公开(公告)号：CN1447990A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814308.3

申请日：2001-07-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  大畑丰治 ,  菊谷友志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02409 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139

Abstract: 提供一种细微芯片结构的半导体发光器件，该结构具有良好的晶体特性和控制的衬底螺纹位错，能够不增加步骤地制备这种结构。半导体发光器件包括衬底和形成其上的晶体层，所述晶体层具有与衬底主平面倾斜的晶面(例如S面)，还包括第一导电类型层、有源层、以及平行于所述晶体层上所述晶面的第二导电类型层。半导体发光器件可选的具有平行于倾斜晶面的反射面。具有与衬底主平面平行的晶体层具有良好的晶体特性。此外，由于倾斜，晶体层防止了衬底螺纹位错，并有助于器件小型化和器件隔离。

公开(公告)号：CN1269230C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN01814308.3

申请日：2001-07-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  大畑丰治 ,  菊谷友志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02409 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139

Abstract: 提供一种细微芯片结构的半导体发光器件，该结构具有良好的晶体特性和控制的衬底螺纹位错，能够不增加步骤地制备这种结构。半导体发光器件包括衬底和形成其上的晶体层，所述晶体层具有与衬底主平面倾斜的晶面(例如S面)，还包括第一导电类型层、有源层、以及平行于所述晶体层上所述晶面的第二导电类型层。半导体发光器件可选的具有平行于倾斜晶面的反射面。具有与衬底主平面平行的晶体层具有良好的晶体特性。此外，由于倾斜，晶体层防止了衬底螺纹位错，并有助于器件小型化和器件隔离。

公开(公告)号：CN1447958A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814309.1

申请日：2001-07-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岩渕寿章 ,  大畑丰治 ,  土居正人

IPC: G09F9/33 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L29/78 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  G02F2001/13613 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  Y10S438/982 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明给出一种图像显示装置，它能提高诸如分辨率、图像质量和发光效率这样的特性，便于大尺寸屏幕的形成，并降低制造成本；还给出了制造图像显示装置的方法。图像显示装置包括许多用以响应特定图像信号而显示图像的发光器件的列阵，该图像显示装置的特征在于每个发光器件的占据面积处在一个大于等于25μm2小于等于10000μm2的范围内，发光器件装配在布线板上。在器件的装配中，例如，执行两步放大转移。两步放大转移过程包括：第一转移步骤，将排列在第一衬底上的器件转移到临时支持部件上，器件之间的间距大于器件排列在第一衬底上时的间距，器件支持在临时支持部件上；第二转移步骤，将支持在临时支持部件上的器件转移到第二底板上，器件之间的间距大于器件支持在临时支持部件上时的间距。进一步，以这样的方式将发光器件装配到布线板上：发光器件的通过晶体生长而形成的晶体生长层的姿态与晶体生长时该晶体生长层的姿态在沿底板主平面法线的方向上相倒转。

公开(公告)号：CN1229766C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN01814309.1

申请日：2001-07-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岩渕寿章 ,  大畑丰治 ,  土居正人

IPC: G09F9/33 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L29/78 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  G02F2001/13613 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  Y10S438/982 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明给出一种图像显示装置，它能提高诸如分辨率、图像质量和发光效率这样的特性，便于大尺寸屏幕的形成，并降低制造成本；还给出了制造图像显示装置的方法。图像显示装置包括许多用以响应特定图像信号而显示图像的发光器件的列阵，该图像显示装置的特征在于每个发光器件的占据面积处在一个大于等于25μm2小于等于10000μm2的范围内，发光器件装配在布线板上。在器件的装配中，例如，执行两步放大转移。两步放大转移过程包括：第一转移步骤，将排列在第一衬底上的器件转移到临时支持部件上，器件之间的间距大于器件排列在第一衬底上时的间距，器件支持在临时支持部件上；第二转移步骤，将支持在临时支持部件上的器件转移到第二底板上，器件之间的间距大于器件支持在临时支持部件上时的间距。进一步，以这样的方式将发光器件装配到布线板上：发光器件的通过晶体生长而形成的晶体生长层的姿态与晶体生长时该晶体生长层的姿态在沿底板主平面法线的方向上相倒转。

公开(公告)号：CN1698213A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000358.9

申请日：2004-02-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  铃木淳 ,  大畑丰治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137

Abstract: 在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，并且在其上形成例如SiN膜作为生长掩模。在生长掩模的开口部分下的n型GaN层上选择性生长六棱椎尖顶形的n型GaN层，此尖顶形n型GaN层由多个晶面组成，它们以不同的倾角相对于蓝宝石衬底的主面倾斜，从而整体来看形成一个凸起。在此n型GaN层上顺序形成一个有源层和p型GaN层，由此形成一个发光元件结构。然后，形成p侧电极和n侧电极。

公开(公告)号：CN1177252C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01142455.9

申请日：2001-09-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大畑丰治

IPC: G02F1/136 ,  G09F9/33

CPC classification number: H04N9/30 ,  G09F27/008 ,  G09G3/32 ,  G09G2300/08 ,  H01L25/0753 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H04N5/66 ,  H05K1/181 ,  H05K3/32 ,  H05K2201/09409 ,  H05K2201/10106 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49131 ,  Y10T29/49133 ,  Y10T29/5137 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种可以有效地、准确地将微芯片排列在电路板上的器件安装方法。该方法包括分开多个以特定的周期排列在晶片上的LED芯片的器件分离步骤，分开的单个LED芯片保持着它原来的排列状态，处理这些单个分开的LED芯片以便以间隔值等于该周期的特定放大倍数进行重排列该LED芯片的器件重排列步骤，以及将这些重排列的LED芯片转移在安装板上并保持该LED芯片原有的重排列状态的器件转移步骤。

公开(公告)号：CN1476641A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN02803154.7

申请日：2002-09-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大畑丰治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/24 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供通过在倾斜结晶面的中腹部形成电极、使从该元件的下侧的光取出面取出光的效率得到提高的半导体发光元件及其制造方法。此外，可使发生的光高效地全反射，同时，形成电极的倾斜结晶面的中腹部比之倾斜结晶面的其他区域结晶性更好，因此，可仅在结晶性良好的区域注入电流，光取出效率与发光效率可同时提高，从而形成对输入电流光取出效率高的半导体发光元件。此外，按照对本发明的半导体发光元件配列构成的图像显示装置、照明装置及其制造方法，对输入电流具有高发光效率的发光元件被配置于装置基板，可减低流入各元件的电流的密度，同时，可提供能显示高品质图像的图像显示装置及亮度强的照明装置。

公开(公告)号：CN1349205A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN01142455.9

申请日：2001-09-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大畑丰治

IPC: G09F9/33

CPC classification number: H04N9/30 ,  G09F27/008 ,  G09G3/32 ,  G09G2300/08 ,  H01L25/0753 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H04N5/66 ,  H05K1/181 ,  H05K3/32 ,  H05K2201/09409 ,  H05K2201/10106 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49131 ,  Y10T29/49133 ,  Y10T29/5137 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种可以有效地、准确地将微芯片排列在电路板上的器件安装方法。该方法包括分开多个以特定的周期排列在晶片上的LED芯片的器件分离步骤,分开的单个LED芯片保持着它原来的排列状态,处理这些单个分开的LED芯片以便以间隔值等于该周期的特定放大倍数进行重排列该LED芯片的器件重排列步骤,以及将这些重排列的LED芯片转移在安装板上并保持该LED芯片原有的重排列状态的器件转移步骤。

公开(公告)号：CN100442550C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480000358.9

申请日：2004-02-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  铃木淳 ,  大畑丰治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137

Abstract: 在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，并且在其上形成例如SiN膜作为生长掩模。在生长掩模的开口部分下的n型GaN层上选择性生长六棱椎尖顶形的n型GaN层，此尖顶形n型GaN层由多个晶面组成，它们以不同的倾角相对于蓝宝石衬底的主面倾斜，从而整体来看形成一个凸起。在此n型GaN层上顺序形成一个有源层和p型GaN层，由此形成一个发光元件结构。然后，形成p侧电极和n侧电极。

公开(公告)号：CN100416867C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN02803154.7

申请日：2002-09-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大畑丰治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/24 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供通过在倾斜结晶面的中腹部形成电极、使从该元件的下侧的光取出面取出光的效率得到提高的半导体发光元件及其制造方法。此外，可使发生的光高效地全反射，同时，形成电极的倾斜结晶面的中腹部比之倾斜结晶面的其他区域结晶性更好，因此，可仅在结晶性良好的区域注入电流，光取出效率与发光效率可同时提高，从而形成对输入电流光取出效率高的半导体发光元件。此外，按照对本发明的半导体发光元件配列构成的图像显示装置、照明装置及其制造方法，对输入电流具有高发光效率的发光元件被配置于装置基板，可减低流入各元件的电流的密度，同时，可提供能显示高品质图像的图像显示装置及亮度强的照明装置。