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公开(公告)号：CN113966099B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110738712.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺，包括如下步骤：在带有附着层的陶瓷基片上实施一次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm；将掩膜版紧密贴合在一次镀金后涂覆有光敏胶的基片表面，曝光后进行显影、定影以及金属层的腐蚀，完成在金镀层上的光刻；在光刻后的金镀层上镀铜，形成的铜镀层的厚度为3～5μm；在铜镀层上镀镍，形成的镍镀层的厚度为0.5～1μm；在镍镀层上实施二次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm。本发明通过特有的膜层结构设计，基于薄膜陶瓷电路板制作工艺，采用“四镀一刻”的方式，解决了较厚膜层电路的制作问题，达到较高的图形精度与膜层附着力，实现多种功能，满足大功率电路的需求。
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公开(公告)号：CN117810091A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311854911.6
申请日：2023-12-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01L21/50 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种星载功率器件与导热载体的组装方法，包括：在导热载体上设计长方体形状的凹槽，采用无水乙醇擦洗功率器件底部安装面，采用无水乙醇超声清洗导热载体并晾干；采用防静电胶带粘贴功率器件正面区域进行保护；将纳米银浆涂覆到功率器件底部安装面上；在氮气环境中预烘纳米银浆涂覆件，预烘温度120℃‑150℃，预烘时间30min‑60min；将功率器件安装到导热载体上的凹槽内；设置热压机参数：烧结温度为180℃‑210℃，烧结压力为15Mpa‑30Mpa，时间为20‑60min；制作烧结工装。本发明使功率器件与导热载体组件整体热耗散能力增强。
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公开(公告)号：CN103668132B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310635166.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明一种活化溶液及其在镁合金化学镀镍层中的应用；该活化溶液中溶质包括柠檬酸、焦磷酸钾、氟化氢铵；柠檬酸的浓度为30～120g/L，焦磷酸钾的浓度为10～60g/L，氟化氢铵的浓度为10～100g/L；利用该溶液对镁合金化学镀镍层进行处理的过程为：采用丙酮或乙醇浸泡或超声对镁合金化学镀镍层进行清洗；将清洗后的镁合金化学镀镍层自然晾干；采用强碱性除油溶液，对镁合金化学镀镍层表面作二次除油；采用二级或多级流动水对二次除油镁合金化学镀镍层表面进行清洗；利用活化溶液对清洗后的镁合金化学镀镍层在15℃～35℃下进行活化处理1～10min；将活化处理后的镁合金化学镀镍层进行镀铜、镀银、镀金等后续镀层操作。
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公开(公告)号：CN116403898A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310376595.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 西安空间无线电技术研究所 , 电子科技大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/66 , H01Q21/00 , H01Q13/02
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种以激光辅助刻蚀绝缘层介质制作深硅刻蚀的方法及应用，用HF酸、丙酮、无水乙醇依次对Si片进行清洗，去除表面自然氧化的氧化层以及其他的无机物；在待刻蚀的Si基板上，通过化学气相沉积工艺沉积一层绝缘层介质作为硬掩膜；将沉积完绝缘层介质的Si片表面进行高温氧化处理；利用激光刻蚀工艺在Si片表面刻出图形；将刻完图形的Si片进行标准的BOSCH干法刻蚀工艺，直到刻穿。本发明采用具有与Si高刻蚀选择比的绝缘层介质作为硬掩膜，相比于常规的光刻胶掩膜，具有更好的通孔形貌和质量；采用激光辅助刻蚀绝缘层介质，相比常规的深硅刻蚀工艺，工艺步骤少、效率高、成本低。
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公开(公告)号：CN115360109A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210901152.3
申请日：2022-07-28
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明公开了多用途多层低温金金键合工装，定位槽块中设有基板定位槽，各待键合基板利用定位销固定，面积较大的压块二将压强传递至待键合基板上。该工装具有压强放大功能。本发明还公开了多用途多层低温金金键合方法，首先在待键合基板上形成高精度通孔及定位孔，并在表面制备均匀性好的键合用金属膜层。将待键合基板按键合顺序依次固定在工装中，通过等静压设备施加温度及压力，完成键合。本发明显著降低键合温度，为多种材质的基板之间的紧密键合提供了可靠、便利的途径，且基板键合层数不受限制，特别是为带内埋芯片基板的键合提供了一种有效的方法，满足了内埋芯片对于环境温度的使用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103668132A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310635166.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明一种活化溶液及其在镁合金化学镀镍层中的应用；该活化溶液中溶质包括柠檬酸、焦磷酸钾、氟化氢铵；柠檬酸的浓度为30～120g/L，焦磷酸钾的浓度为10～60g/L，氟化氢铵的浓度为10～100g/L；利用该溶液对镁合金化学镀镍层进行处理的过程为：采用丙酮或乙醇浸泡或超声对镁合金化学镀镍层进行清洗；将清洗后的镁合金化学镀镍层自然晾干；采用强碱性除油溶液，对镁合金化学镀镍层表面作二次除油；采用二级或多级流动水对二次除油镁合金化学镀镍层表面进行清洗；利用活化溶液对清洗后的镁合金化学镀镍层在15℃～35℃下进行活化处理1～10min；将活化处理后的镁合金化学镀镍层进行镀铜、镀银、镀金等后续镀层操作。
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公开(公告)号：CN117352985A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311258418.8
申请日：2023-09-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ka频段台阶式射频腔的非气密封装方法，包括：S1对微波基板进行预处理；S2将芯片贴装于微波基板的下沉台阶腔中；S3利用键合引线，将芯片的射频和低频输入输出焊盘与下沉台阶腔中的键合焊盘互联；S4将步骤S3所得的芯片与微波基板的组合进行清洗；S5在芯片上方涂覆环氧绝缘胶，对涂覆环氧绝缘胶后的芯片与微波基板的组合进行预热，使预热状态下的环氧绝缘胶对下沉台阶腔中的芯片和键合引线进行包覆；S6使环氧绝缘胶进行固化；S7在固化的环氧绝缘胶上方粘接吸波材料。本发明在微波基板的台阶腔中实现了射频硅芯片组装、保护和电磁屏蔽，工艺操作简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN115544683A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211215739.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F30/17 , G06F30/23 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于温度和应力仿真确定激光封焊起点的方法，包括构建外壳的实体模型；根据激光封焊过程中热力对外壳的影响，将外壳的实体模型进行分区，并基于分区结果构建外壳的有限元模型；利用有限元模型得到不同封焊起点条件下，封焊过程中外壳的温度场和应力；根据温度场和应力，在不同封焊起点中确定外壳的封焊起点。本发明能够准确快速的确定最优激光封焊起点，提高了产品质量合格率，符合当前宇航用有效载荷产品短周期、批量化的研制需求。
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公开(公告)号：CN103273154B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310147821.3
申请日：2013-04-25
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微波多腔体隔墙焊接工艺方法，通过采用真空共晶焊接的方式将多腔体隔墙和LTCC多层基板、组件底座焊接成一体，形成一种集成结构，即将底板作为支撑以及接地部分，微波产品射频和低频控制电路都集成在一片LTCC基板上，基板上面的一体化多腔隔墙进行信号的隔离，其中隔墙包括平板多腔结构和外围带凸台的多腔结构两种形式，同时制定严格的焊接工艺曲线，该结构改变了原有产品多个功能的单元单独布局，通过螺钉紧固在机械加工的腔体中，单元之间再用金带连接的结构，实现了小型化与高密度化，本发明方法形成的多腔隔墙结构为一体化结构，具有体积小、集成度高、隔离性能好、且可靠性好的特点。
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公开(公告)号：CN116321817A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310377521.8
申请日：2023-04-11
Applicant: 西安空间无线电技术研究所 , 电子科技大学
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明公开了一种高叠层精度LTCC电路基板的制作方法，包括以下步骤：在叠层工序中，设置平面载台用于放置隔离膜和生瓷片，该载台放置于绝缘台面上；使用胶带将隔离膜固定在载台上，将第一张生瓷片的瓷面朝下与隔离膜对位后，利用静电发生器产生的静电将生瓷片吸附于隔离膜上；去掉生瓷片的背膜，此时生瓷片依靠静电吸附抑制形变，随后将其余生瓷片按照同样方法依次产生静电、对位、去除背膜，完成叠层；将胶带撕除，对堆叠完成的多层电路生瓷坯体侧壁进行点胶固定；使用真空包封袋将生瓷堆叠体及隔离膜包封后进行热压，通过共烧工艺完成LTCC电路基板的共烧处理，实现LTCC电路基板高叠层精度和提高LTCC电路基板的性能。
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