公开(公告)号：CN116417400A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202210906184.2

申请日：2022-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张敏妮 ,  黄宣铭

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明实施例涉及一种具有圆角钝化层的半导体结构及其制造方法。本揭露描述了具有圆角钝化层的半导体结构以及用于形成这种结构的方法。所述方法包含在衬底上形成第一绝缘层，其中前述衬底包含第一导电结构。所述方法进一步包含在第一绝缘层中形成开口以暴露第一导电结构并在第一绝缘层上形成第二导电结构，其中前述第二导电结构通过开口与第一导电结构接触。所述方法进一步包含以第一蚀刻条件移除第二导电结构的一部分，以不同于第一蚀刻条件的第二蚀刻条件移除第一绝缘层的一部分，以在第二导电结构的侧壁以及第一绝缘层的顶部表面之间形成圆角，在第一绝缘层以及第二导电结构上沉积第二绝缘层。

公开(公告)号：CN114975351A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210135898.8

申请日：2022-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张骏伟 ,  黄宣铭 ,  林建宏 ,  谢明宏 ,  张敏妮 ,  王明义

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构及制造半导体结构的方法。所述半导体结构包含封装结构。所述封装结构包含：钝化层，其形成在互连结构上方；导电结构，其形成在所述钝化层上且延伸穿过所述钝化层以电接触所述互连结构；电介质结构，其形成在所述钝化层上方且包围所述导电结构以暴露所述导电结构的顶面的至少一部分；及金属保护结构，其形成在从所述电介质结构暴露的所述导电结构的所述顶面上。所述金属保护结构的顶面与所述电介质结构的顶面对准或低于所述电介质结构的顶面。

公开(公告)号：CN220604686U

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202321437195.7

申请日：2023-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建宏 ,  盧胤龙 ,  何军 ,  黄宣铭 ,  张新君

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本实用新型实施例涉及具有石墨烯‑金属混合式互连件的集成电路。石墨烯的材料性质可用于提高集成电路中互连件的性能。避开涉及将石墨烯沉积到铜表面上的挑战的一种方式是将石墨烯并入到块状金属层中以产生混合式金属/石墨烯互连结构。可产生此混合式结构替代或外加在金属表面上形成石墨烯膜作为金属盖层。用于将石墨烯嵌入到铜镶嵌层中的第一方法是使金属填充过程与石墨烯沉积交替以产生复合石墨烯基质。第二方法是将碳原子植入到金属的表面层中。第三方法是使石墨烯片分散于镶嵌铜镀覆液中以产生分布式石墨烯基质。这些方法的任何组合可用于增强互连件的导电性。