一种沟槽栅半导体器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116646399A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310531126.0

    申请日:2023-05-11

    Abstract: 本发明涉及一种沟槽栅半导体器件及其制备方法,所述沟槽栅半导体器件包括:P+衬底;位于所述P+衬底上的N‑漂移区;位于所述N‑漂移区一侧的多阶介质层和P阱区,位于所述N‑漂移区另一侧的N+漏区;其中,所述多阶介质层内设有多晶硅栅,所述P阱区内设有N+阱区和P+区。在N‑漂移区引入多阶介质层,并利用台阶侧壁形成极薄的栅极氧化物,进而构成沟槽型的MOS结构,多晶硅下方和靠近漏极侧具有较厚的介质层;降低了LDMOS器件电场峰值和饱和电流密度,同时保持了器件优异的正向导通特性。

    一种倒装焊基板焊盘SOP制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115692224A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211216734.4

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明提供了一种倒装焊基板焊盘SOP制备方法,包括如下步骤:S1、对基板表面阻焊层进行刻蚀形成环状凹槽;S2、将基板置于刷膏网板下方,网板开口和厚度与基板焊盘尺寸满足对应关系,通过刷膏网板对所有焊盘进行焊膏印刷;S3、将基板放入回流炉中进行回流,形成球形SOP,并进行清洗;S4、采用一次整平工装对所有球形SOP进行整平处理;S5、采用二次整平工装再次进行整平处理,使SOP具备特殊形状及标识图形;S6、采用光学自动检测设备识别SOP的标识图形,将不合格SOP进行标记处理。可以提升SOP制作的良率,解决芯片倒装过程中虚焊问题及多次回流过程中SOP重熔短路问题,进而保证倒装焊器件的长期可靠性。

    一种适用于CPGA封装高密度集成电路的引线键合装置

    公开(公告)号:CN204011365U

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201420282746.1

    申请日:2014-05-29

    Abstract: 一种适用于CPGA封装高密度集成电路的引线键合装置,包括两个功能模块、共三部分。一个功能模块为键合夹具,包括基座和上板两部分,基座通过螺栓组固定在键合机工作台面上,上板可根据不同产品特点设计和选用,使用螺钉固定在基座上。另一功能模块为真空模块,将设备真空吸孔由单孔分为多孔,实现多通道单独控制,保证机台真空吸力,提高键合定位精度。对于CPGA类插装式电路,为适应其结构,提高键合精度,在夹具上板设计和加工中加入两个位置可变的多孔对称固定插槽,插槽位置可在上板滑轨内调节。该装置的设计使用,显著提升了设备键合精度,充分保证了高密度多引线集成电路键合工艺质量,提高了设备完成多品种、小批量封装任务的效率。

    一种高精度的正弦摆线型衍射波片的光学压印制备方法

    公开(公告)号:CN116400562A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310139800.0

    申请日:2023-02-21

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 樊帆 叶湘林

    Abstract: 本发明公开了一种高精度的正弦摆线型衍射波片的光学压印制备方法,通过带有至少两层扭曲结构的正弦摆线型衍射波片作为偏振转换衍射波片来提高光学制备的精度,实现百纳米量级正弦摆线周期结构的光学压印。解决了基于偏振全息曝光系统制备正弦摆线型衍射波片速度慢、抗环境干扰能力差、进一步扩大曝光系统成本和难度高等限制批量生产的问题。

    一种光学防伪液晶元件的设计方法

    公开(公告)号:CN114895457A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210483833.2

    申请日:2022-05-05

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开了一种光学防伪液晶元件的设计方法,所述方法设计的液晶元件由基底和其上的液晶阵列构成,在基底上划分多个周期尺寸相同的单元,每个单元上均旋涂有相同旋转角度的液晶分子,从而构成液晶阵列,所述液晶元件具有两个显示通道,分别为通道1和通道2,通道1和通道2的光强随着液晶分子的旋转角度的变化而有规律的变化。本发明利用液晶优异的光场调控能力,将多种功能集成于一个元件中,从而拓展了液晶的应用,增强了防伪效果。本发明相较于之前设计方法,实现了更多的功能,使得元件的光学调控能力有质的飞跃,同时,该设计方法在信息容量和光学防伪的安全性方面具有更加卓越的性能。因此,这种设计方法拥有广阔的应用前景。

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