公开(公告)号：CN116417400A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202210906184.2

申请日：2022-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张敏妮 ,  黄宣铭

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明实施例涉及一种具有圆角钝化层的半导体结构及其制造方法。本揭露描述了具有圆角钝化层的半导体结构以及用于形成这种结构的方法。所述方法包含在衬底上形成第一绝缘层，其中前述衬底包含第一导电结构。所述方法进一步包含在第一绝缘层中形成开口以暴露第一导电结构并在第一绝缘层上形成第二导电结构，其中前述第二导电结构通过开口与第一导电结构接触。所述方法进一步包含以第一蚀刻条件移除第二导电结构的一部分，以不同于第一蚀刻条件的第二蚀刻条件移除第一绝缘层的一部分，以在第二导电结构的侧壁以及第一绝缘层的顶部表面之间形成圆角，在第一绝缘层以及第二导电结构上沉积第二绝缘层。

公开(公告)号：CN112133690A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010177673.X

申请日：2020-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴东骏 ,  卢胤龙 ,  张敏妮 ,  王明义

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构。一种包含金属‑绝缘体‑金属MIM电容器的半导体结构包含：衬底；MIM电容器，其安置于所述衬底上方；第一绝缘层，其安置于所述MIM电容器上方；氧化物‑氮化物‑氧化物‑氮化物ONON堆叠，其安置于所述第一绝缘层上方；连接通路，其安置于所述第一绝缘层中；及连接垫，其安置于所述ONON堆叠中且与所述连接通路接触。所述ONON堆叠覆盖所述连接垫的侧壁及所述连接垫的顶面的部分。

公开(公告)号：CN115312450A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210173983.3

申请日：2022-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张敏妮 ,  邹昀晋 ,  巫清景 ,  陈秀帆 ,  王明义

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及围绕TSV的虚设堆叠结构及其形成方法。一种方法包括：在半导体衬底之上形成多个低k电介质层；形成延伸到所述多个低k电介质层中的至少一个低k电介质层的第一多个虚设堆叠结构；在所述多个低k电介质层之上形成多个非低k电介质层；以及形成延伸到所述多个非低k电介质层中的第二多个虚设堆叠结构。所述第二多个虚设堆叠结构位于所述第一多个虚设堆叠结构中对应的虚设堆叠结构之上，并连接到所述对应的虚设堆叠结构。所述方法还包括蚀刻所述多个非低k电介质层、所述多个低k电介质层和所述半导体衬底以形成过孔开口。所述过孔开口被所述第一多个虚设堆叠结构和所述第二多个虚设堆叠结构包围。然后填充所述过孔开口以形成穿孔。

公开(公告)号：CN114975351A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210135898.8

申请日：2022-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张骏伟 ,  黄宣铭 ,  林建宏 ,  谢明宏 ,  张敏妮 ,  王明义

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构及制造半导体结构的方法。所述半导体结构包含封装结构。所述封装结构包含：钝化层，其形成在互连结构上方；导电结构，其形成在所述钝化层上且延伸穿过所述钝化层以电接触所述互连结构；电介质结构，其形成在所述钝化层上方且包围所述导电结构以暴露所述导电结构的顶面的至少一部分；及金属保护结构，其形成在从所述电介质结构暴露的所述导电结构的所述顶面上。所述金属保护结构的顶面与所述电介质结构的顶面对准或低于所述电介质结构的顶面。