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公开(公告)号：CN101918890A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200880120609.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 公立大学法人大阪府立大学 , 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/3775 , B82Y20/00 , G02F1/017 , G02F2202/32 , G02F2203/15
Abstract: 复合光子构造元件具有光子晶体以及多层膜。光子晶体是交替层叠多组具有将基波变换为第二谐波的非线性效应的活性层、和不具有非线性效应的非活性层而形成的，构成为使基波的能量与光子带隙端一致。多层膜是层叠多组折射率不同的2种薄膜而形成的，反射基波。多层膜与光子晶体的两侧接合。通过从一侧的端面入射基波，且使基波在具有多层膜的谐振器之间往复反射，由此，使光子晶体内部的基波的强度增强。在活性层中，将基波变换为第二谐波，将第二谐波从另一侧的端面向外部取出。
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公开(公告)号：CN101960336A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107493.6
申请日：2009-11-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
IPC: G02B5/18 , H01L21/3065
CPC classification number: G02B5/1857
Abstract: 本发明提供了一种制造衍射光学元件的方法，其可以抑制从绝缘基板内部产生热以稳定刻蚀速率。一种制造衍射光学元件的方法，所述衍射光学元件由绝缘基板组成，绝缘基板的表面具有凹凸结构。所述方法包括：测量绝缘基板的电阻率并选择电阻率等于或者大于特定值的绝缘基板；以及对所述选择步骤所选的绝缘基板的表面进行干法刻蚀来在绝缘基板表面上形成凹凸结构。
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公开(公告)号：CN103443658B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280015519.6
申请日：2012-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: G02B1/02 , C04B35/547 , C04B35/645 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/78 , C04B2235/786 , C04B2235/9638 , G02B3/00
Abstract: 本发明的光学部件由ZnSe多晶体构成，所述ZnSe多晶体由晶粒构成，所述晶粒具有50μm以上且1mm以下的平均粒径，且所述ZnSe多晶体具有99%以上的相对密度。
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公开(公告)号：CN101960336B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200980107493.6
申请日：2009-11-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
IPC: G02B5/18 , H01L21/3065
CPC classification number: G02B5/1857
Abstract: 本发明提供了一种制造衍射光学元件的方法，其可以抑制从绝缘基板内部产生热以稳定刻蚀速率。一种制造衍射光学元件的方法，所述衍射光学元件由绝缘基板组成，绝缘基板的表面具有凹凸结构。所述方法包括：测量绝缘基板的电阻率并选择电阻率等于或者大于特定值的绝缘基板；以及对所述选择步骤所选的绝缘基板的表面进行干法刻蚀来在绝缘基板表面上形成凹凸结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103443658A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015519.6
申请日：2012-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: G02B1/02 , C04B35/547 , C04B35/645 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/78 , C04B2235/786 , C04B2235/9638 , G02B3/00
Abstract: 本发明的光学部件由ZnSe多晶体构成，所述ZnSe多晶体由晶粒构成，所述晶粒具有50μm以上且1mm以下的平均粒径，且所述ZnSe多晶体具有99%以上的相对密度。
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公开(公告)号：CN105899472A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201580003932.4
申请日：2015-04-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/62218 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包括铟、钨以及锌和锡中的至少一种，且包括复合氧化物晶相作为晶相，所述复合氧化物晶相包括钨以及锌和锡中的至少一种；提供了一种半导体器件(10)，所述半导体器件(10)包括通过使用氧化物烧结体作为靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜(14)。
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公开(公告)号：CN103875077A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280049140.7
申请日：2012-10-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/0281 , C23C16/345 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN105899472B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201580003932.4
申请日：2015-04-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/62218 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包括铟、钨以及锌和锡中的至少一种，且包括复合氧化物晶相作为晶相，所述复合氧化物晶相包括钨以及锌和锡中的至少一种；提供了一种半导体器件(10)，所述半导体器件(10)包括通过使用氧化物烧结体作为靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜(14)。
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公开(公告)号：CN103875077B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201280049140.7
申请日：2012-10-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/0281 , C23C16/345 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。
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