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    挤出失效监视器结构及其方法
    1.
    发明授权
    挤出失效监视器结构及其方法 失效

    公开(公告)号：CN101364591B

    公开(公告)日：2011-12-28

    申请号：CN200810145599.2

    申请日：2008-08-05

    申请人： 国际商业机器公司

    发明人： R·G·菲利皮 ,  J·R·小劳埃德

    IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/00 ,  H01L21/768

    CPC分类号： G01R31/2858 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 本发明涉及挤出失效监视器结构及其方法。一种用于监视挤出失效的结构和方法。所述结构包括：具有第一和第二端的测试布线；接触所述测试布线的第一和第二端的第一和第二过孔；与所述测试布线电隔离并围绕所述测试布线的周边的第一监视器结构；以及在所述测试布线之上的第二监视器结构，所述第二监视器结构与所述测试布线电隔离，所述第二监视器结构在所述测试布线的至少所述第一端之上延伸。

    电致迁移测试装置及电致迁移测试方法
    2.
    发明公开
    电致迁移测试装置及电致迁移测试方法 失效

    公开(公告)号：CN1662823A

    公开(公告)日：2005-08-31

    申请号：CN03814804.8

    申请日：2003-06-25

    申请人： 因芬尼昂技术股份公司

    发明人： J·冯哈根

    IPC分类号： G01R31/316

    CPC分类号： G01R31/2858 ,  G01R31/2648 ,  G01R31/2853

    摘要： 本发明系一种电致迁移测试装置，这种电致迁移测试装置具有一个直流电源(101)及一个交流电源(102)。此外，这种电致迁移测试装置还具有一个带有导电结构(100)的电路(104)，导电结构(100)与直流电源(101)及交流电源(102)均有连接。此外，这种电致迁移测试装置还具有一个可以量测呈现导电结构内的电致迁移的电参数用的量测装置。交流电源(102)提供给导电结构(100)的交流电能够将导电装置(100)加热至预定的温度，而且这个交流电不会受到直流电的影响。

    测试结构及测试半导体衬底的方法
    5.
    发明公开
    测试结构及测试半导体衬底的方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN102034794A

    公开(公告)日：2011-04-27

    申请号：CN200910057966.8

    申请日：2009-09-28

    申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

    发明人： 阮玮玮 ,  龚斌 ,  施雯

    IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  G01R31/02

    CPC分类号： G01R31/2858 ,  G01R31/2884 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 根据本发明的测试结构的一个实施例包括金属化层的一对互相交叉的梳状部分，所述金属化层存在于形成在多晶硅加热器元件上的间层电介质(ILD)的凹陷中。所述金属化层的第三部分包括插入所述梳状部分之间的蛇形金属线。在各金属化部分的各个节点处的强制电压的施加以及读出电压的检测使得能够识别以下各项：(1)各金属化部分中金属的电迁移；(2)金属从一个金属化部分伸出而接触到另一金属化部分；(3)ILD的依赖于时间的电介质击穿(TDDB)及击穿电压(Vbd)；(4)移动离子对各金属化部分的污染；及(5)ILD的介电常数k值和k值的漂移。可向多晶硅加热器施加偏置电压，以实现测试期间的温度控制。

    一种电迁移失效的剩余寿命预测方法和装置
    7.
    发明公开
    一种电迁移失效的剩余寿命预测方法和装置 有权

    公开(公告)号：CN102955121A

    公开(公告)日：2013-03-06

    申请号：CN201210424774.8

    申请日：2012-10-30

    申请人： 工业和信息化部电子第五研究所

    发明人： 陈义强 ,  恩云飞 ,  章晓文 ,  黄云 ,  陆裕东

    IPC分类号： G01R31/26

    CPC分类号： G01R31/2642 ,  G01R31/2601 ,  G01R31/2639 ,  G01R31/2858

    摘要： 本发明提出一种电迁移失效的剩余寿命预测方法，包括步骤：建立MOS器件的电迁移寿命模型；根据预设的正常工作条件下的电流密度和第一环境温度，以及电迁移寿命模型，获取正常电迁移失效的寿命T1；根据目标预兆点T2和第二环境温度，以及电迁移寿命模型，获取电流密度应力；将电流密度应力输入基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路；若基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路经过时间T3后输出高电平，则根据T1、T2以及T3，获取对应T2的电迁移失效的剩余寿命。本发明还提出一种电迁移失效的剩余寿命预测装置，可以提高预测MOS器件电迁移失效剩余寿命的可靠性，提高预测效率，降低成本。

    测试结构及测试半导体衬底的方法
    8.
    发明授权
    测试结构及测试半导体衬底的方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN102034794B

    公开(公告)日：2012-10-31

    申请号：CN200910057966.8

    申请日：2009-09-28

    申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

    发明人： 阮玮玮 ,  龚斌 ,  施雯

    IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  G01R31/02

    CPC分类号： G01R31/2858 ,  G01R31/2884 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 根据本发明的测试结构的一个实施例包括金属化层的一对互相交叉的梳状部分，所述金属化层存在于形成在多晶硅加热器元件上的间层电介质(ILD)的凹陷中。所述金属化层的第三部分包括插入所述梳状部分之间的蛇形金属线。在各金属化部分的各个节点处的强制电压的施加以及读出电压的检测使得能够识别以下各项：(1)各金属化部分中金属的电迁移；(2)金属从一个金属化部分伸出而接触到另一金属化部分；(3)ILD的依赖于时间的电介质击穿(TDDB)及击穿电压(Vbd)；(4)移动离子对各金属化部分的污染；及(5)ILD的介电常数k值和k值的漂移。可向多晶硅加热器施加偏置电压，以实现测试期间的温度控制。

    电致迁移测试装置及电致迁移测试方法
    9.
    发明授权
    电致迁移测试装置及电致迁移测试方法 失效

    公开(公告)号：CN100412561C

    公开(公告)日：2008-08-20

    申请号：CN03814804.8

    申请日：2003-06-25

    申请人： 因芬尼昂技术股份公司

    发明人： J·冯哈根

    IPC分类号： G01R31/316

    CPC分类号： G01R31/2858 ,  G01R31/2648 ,  G01R31/2853

    摘要： 本发明涉及一种电致迁移测试装置，这种电致迁移测试装置具有一个直流电源(101)及一个交流电源(102)。此外，这种电致迁移测试装置还具有一个带有导电结构(100)的电路(104)，导电结构(100)与直流电源(101)及交流电源(102)均有连接。此外，这种电致迁移测试装置还具有一个可以量测呈现导电结构内的电致迁移的电参数用的量测装置。交流电源(102)提供给导电结构(100)的交流电能够将导电装置(100)加热至预定的温度，而且这个交流电不会受到直流电的影响。