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公开(公告)号：CN102732931A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210215782.1
申请日：2012-06-27
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种利用纳米结构镀层抑制微波部件表面二次电子发射的方法，微波部件经必要清洗后先涂刷保护胶，将不用处理的表面保护起来，然后利用磷酸进行电化学腐蚀处理,使铝合金表面形成孔径为100nm左右、深宽比大于10的多孔氧化铝膜层；反复清洗后去除保护胶，然后立即在氧化膜上蒸发镀一层厚度为50nm左右的银层，最后进行真空热处理。这样的处理一方面可改善镀层与基底的结合力，另一方面利用纳米银熔点显著降低的特性，使纳米银在氧化层表面自组装形成纳米陷阱结构的同时还能很好地保持镀银层连续性，在保证一定导电性的基础上实现了对二次电子发射的抑制。该方法与现行的微波部件处理工艺衔接良好，微波部件表面的二次电子发射系数受到明显抑制。
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公开(公告)号：CN115976617A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211478358.6
申请日：2022-11-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种辅助阳极，为可溶性柔性辅助阳极或不溶性柔性辅助阳极；可溶性柔性辅助阳极包括弹簧和涤纶布；弹簧由与待镀金属相同种类的金属丝绕制而成，涤纶布包裹于弹簧外表面；不溶性柔性辅助阳极包括金属丝网和涤纶布；金属丝网由与待镀金属不同种类的金属丝编织而成，涤纶布包裹于金属丝网外表面。本发明还公开了一种铝合金多弯波导零件镀银工艺方法，包括：二次浸锌、化学镀镍、利用柔性辅助阳极对化学镀镍后的波导依次进行镀铜、镀银和后处理，镀银的过程中使电解液导液管在波导腔内往复运动，提高了腔内镀层的均匀性。本发明有效解决了辅助阳极添加的难题，实现了多弯波导的高质量电镀。
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公开(公告)号：CN102795591B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210215615.7
申请日：2012-06-27
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现，典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构，结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版，规则陷阱的深宽比决定于刻蚀时间。在相同深宽比及孔隙率条件下，圆孔陷阱表面SEY抑制效果优于矩形槽陷阱表面；对于同一种阵列结构，深宽比越大，孔隙率越大，SEY抑制效果越好。该技术对于卫星载荷中金属微波部件和粒子加速器中微放电效应抑制具有潜在的应用价值，即在不改变部件表面金属材料前提下，通过表面图形化光刻技术降低其表面SEY，从而较大幅度抑制微放电效应。同时，该技术还适用于行波管收集极等多种需要进行金属表面SEY抑制的特殊应用场合，具有一定的普适性。
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公开(公告)号：CN115976617B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202211478358.6
申请日：2022-11-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种辅助阳极，为可溶性柔性辅助阳极或不溶性柔性辅助阳极；可溶性柔性辅助阳极包括弹簧和涤纶布；弹簧由与待镀金属相同种类的金属丝绕制而成，涤纶布包裹于弹簧外表面；不溶性柔性辅助阳极包括金属丝网和涤纶布；金属丝网由与待镀金属不同种类的金属丝编织而成，涤纶布包裹于金属丝网外表面。本发明还公开了一种铝合金多弯波导零件镀银工艺方法，包括：二次浸锌、化学镀镍、利用柔性辅助阳极对化学镀镍后的波导依次进行镀铜、镀银和后处理，镀银的过程中使电解液导液管在波导腔内往复运动，提高了腔内镀层的均匀性。本发明有效解决了辅助阳极添加的难题，实现了多弯波导的高质量电镀。
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公开(公告)号：CN102732931B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210215782.1
申请日：2012-06-27
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种利用纳米结构镀层抑制微波部件表面二次电子发射的方法，微波部件经必要清洗后先涂刷保护胶，将不用处理的表面保护起来，然后利用磷酸进行电化学腐蚀处理,使铝合金表面形成孔径为100nm左右、深宽比大于10的多孔氧化铝膜层；反复清洗后去除保护胶，然后立即在氧化膜上蒸发镀一层厚度为50nm左右的银层，最后进行真空热处理。这样的处理一方面可改善镀层与基底的结合力，另一方面利用纳米银熔点显著降低的特性，使纳米银在氧化层表面自组装形成纳米陷阱结构的同时还能很好地保持镀银层连续性，在保证一定导电性的基础上实现了对二次电子发射的抑制。该方法与现行的微波部件处理工艺衔接良好，微波部件表面的二次电子发射系数受到明显抑制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103668132A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310635166.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明一种活化溶液及其在镁合金化学镀镍层中的应用；该活化溶液中溶质包括柠檬酸、焦磷酸钾、氟化氢铵；柠檬酸的浓度为30～120g/L，焦磷酸钾的浓度为10～60g/L，氟化氢铵的浓度为10～100g/L；利用该溶液对镁合金化学镀镍层进行处理的过程为：采用丙酮或乙醇浸泡或超声对镁合金化学镀镍层进行清洗；将清洗后的镁合金化学镀镍层自然晾干；采用强碱性除油溶液，对镁合金化学镀镍层表面作二次除油；采用二级或多级流动水对二次除油镁合金化学镀镍层表面进行清洗；利用活化溶液对清洗后的镁合金化学镀镍层在15℃～35℃下进行活化处理1～10min；将活化处理后的镁合金化学镀镍层进行镀铜、镀银、镀金等后续镀层操作。
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公开(公告)号：CN103668132B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310635166.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明一种活化溶液及其在镁合金化学镀镍层中的应用；该活化溶液中溶质包括柠檬酸、焦磷酸钾、氟化氢铵；柠檬酸的浓度为30～120g/L，焦磷酸钾的浓度为10～60g/L，氟化氢铵的浓度为10～100g/L；利用该溶液对镁合金化学镀镍层进行处理的过程为：采用丙酮或乙醇浸泡或超声对镁合金化学镀镍层进行清洗；将清洗后的镁合金化学镀镍层自然晾干；采用强碱性除油溶液，对镁合金化学镀镍层表面作二次除油；采用二级或多级流动水对二次除油镁合金化学镀镍层表面进行清洗；利用活化溶液对清洗后的镁合金化学镀镍层在15℃～35℃下进行活化处理1～10min；将活化处理后的镁合金化学镀镍层进行镀铜、镀银、镀金等后续镀层操作。
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公开(公告)号：CN102515085B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110359776.9
申请日：2011-11-14
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法，包括以下步骤：在微波部件基体的良导体层上形成金属纳米结构；选定不同的测试条件，该测试条件包括纳米结构的孔隙率、深宽比以及纳米结构的形状；利用蒙特-卡洛方法模拟在不同测试条件下，电子入射在纳米结构中的碰撞、吸收及其所产生二次电子的碰撞、吸收和逃逸过程，得到理论上单个纳米结构中的二次电子发射产额；根据上述二次电子发射产额规律，利用多种表面处理工艺调节微波部件表面纳米结构的形状，深宽比及孔隙率，使其二次电子发射产额最小。该方法能够将的电化学银镀层表面处理微波部件的微放电阈值大幅度提高；更易于实现高深宽比二次电子陷阱结构，对表面粗糙度的影响一定程度上可以忽略，解决目前大粗糙度结构表面抑制SEY带来的负面效应。
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公开(公告)号：CN102795591A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210215615.7
申请日：2012-06-27
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现，典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构，结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版，规则陷阱的深宽比决定于刻蚀时间。在相同深宽比及孔隙率条件下，圆孔陷阱表面SEY抑制效果优于矩形槽陷阱表面；对于同一种阵列结构，深宽比越大，孔隙率越大，SEY抑制效果越好。该技术对于卫星载荷中金属微波部件和粒子加速器中微放电效应抑制具有潜在的应用价值，即在不改变部件表面金属材料前提下，通过表面图形化光刻技术降低其表面SEY，从而较大幅度抑制微放电效应。同时，该技术还适用于行波管收集极等多种需要进行金属表面SEY抑制的特殊应用场合，具有一定的普适性。
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公开(公告)号：CN102515085A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110359776.9
申请日：2011-11-14
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法，包括以下步骤：在微波部件基体的良导体层上形成金属纳米结构；选定不同的测试条件，该测试条件包括纳米结构的孔隙率、深宽比以及纳米结构的形状；利用蒙特-卡洛方法模拟在不同测试条件下，电子入射在纳米结构中的碰撞、吸收及其所产生二次电子的碰撞、吸收和逃逸过程，得到理论上单个纳米结构中的二次电子发射产额；根据上述二次电子发射产额规律，利用多种表面处理工艺调节微波部件表面纳米结构的形状，深宽比及孔隙率，使其二次电子发射产额最小。该方法能够将的电化学银镀层表面处理微波部件的微放电阈值大幅度提高；更易于实现高深宽比二次电子陷阱结构，对表面粗糙度的影响一定程度上可以忽略，解决目前大粗糙度结构表面抑制SEY带来的负面效应。
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