公开(公告)号：CN1269230C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN01814308.3

申请日：2001-07-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  大畑丰治 ,  菊谷友志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02409 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139

Abstract: 提供一种细微芯片结构的半导体发光器件，该结构具有良好的晶体特性和控制的衬底螺纹位错，能够不增加步骤地制备这种结构。半导体发光器件包括衬底和形成其上的晶体层，所述晶体层具有与衬底主平面倾斜的晶面(例如S面)，还包括第一导电类型层、有源层、以及平行于所述晶体层上所述晶面的第二导电类型层。半导体发光器件可选的具有平行于倾斜晶面的反射面。具有与衬底主平面平行的晶体层具有良好的晶体特性。此外，由于倾斜，晶体层防止了衬底螺纹位错，并有助于器件小型化和器件隔离。

公开(公告)号：CN1447990A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814308.3

申请日：2001-07-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  大畑丰治 ,  菊谷友志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02409 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139

Abstract: 提供一种细微芯片结构的半导体发光器件，该结构具有良好的晶体特性和控制的衬底螺纹位错，能够不增加步骤地制备这种结构。半导体发光器件包括衬底和形成其上的晶体层，所述晶体层具有与衬底主平面倾斜的晶面(例如S面)，还包括第一导电类型层、有源层、以及平行于所述晶体层上所述晶面的第二导电类型层。半导体发光器件可选的具有平行于倾斜晶面的反射面。具有与衬底主平面平行的晶体层具有良好的晶体特性。此外，由于倾斜，晶体层防止了衬底螺纹位错，并有助于器件小型化和器件隔离。