npin型光调制器中的光吸收，就能使向p型覆层的空穴积累被阳极侧的电极吸收。由于此npin型半导体光调制器为台面型波导结构，所以能使用现有的半导体制造技术较容易地制作此npin型半导体光调制器。

    半导体光调制器
    8.
    发明公开
    半导体光调制器 失效

    公开(公告)号：CN101529313A

    公开(公告)日：2009-09-09

    申请号：CN200780038962.4

    申请日：2007-10-24

    申请人： NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

    发明人： 石桥忠夫 ,  菊池顺裕 ,  都筑健

    IPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/015

    CPC分类号： G02F1/017 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/025 ,  G02F2202/101

    摘要： 根据本发明，能够提供一种耐压高、制作容易的npin型光调制器。根据本发明的一实施例的半导体光调制器(10)是一种在衬底侧配置阴极层(12－1)、顺序层叠的npin型的半导体光调制器，其特征在于，该npin型半导体光调制器至少包括：第一n型覆层(13－1)、p型覆层(14)、芯层(17)、及第二n型覆层(13－2)，其中p型覆层(14)与阴极层的电极(18－1)电连接。由此，伴随npin型光调制器中的光吸收，就能使向p型覆层的空穴积累被阳极侧的电极吸收。由于此npin型半导体光调制器为台面型波导结构，所以能使用现有的半导体制造技术较容易地制作此npin型半导体光调制器。

    一种基于量子限制斯塔克效应的电光调制器件制备方法
    10.
    发明公开
    一种基于量子限制斯塔克效应的电光调制器件制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105487264A

    公开(公告)日：2016-04-13

    申请号：CN201511019319.X

    申请日：2015-12-29

    申请人： 东南大学

    发明人： 张家雨 ,  樊恺 ,  廖晨

    IPC分类号： G02F1/017

    CPC分类号： G02F1/017 ,  G02F2001/01791

    摘要： 本发明是一种基于CdSe/CdS量子点及其量子限制斯塔克器件的制备方法。其量子点的制备在高温下通过恒流泵混合注入前驱体来完成，该方法新颖简单，能够得到纯纤锌矿相的、non-blinking的CdSe/CdS量子点；器件制作在石英衬底上，通过涂胶、曝光、显影、蒸镀、清洗等过程得到周期性的交叉电极结构，电极采用Au来蒸镀，各电极间距离为2μm，并在倒置显微镜下利用白光光源测量该结构上的量子点在通上电压前后的透射谱变化。