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公开(公告)号：CN116646399A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310531126.0
申请日：2023-05-11
Applicant: 湖南大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种沟槽栅半导体器件及其制备方法，所述沟槽栅半导体器件包括：P+衬底；位于所述P+衬底上的N‑漂移区；位于所述N‑漂移区一侧的多阶介质层和P阱区，位于所述N‑漂移区另一侧的N+漏区；其中，所述多阶介质层内设有多晶硅栅，所述P阱区内设有N+阱区和P+区。在N‑漂移区引入多阶介质层，并利用台阶侧壁形成极薄的栅极氧化物，进而构成沟槽型的MOS结构，多晶硅下方和靠近漏极侧具有较厚的介质层；降低了LDMOS器件电场峰值和饱和电流密度，同时保持了器件优异的正向导通特性。
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公开(公告)号：CN115676766A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211188651.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本申请涉及微系统领域，具体公开了一种三轴MEMS陀螺集成微系统，包括：三轴MEMS陀螺芯片，包括陀螺机械结构；转接板芯片，与陀螺机械结构键合连接，具有转接板凹槽，与陀螺机械结构相对设置，以形成陀螺机械结构的陀螺保护腔体。本申请还公开一种三轴MEMS陀螺集成微系统，包括转接板芯片和三轴MEMS陀螺芯片，三轴MEMS陀螺芯片包括陀螺盖帽，陀螺盖帽面向转接板芯片设置，陀螺盖帽的靠近陀螺机械结构的一侧具有盖帽凹槽，盖帽凹槽与陀螺机械结构相对设置，以形成陀螺机械结构的陀螺保护腔体。本申请的方案解决集成密度不够高、厚度大、不利于散热等问题。
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公开(公告)号：CN106711048A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611161437.9
申请日：2016-12-15
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种小电容抗辐照VDMOS芯片的制造方法，反型区和漂移区的栅氧采用不同的工艺技术形成。器件反型区的栅氧采用高温氧化工艺形成，漂移区的栅氧采用沟槽回填技术形成，通过调节沟槽深度可以调节漂移区的栅氧厚度。从而使器件具备了两种栅氧厚度，反型区的栅氧薄，而漂移区的栅氧厚。反型区的薄栅氧可以降低总剂量辐照对器件性能参数的影响。同时，漂移区的厚栅氧可以减小栅氧中的电场强度，使器件不易发生栅介质击穿。此外，漂移区的厚栅氧增加了多晶硅与漏极之间的距离，有利于减小栅漏电容，改善器件的开关特性。本发明方法与传统VDMOS芯片的制造技术兼容，工艺步骤简单，可以用来制造高可靠、高效率的VDMOS芯片。
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公开(公告)号：CN105575734A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510981271.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H49/00
Abstract: 本发明公开了一种射频MEMS开关及其制造方法，该射频MEMS开关的结构特点为硅-硅双层结构，包括衬底、介质层、驱动电极、隔离层、信号线、地线和盖帽；信号线包括信号线输入电极、柱状锚点、两个固定梁、横梁、多触点系统和信号线输出电极。两个固定梁一端固定在柱状锚点上表面，另一端与横梁的固定端连接，多触点系统位于横梁自由端的下方，驱动电极位于横梁下方，硅帽上加工凹槽和通孔，通孔的位置与信号线输入电极、信号线输出电极、地线和驱动电极相对应。本发明的射频MEMS开关，有效的降低了开关的驱动电压，提高了触点的寿命，用硅帽对横梁进行保护使其不受环境影响，提高了开关的可靠性。
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公开(公告)号：CN104795450A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510121901.0
申请日：2015-03-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0615 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种新型高电流密度快恢复二极管结构及其制作方法，可用于大电流、快恢复二极管的生产，属于功率半导体器件领域。其技术特点：采用挖槽技术，在芯片正面有源区处挖槽，槽间距依器件性能参数做相应调整，然后用掺硼多晶硅淀积，推结形成器件带槽阳极区；对单晶片背面采用真空蒸铂后退火方法，引入符合中心获得较好的快恢复特性；终端区域与常规器件一致，采用场环结构。和现有技术相比，采用本发明在单位芯片面积内可显著提高器件电流密度，增加器件电流容量；相同电流指标器件，可有效减小器件有源区面积，提高圆片利用率，增加经济效益；重掺杂的多晶硅可与N型芯片形成欧姆接触，提高器件可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681633A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510010197.1
申请日：2015-01-08
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法，该台面二极管包括背面衬底、N-型外延层、阳极有源区P+型层和二极管台面上的复合钝化层，该复合钝化层包括二氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层，本发明的制备方法步骤如下：1、制备普通的台面二极管；2、在二极管的上表面生长一层二氧化硅；3、在二氧化硅层上淀积多晶硅，并进行扩磷处理形成多晶硅层；4、在多晶硅层上淀积氮化硅形成氮化硅层；5、在所述氮化硅层和多晶硅层进行刻蚀，得到设定图形的氮化硅层和多晶硅层；6、采用腐蚀工艺对裸露出的二氧化硅层进行腐蚀处理，得到设定图形的二氧化硅层；本发明能够提高器件的性能，工艺实现简单。
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公开(公告)号：CN118198136A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410435689.4
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种改进导通特性的硅基超级结场效应晶体管，包括：衬底、n‑型漂移区、超级结p型梯形掺杂区、p‑型基区、n+型源区、源极金属铝和栅氧及多晶硅层；其中，n‑型漂移区位于衬底的上部；n‑型漂移区内部设置有倒梯形沟槽，超级结p型梯形掺杂区设置于倒梯形沟槽内；p‑型基区位于超级结p型梯形掺杂区的上部；n+型源区嵌于p‑型基区内；栅氧及多晶硅层位于n‑型漂移区、p‑型基区和n+型源区的上部；其中，与p‑型基区和n+型源区对应的栅氧及多晶硅层的位置处开设通孔；源极金属铝位于栅氧及多晶硅层的上部，其中，源极金属铝的部分与p‑型基区和n+型源区相接触。本发明解决传统超级结结构带来的通流能力弱、导通损耗大问题。
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公开(公告)号：CN105575734B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510981271.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种射频MEMS开关及其制造方法，该射频MEMS开关的结构特点为硅‑硅双层结构，包括衬底、介质层、驱动电极、隔离层、信号线、地线和盖帽；信号线包括信号线输入电极、柱状锚点、两个固定梁、横梁、多触点系统和信号线输出电极。两个固定梁一端固定在柱状锚点上表面，另一端与横梁的固定端连接，多触点系统位于横梁自由端的下方，驱动电极位于横梁下方，硅帽上加工凹槽和通孔，通孔的位置与信号线输入电极、信号线输出电极、地线和驱动电极相对应。本发明的射频MEMS开关，有效的降低了开关的驱动电压，提高了触点的寿命，用硅帽对横梁进行保护使其不受环境影响，提高了开关的可靠性。
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公开(公告)号：CN104795450B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510121901.0
申请日：2015-03-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种新型高电流密度快恢复二极管结构及其制作方法，可用于大电流、快恢复二极管的生产，属于功率半导体器件领域。其技术特点：采用挖槽技术，在芯片正面有源区处挖槽，槽间距依器件性能参数做相应调整，然后用掺硼多晶硅淀积，推结形成器件带槽阳极区；对单晶片背面采用真空蒸铂后退火方法，引入符合中心获得较好的快恢复特性；终端区域与常规器件一致，采用场环结构。和现有技术相比，采用本发明在单位芯片面积内可显著提高器件电流密度，增加器件电流容量；相同电流指标器件，可有效减小器件有源区面积，提高圆片利用率，增加经济效益；重掺杂的多晶硅可与N型芯片形成欧姆接触，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN103745930A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310721725.5
申请日：2013-12-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66712 , H01L24/85 , H01L29/7802
Abstract: 本发明公开了一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法，能够在保证VDMOS器件的电学特性的同时，减小制造成本；首先在多晶硅上通过腐蚀形成有源区域（1a）和未腐蚀的区域（1b）；在有源区域（1a）上通过沉积形成多晶硅区域（2），多晶硅区域（2）包括多晶硅引线区域（2a）和多晶硅终端结构区域（2b）；在多晶硅引线区域（2a）下方、以及多晶硅引线区域（2a）与多晶硅终端结构区域（2b）之间的下方通过扩散形成N+源区（3）；在多晶硅区域上形成接触孔（4）；在有源区域（1a）上形成金属电极（5），所述金属电极（5）延伸覆盖所有接触孔（4），通过所述金属电极（5）与N+源区（3）连接；所述金属电极（5）与多晶硅终端结构区域（2b）部分重叠。
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