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公开(公告)号：CN108122847B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201710468207.5
申请日：2017-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/02
Abstract: 一种半导体装置包括衬底、位于所述衬底上的第一晶体管及位于所述衬底上的第二晶体管。所述第一晶体管具有第一阈值电压，且所述第一晶体管的沟道区及源极/漏极区为N型。所述第二晶体管具有第二阈值电压，所述第二晶体管的沟道区为N型且所述第二晶体管的源极/漏极区为P型，并且所述第一阈值电压的绝对值实质上等于所述第二阈值电压的绝对值。
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公开(公告)号：CN100563007C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200710136890.9
申请日：2007-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 一种静电放电防护电路，该静电放电防护电路包括硅控整流器(siliconcontrolled rectifier；SCR)以及金属氧化物半导体触发元件，该硅控整流器有阴极与阳极，阴极连接至第一固定电位，该金属氧化物半导体触发元件有栅极、连接至该第一固定电位的源极以及连接至该阳极的漏极，此外，该金属氧化物半导体触发元件实体上不位于该硅控整流器之内。根据本发明的静电放电防护电路，在硅控整流器导通后只有微小电流通过，该金属氧化物半导体触发元件因此可免于静电放电脉冲的破坏，也形成较为耐用的静电放电防护作用。
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公开(公告)号：CN106340582B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201610010247.0
申请日：2016-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 可以在具有热电器件的半导体器件中实施Fin FET技术的集成热电器件的操作。热电器件包括衬底和设置在衬底上的鳍结构。热电器件包括设置在鳍结构的相对端部上的第一连接层和第二连接层。热电器件包括热耦合至鳍结构的相对端部的第一导热结构和第二导热结构。鳍结构可以配置为基于流经鳍结构的电流的方向，将热量从第一导热结构和第二导热结构中的一个导热结构转移至另一导热结构。在这点上，可以通过电耦合至热电器件的电源电路来调节电流的流动。本发明还提供了鳍式FET技术的集成热电器件。
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公开(公告)号：CN1825623A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510136573.8
申请日：2005-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/72 , H01L27/02 , H01L23/60 , H01L21/331 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/7436 , H01L29/74
Abstract: 一种双载流子硅控整流器电路以及其形成方法，用于静电放电防护。此硅控整流器电路包括一双载流子装置，形成于一半导体基板上。此双载流子装置包括至少一N型阱以及一P+材料。N型阱用以提供较高的电阻，而P+材料则作为一集电极，以提供一高电阻。至少一N型防护环以及一P型防护环围绕于双载流子装置，其中，当一静电放电事件发生时，双载流子装置的N型阱以及P+材料所提供的高电阻会提高导通速率。
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公开(公告)号：CN108122847A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710468207.5
申请日：2017-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/02
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L27/1203 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/42392 , H01L29/4908 , H01L29/785 , H01L29/78618 , H01L29/78621 , H01L29/78696 , H01L2029/7857 , H01L21/823431 , H01L21/823412 , H01L27/0203
Abstract: 一种半导体装置包括衬底、位于所述衬底上的第一晶体管及位于所述衬底上的第二晶体管。所述第一晶体管具有第一阈值电压，且所述第一晶体管的沟道区及源极/漏极区为N型。所述第二晶体管具有第二阈值电压，所述第二晶体管的沟道区为N型且所述第二晶体管的源极/漏极区为P型，并且所述第一阈值电压的绝对值实质上等于所述第二阈值电压的绝对值。
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公开(公告)号：CN101726701B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910205552.5
申请日：2009-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G01R31/2874 , G01R31/2858
Abstract: 一种在器件上执行偏置温度不稳定性测试的方法包括在器件上执行第一应力。第一应力后，执行第一测量来确定器件的第一参数。第一测量后，在器件上执行第二应力，其中第一应力和第二应力之间仅测量第一参数。该方法还包括在第二应力后执行第二测量来确定器件的第二参数。第二参数与第一参数不同。
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公开(公告)号：CN101630673A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910007363.7
申请日：2009-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0259 , H01L27/1203
Abstract: 一静电放电保护电路包括：一埋藏氧化层；设置于埋藏氧化层上的一半导体层；以及一第一与一第二金属氧化半导体装置。第一金属氧化半导体装置包括设置于半导体层上方的第一栅极；具有一部分设置于第一栅极下方的第一阱区；以及设置于半导体层内第一源极区域与第一漏极区域。第二金属氧化半导体装置包括：设置于半导体层上方的第二栅极；具有一部分设置于上述第二栅极下方的第二阱区。第二阱区耦接至一放电端点，并且第一阱区并不直接连接至放电端点，而是通过第二阱区耦接至放电端点。第二金属氧化半导体装置还包括设置于半导体层内并且邻接第二阱区的第二源极区域与第二漏极区域。本发明可以显著地增加ESD电路的可靠度。
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公开(公告)号：CN101068018A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710002456.1
申请日：2007-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是提供一种半导体装置，特别涉及一种具有一堆叠接触结构的半导体装置，其中堆叠接触结构包含填充一第一导电材料于一第一接触孔的一第一接触插塞，以及填充一第二导电材料于一第二接触孔的一第二接触插塞。第二导电材料与第一导电材料为不同的材料，且第二导电材料的电阻小于第一导电材料的电阻。本发明所述的半导体装置，可降低堆叠接触结构的有效接触电阻，改善耦接的电阻电容。
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公开(公告)号：CN106340582A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610010247.0
申请日：2016-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L35/32 , H01L27/16 , H01L29/785 , H01L35/30 , H01L35/34 , H01L35/00 , H01L35/02
Abstract: 可以在具有热电器件的半导体器件中实施Fin FET技术的集成热电器件的操作。热电器件包括衬底和设置在衬底上的鳍结构。热电器件包括设置在鳍结构的相对端部上的第一连接层和第二连接层。热电器件包括热耦合至鳍结构的相对端部的第一导热结构和第二导热结构。鳍结构可以配置为基于流经鳍结构的电流的方向，将热量从第一导热结构和第二导热结构中的一个导热结构转移至另一导热结构。在这点上，可以通过电耦合至热电器件的电源电路来调节电流的流动。本发明还提供了鳍式FET技术的集成热电器件。
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公开(公告)号：CN103000614A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210015273.4
申请日：2012-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/525 , G01R31/26
CPC classification number: H01L23/5256 , G01R31/2853 , G01R31/2858 , G01R31/2884 , H01L22/34 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开的是半导体器件部件及方法。在一个实施例中，半导体器件部件包括导电部分，该导电部分具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、第一端部、以及与第一端部相对的第二端部。第一通孔在第一端部处与导电部分的第二表面相连接。第二通孔在第二端部处与导电部分的第一表面相连接，并且第三通孔在第二端部处与导电部分的第二表面相连接。
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