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公开(公告)号：CN103081129B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201180042210.1
申请日：2011-09-01
申请人： NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/035281 , H01L31/03046 , H01L31/1075 , Y02E10/544
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面、电极层的形状所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；以及从层叠方向看，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在第1台面（101）的电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102），n型电场控制层（7A）的总施主浓度比p型电场控制层（5）的总受主浓度低2×1011～1×1012/cm2的范围。
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公开(公告)号：CN103081129A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042210.1
申请日：2011-09-01
申请人： NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/035281 , H01L31/03046 , H01L31/1075 , Y02E10/544
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面、电极层的形状所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；以及从层叠方向看，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在第1台面（101）的电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102），n型电场控制层（7A）的总施主浓度比p型电场控制层（5）的总受主浓度低2×1011～1×1012/cm2的范围。
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公开(公告)号：CN100495741C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200580003913.8
申请日：2005-02-03
申请人： NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1075
摘要： 本发明提供同时实现操作电压的低电压化和在所应用带域中的高量子效率化的超高速雪崩光敏二极管。在雪崩光敏二极管的操作中，按照使p型光吸收层(16)除了其一部分外维持p型中性(非耗尽型光吸收层)、且低浓度光吸收层(15)被耗尽(耗尽型光吸收层)的方式确定各光吸收层的掺杂浓度分布。另外，按照如下方式确定p型光吸收层(16)的层厚度WAN和低浓度光吸收层(15)的层厚度WAD之比，即，在光吸收层的层厚度WA(＝WAN+WAD)为一定值的条件下，WAD＞0.3μm，且使在光吸收层中因光吸收而发生的载流子迁移所造成的器件响应的延迟时间最小。
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公开(公告)号：CN102257640A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980150764.6
申请日：2009-12-11
申请人： NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1075
摘要： 本发明的目的是提供具有不必高精度地控制埋入n电极构造的n型区域的掺杂剖面就能够抑制边缘击穿的构造的埋入n电极构造的电子注入型APD。本发明的APD在n电极连接层(32)和雪崩倍增层(34)之间插入有离子化率低的缓冲层(33)。具体地说，是依次层叠了n电极层(31)、n电极连接层(32)、缓冲层(33)、雪崩倍增层(34)、电场控制层(35)、带隙倾斜层(36)、低浓度光吸收层(37a)、p型光吸收层(37b)及p电极层(38)，至少由低浓度光吸收层(37a)和p型光吸收层(37b)组成的光吸收部(37)形成台面形状的电子注入型APD。
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公开(公告)号：CN103403848A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010887.1
申请日：2012-01-20
申请人： NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01L21/331 , G02F1/017 , H01L29/737 , H01L31/10
CPC分类号： H01L29/0615 , G02F1/025 , G02F2001/0157 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/205 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/7371 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/105 , Y02E10/544
摘要： 本发明的目的在于，提供可以缩小器件尺寸、降低串联电阻和抑制泄漏电流的半导体器件。本发明正是把器件动作本来不需要的电位阶差产生层插入器件的结构内。该电位阶差具有这样的功能，即，即使带隙小的半导体在台面侧面露出，也可以抑制该部分的电压降，减小对器件动作不合适的泄漏电流。异质结构双极晶体管、光电二极管和电场吸收型光调制器等都可以得到该效果。另外，在光电二极管中，由于泄漏电流缓和，所以可以缩小器件的尺寸，不仅可以通过降低串联电阻改善动作速度，还具有可以高密度地阵列状地配置器件的优点。
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公开(公告)号：CN101529313B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200780038962.4
申请日：2007-10-24
申请人： NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
CPC分类号： G02F1/017 , B82Y20/00 , G02F1/025 , G02F2202/101
摘要： 根据本发明，能够提供一种耐压高、制作容易的npin型光调制器。根据本发明的一实施例的半导体光调制器(10)是一种在衬底侧配置阴极层(12-1)、顺序层叠的npin型的半导体光调制器，其特征在于，该npin型半导体光调制器至少包括：第一n型覆层(13-1)、p型覆层(14)、芯层(17)、及第二n型覆层(13-2)，其中p型覆层(14)与阴极层的电极(18-1)电连接。由此，伴随npin型光调制器中的光吸收，就能使向p型覆层的空穴积累被阳极侧的电极吸收。由于此npin型半导体光调制器为台面型波导结构，所以能使用现有的半导体制造技术较容易地制作此npin型半导体光调制器。
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公开(公告)号：CN101529313A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038962.4
申请日：2007-10-24
申请人： NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
CPC分类号： G02F1/017 , B82Y20/00 , G02F1/025 , G02F2202/101
摘要： 根据本发明，能够提供一种耐压高、制作容易的npin型光调制器。根据本发明的一实施例的半导体光调制器(10)是一种在衬底侧配置阴极层(12－1)、顺序层叠的npin型的半导体光调制器，其特征在于，该npin型半导体光调制器至少包括：第一n型覆层(13－1)、p型覆层(14)、芯层(17)、及第二n型覆层(13－2)，其中p型覆层(14)与阴极层的电极(18－1)电连接。由此，伴随npin型光调制器中的光吸收，就能使向p型覆层的空穴积累被阳极侧的电极吸收。由于此npin型半导体光调制器为台面型波导结构，所以能使用现有的半导体制造技术较容易地制作此npin型半导体光调制器。
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公开(公告)号：CN1914741A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003913.8
申请日：2005-02-03
申请人： NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1075
摘要： 本发明提供同时实现操作电压的低电压化和在所应用带域中的高量子效率化的超高速雪崩光敏二极管。在雪崩光敏二极管的操作中，按照使p型光吸收层(16)除了其一部分外维持p型中性(非耗尽型光吸收层)、且低浓度光吸收层(15)被耗尽(耗尽型光吸收层)的方式确定各光吸收层的掺杂浓度分布。另外，按照如下方式确定p型光吸收层(16)的层厚度WAN和低浓度光吸收层(15)的层厚度WAD之比，即，在光吸收层的层厚度WA(＝WAN+WAD)为一定值的条件下，WAD＞0.3μm，且使在光吸收层中因光吸收而发生的载流子迁移所造成的器件响应的延迟时间最小。
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公开(公告)号：CN103403848B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201280010887.1
申请日：2012-01-20
申请人： NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01L21/331 , G02F1/017 , H01L29/737 , H01L31/10
CPC分类号： H01L29/0615 , G02F1/025 , G02F2001/0157 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/205 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/7371 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/105 , Y02E10/544
摘要： 本发明的目的在于，提供可以缩小器件尺寸、降低串联电阻和抑制泄漏电流的半导体器件。本发明正是把器件动作本来不需要的电位阶差产生层插入器件的结构内。该电位阶差具有这样的功能，即使带隙小的半导体在台面侧面露出，也可以抑制该部分的电压降，减小对器件动作不合适的泄漏电流。异质结构双极晶体管、光电二极管和电场吸收型光调制器等都可以得到该效果。另外，在光电二极管中，由于泄漏电流缓和，所以可以缩小器件的尺寸，不仅可以通过降低串联电阻改善动作速度，还具有可以高密度地阵列状地配置器件的优点。
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公开(公告)号：CN100430780C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200480028898.8
申请日：2004-10-04
申请人： NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 本发明涉及一种具有可执行光调制器的稳定动作之nin型异质结构的半导体光电子波导通路。在构造确定为在动作光波长下光电效果有效作用、且光吸收不成问题的芯层(11)的上面与下面，为了使光吸收产生的载流子不在异质界面处陷波，设置具有比芯层(11)的频带间隙大的频带间隙之中间包覆层(12-1和12-2)，在中间包覆层(12-1)的上面和中间包覆层(12-2)的下面，分别设置具有比这些中间包覆层大的频带间隙之包覆层(13-1和13-2)。在包覆层(13-1)的上面，依次层叠p型层(15)与n型层(16)，在动作状态下使用的施加电压范围下，耗尽p型层(15)的整个区域与n型层(16)的部分区域或整个区域。
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