公开(公告)号：CN114975351A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210135898.8

申请日：2022-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张骏伟 ,  黄宣铭 ,  林建宏 ,  谢明宏 ,  张敏妮 ,  王明义

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构及制造半导体结构的方法。所述半导体结构包含封装结构。所述封装结构包含：钝化层，其形成在互连结构上方；导电结构，其形成在所述钝化层上且延伸穿过所述钝化层以电接触所述互连结构；电介质结构，其形成在所述钝化层上方且包围所述导电结构以暴露所述导电结构的顶面的至少一部分；及金属保护结构，其形成在从所述电介质结构暴露的所述导电结构的所述顶面上。所述金属保护结构的顶面与所述电介质结构的顶面对准或低于所述电介质结构的顶面。

公开(公告)号：CN103000614B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210015273.4

申请日：2012-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林碧玲 ,  林建宏 ,  谢明宏 ,  陈立德 ,  施教仁 ,  邱垂青

IPC: H01L23/525 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L23/5256 ,  G01R31/2853 ,  G01R31/2858 ,  G01R31/2884 ,  H01L22/34 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开的是半导体器件部件及方法。在一个实施例中，半导体器件部件包括导电部分，该导电部分具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、第一端部、以及与第一端部相对的第二端部。第一通孔在第一端部处与导电部分的第二表面相连接。第二通孔在第二端部处与导电部分的第一表面相连接，并且第三通孔在第二端部处与导电部分的第二表面相连接。

公开(公告)号：CN113363235A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110579205.X

申请日：2021-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建宏 ,  张新君 ,  谢明宏 ,  王明义 ,  卢胤龙

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了具有贯穿电路通孔(TCV)的集成电路(IC)及其形成方法。IC包括：半导体器件；分别设置在半导体器件的第一和第二表面上的第一和第二互连结构；分别设置在衬底的前表面和后表面上的第一和第二层间电介质(ILD)层；以及设置在第一和第二互连结构、第一和第二ILD层以及衬底内的TCV。TCV通过衬底的部分以及第一和第二ILD层的部分与半导体器件间隔开。布置在衬底的前表面上的TCV的第一端连接到第一互连结构的导线，布置在衬底的后表面上的TCV的第二端连接到第二互连结构的导线。

公开(公告)号：CN113363235B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202110579205.X

申请日：2021-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建宏 ,  张新君 ,  谢明宏 ,  王明义 ,  卢胤龙

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了具有贯穿电路通孔(TCV)的集成电路(IC)及其形成方法。IC包括：半导体器件；分别设置在半导体器件的第一和第二表面上的第一和第二互连结构；分别设置在衬底的前表面和后表面上的第一和第二层间电介质(ILD)层；以及设置在第一和第二互连结构、第一和第二ILD层以及衬底内的TCV。TCV通过衬底的部分以及第一和第二ILD层的部分与半导体器件间隔开。布置在衬底的前表面上的TCV的第一端连接到第一互连结构的导线，布置在衬底的后表面上的TCV的第二端连接到第二互连结构的导线。

公开(公告)号：CN103000614A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210015273.4

申请日：2012-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林碧玲 ,  林建宏 ,  谢明宏 ,  陈立德 ,  施教仁 ,  邱垂青

IPC: H01L23/525 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01L23/5256 ,  G01R31/2853 ,  G01R31/2858 ,  G01R31/2884 ,  H01L22/34 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开的是半导体器件部件及方法。在一个实施例中，半导体器件部件包括导电部分，该导电部分具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、第一端部、以及与第一端部相对的第二端部。第一通孔在第一端部处与导电部分的第二表面相连接。第二通孔在第二端部处与导电部分的第一表面相连接，并且第三通孔在第二端部处与导电部分的第二表面相连接。