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公开(公告)号：CN106980188B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201611186285.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/017 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/105
Abstract: 提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。
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公开(公告)号：CN106980188A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201611186285.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/017 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/105
CPC classification number: H01L33/06 , G02F1/01725 , G02F2001/01733 , H01L33/30 , H01L33/60 , G02F2001/01766 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105
Abstract: 提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。
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公开(公告)号：CN106898949A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201610877534.1
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/343 , H01S5/06 , H04N13/204
Abstract: 本发明公开了一种边缘发射激光光源和包括该边缘发射激光光源的三维(3D)图像获取装置。边缘发射激光光源包括基底；设置在基底上的活性层；波长选择部分，包括配置为选择从活性层发射的光的波长的光栅区域；以及增益部分，配置为使具有选择的波长的光在与活性层平行的方向上共振。
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公开(公告)号：CN114361271A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110242570.1
申请日：2021-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L27/144 , H01L31/18
Abstract: 一种光检测器件，包括：光吸收层，被配置为吸收从可见光到短波红外(SWIR)的波长范围内的光；第一半导体层，设置在光吸收层的第一表面上；抗反射层，设置在第一半导体层上，并且包括相对于第一半导体层具有蚀刻选择性的材料；以及第二半导体层，设置在光吸收层的第二表面上，第一半导体层具有小于500nm的厚度，以被配置为允许在从可见光到SWIR的波长范围内的光透射通过。
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公开(公告)号：CN104638080A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410363259.2
申请日：2014-07-28
CPC classification number: H01L31/035236 , G01S7/4914 , G01S17/36 , G01S17/89 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/0155 , G02F2201/34 , H01L31/02327 , H01L33/06
Abstract: 提供了一种光学设备，其包括具有两个外部势垒和在所述两个外部势垒之间的耦合量子阱的有源层。耦合量子阱包括：第一量子阱层、第二量子阱层、以及第三量子阱层、布置在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及布置在所述第二量子阱层和所述第三量子阱层之间的第二耦合势垒。第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度的每个与第二量子阱层的厚度不同。此外，第一量子阱层的能级和第三量子阱层的能级的每个与第二量子阱层的能级不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104977770B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201410791118.0
申请日：2014-12-18
IPC: G02F1/17
CPC classification number: G02F1/01725 , B82Y20/00 , G02F1/133605 , G02F2001/0157 , G02F2001/01733 , G02F2001/0175 , G02F2001/01766 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L31/00 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/05124 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , Y02E10/548 , Y10S977/755
Abstract: 一种光学设备，包括有源层，该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。
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公开(公告)号：CN109427924A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810211943.7
申请日：2018-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101
CPC classification number: H01L27/14649 , A61B5/443 , B82Y20/00 , G01J1/44 , G01J5/024 , G01J5/046 , G01J5/0853 , G01J2001/4446 , G01N21/3554 , H01L27/146 , H01L27/14669 , H01L27/14694 , H01L31/022466 , H01L31/03046 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/03845 , H01L31/1013 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/101
Abstract: 提供了红外检测器和包括红外检测器的红外传感器。红外检测器包括彼此间隔开的包括第一组分的多个量子点，并且，覆盖所述多个量子点的第一半导体层以及覆盖所述第一半导体层的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN113284969A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010688954.1
申请日：2020-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 提供了红外检测设备和包括红外检测设备的红外检测系统。红外检测设备包括至少一个红外检测器，所述至少一个红外检测器包括衬底、缓冲层和至少一个光吸收部分。所述缓冲层包括超晶格结构。
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公开(公告)号：CN104638080B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201410363259.2
申请日：2014-07-28
CPC classification number: H01L31/035236 , G01S7/4914 , G01S17/36 , G01S17/89 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/0155 , G02F2201/34 , H01L31/02327 , H01L33/06
Abstract: 提供了一种光学设备，其包括具有两个外部势垒和在所述两个外部势垒之间的耦合量子阱的有源层。耦合量子阱包括：第一量子阱层、第二量子阱层、以及第三量子阱层、布置在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及布置在所述第二量子阱层和所述第三量子阱层之间的第二耦合势垒。第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度的每个与第二量子阱层的厚度不同。此外，第一量子阱层的能级和第三量子阱层的能级的每个与第二量子阱层的能级不同。
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公开(公告)号：CN104977770A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410791118.0
申请日：2014-12-18
IPC: G02F1/17
CPC classification number: G02F1/01725 , B82Y20/00 , G02F1/133605 , G02F2001/0157 , G02F2001/01733 , G02F2001/0175 , G02F2001/01766 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L31/00 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/05124 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , Y02E10/548 , Y10S977/755
Abstract: 一种光学设备，包括有源层，该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。
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