发明授权
- 专利标题： 光半导体元件
- 专利标题（英）： Optical semiconductor
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申请号： CN200510090673.1申请日： 2005-08-18
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公开(公告)号： CN100530867C公开(公告)日： 2009-08-19
- 发明人: 中原宏治 , 工藤真 , 田中滋久 , 白井正敬
- 申请人： 株式会社日立制作所
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人： 日本奥兰若株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理商 郝庆芬
- 优先权： 2005-003365 2005.01.11 JP
- 主分类号： H01S5/343
- IPC分类号： H01S5/343
摘要：
在将导入了应力的量子阱层作为活性层的半导体激光器或电场吸收型调制器中，因为能带结构，特别是无法独立地调整ΔEc与ΔEv，所以在激光器特性或调制特性的最佳化上产生了瓶颈。在n型InP晶片1上依次层叠n型InGaAlAs-GRIN-SCH层3、MQW层4、p型InGaAlAs-GRIN-SCH层5、p型InAlAs电子阻止层6等，MQW层4由InGaAlAs的应力阱层和由InGaAlAsSb构成的，具有和阱层符号相反的应力的阻挡层构成。
公开/授权文献
- CN1805231A 光半导体元件 公开/授权日：2006-07-19
